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[常見(jiàn)問(wèn)題解答]探索IGBT雙脈沖測(cè)試的關(guān)鍵技術(shù)與實(shí)現(xiàn)步驟[ 2025-02-11 11:56 ]

IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極型晶體管）作為現(xiàn)代電力電子領(lǐng)域的核心器件，其性能直接決定著系統(tǒng)的效率和穩(wěn)定性。在評(píng)估IGBT性能的諸多方法中，雙脈沖測(cè)試因其能夠全面反映器件的開(kāi)關(guān)特性而被廣泛應(yīng)用。一、雙脈沖測(cè)試的技術(shù)要點(diǎn)1. 測(cè)試目的明確雙脈沖測(cè)試的核心在于準(zhǔn)確測(cè)量IGBT在開(kāi)通和關(guān)斷過(guò)程中的動(dòng)態(tài)特性。通過(guò)這一測(cè)試，可以獲得如開(kāi)關(guān)損耗、導(dǎo)通電阻、二極管反向恢復(fù)電流、電流上升斜率（di/dt）和電壓尖峰等重要參數(shù)。這些數(shù)據(jù)對(duì)于優(yōu)化器件驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)、降低系統(tǒng)損耗、提高

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[常見(jiàn)問(wèn)題解答]二極管反向恢復(fù)時(shí)間的定義及其重要性[ 2025-02-10 10:37 ]

二極管作為最基礎(chǔ)的半導(dǎo)體器件之一，廣泛應(yīng)用于整流、開(kāi)關(guān)、電源管理等各類電子電路中。在高頻和高速開(kāi)關(guān)電路中，二極管的動(dòng)態(tài)特性尤為重要，其中反向恢復(fù)時(shí)間（Reverse Recovery Time）是衡量其性能的關(guān)鍵參數(shù)之一。一、二極管反向恢復(fù)時(shí)間的定義其從正向?qū)顟B(tài)切換至反向截止?fàn)顟B(tài)時(shí)，反向電流由峰值衰減到接近零所需的時(shí)間，通常這個(gè)零值定義為峰值的10%或5%。在正向?qū)ㄆ陂g，PN結(jié)內(nèi)部會(huì)積累大量的載流子，形成一定的存儲(chǔ)電荷。當(dāng)外加電壓突然變?yōu)榉聪蚱脮r(shí)，這些積累的少數(shù)載流子不會(huì)立即消失，而是需要一段時(shí)間才能完成復(fù)

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[常見(jiàn)問(wèn)題解答]深入分析ADALM2000在二極管動(dòng)態(tài)特性測(cè)試中的應(yīng)用[ 2025-01-02 11:10 ]

隨著電子器件和集成電路的不斷發(fā)展，對(duì)元器件的性能尤其是二極管等半導(dǎo)體器件的動(dòng)態(tài)特性要求越來(lái)越高。在這方面，ADALM2000模塊憑借其豐富的測(cè)量功能，成為了二極管研究與測(cè)試的優(yōu)選工具。在本文中，我們將詳細(xì)介紹ADALM2000在測(cè)量二極管動(dòng)態(tài)特性方面的應(yīng)用，并分析其優(yōu)勢(shì)和實(shí)際操作流程。一、ADALM2000模塊概述ADALM2000是Analog Devices的模塊化儀器，提供高精度信號(hào)生成和采集能力。它具有雙通道輸出信號(hào)源和雙通道輸入信號(hào)采集功能，并可通過(guò)USB連接與計(jì)算機(jī)通信進(jìn)行數(shù)據(jù)處理。這使得ADALM20

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[常見(jiàn)問(wèn)題解答]碳化硅雙脈沖測(cè)試：解析正向與負(fù)向干擾的影響[ 2024-08-07 15:22 ]

碳化硅 (SiC) 由于其卓越的物理和化學(xué)穩(wěn)定性，在高功率和高溫應(yīng)用中表現(xiàn)出色。隨著碳化硅設(shè)備在半導(dǎo)體行業(yè)中的廣泛應(yīng)用，雙脈沖測(cè)試成為了一種關(guān)鍵的技術(shù)，用于評(píng)估這些設(shè)備在實(shí)際工作條件下的性能。雙脈沖測(cè)試主要是用來(lái)觀察和分析器件在快速開(kāi)關(guān)過(guò)程中的動(dòng)態(tài)特性，特別是正向和負(fù)向干擾的影響。一、正向串?dāng)_的產(chǎn)生與影響正向串?dāng)_通常在開(kāi)關(guān)器件如晶體管開(kāi)通時(shí)發(fā)生。當(dāng)一個(gè)晶體管（例如Q1）的門(mén)極電壓達(dá)到閾值，使其導(dǎo)通時(shí)，與之相鄰的晶體管（例如Q2）可能會(huì)受到干擾。這種干擾起因于電流從一個(gè)晶體管（如D2）開(kāi)始轉(zhuǎn)移到已導(dǎo)通的晶體管（Q1）

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[常見(jiàn)問(wèn)題解答]IGBT如何檢測(cè)與動(dòng)態(tài)特性介紹[ 2024-01-25 16:13 ]

IGBT如何檢測(cè)與動(dòng)態(tài)特性介紹IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大；MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開(kāi)關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變

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[常見(jiàn)問(wèn)題解答]雙脈沖測(cè)試基礎(chǔ)原理和應(yīng)用解析[ 2023-04-29 14:04 ]

雙脈沖測(cè)試基礎(chǔ)原理和應(yīng)用解析雙脈沖是分析功率開(kāi)關(guān)器件動(dòng)態(tài)特性的基礎(chǔ)實(shí)驗(yàn)方法，貫穿器件的研發(fā)，應(yīng)用和驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路的設(shè)計(jì)。合理采用雙脈沖測(cè)試平臺(tái)，你可以在系統(tǒng)設(shè)計(jì)中從容的調(diào)試驅(qū)動(dòng)電路，優(yōu)化動(dòng)態(tài)過(guò)程，驗(yàn)證短路保護(hù)。雙脈沖測(cè)試基礎(chǔ)系列文章包括基本原理和應(yīng)用，對(duì)電壓電流探頭要求和影響測(cè)試結(jié)果的因素等。為什么要進(jìn)行雙脈沖測(cè)試？在以前甚至是今天，許多使用IGBT或者M(jìn)OSFET做逆變器的工程師是不做雙脈沖實(shí)驗(yàn)的，而是直接在標(biāo)定的工況下跑看能否達(dá)到設(shè)計(jì)的功率。這樣的測(cè)試確實(shí)很必要，但是往往這樣看不出具體的開(kāi)關(guān)損耗，電壓或者電流的尖

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[常見(jiàn)問(wèn)題解答]MOS管場(chǎng)效應(yīng)管的動(dòng)態(tài)特性介紹[ 2023-04-15 13:50 ]

一個(gè)MOSFET管的動(dòng)態(tài)響應(yīng)只取決于它充(放)電這個(gè)器件的本身寄生電容和由互連線及負(fù)載引起的額外電容所需要的時(shí)間。本征電容的主要來(lái)源有三個(gè)：基本的MOS結(jié)構(gòu)、溝道電荷以及漏和源反向偏置pn結(jié)的耗盡區(qū)。MOS結(jié)構(gòu)電容MOS晶體管柵通過(guò)柵氧與導(dǎo)電溝道相隔離，柵電容Cg取決于柵氧單位面積電容Cox的電容值，氧化層厚度越薄，電容值越低。從MOS管的結(jié)構(gòu)可以看出，在實(shí)際中，源和漏與柵有交疊的部分，從而引起柵源、柵漏之間產(chǎn)生覆蓋電容。溝道電容柵至溝道的電容Cgc的大小取決于工作區(qū)域和端口電壓，當(dāng)晶體管處于截至區(qū)域時(shí)(a)，沒(méi)

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[常見(jiàn)問(wèn)題解答]大功率晶閘管參數(shù)解析之正向特性介紹[ 2022-08-24 17:24 ]

功率二極管晶閘管廣泛應(yīng)用于AC/DC變換器、UPS、交流靜態(tài)開(kāi)關(guān)、SVC和電解氫等場(chǎng)合，但大多數(shù)工程師對(duì)這類雙極性器件的了解不及對(duì)IGBT的了解，為此我們組織了6篇連載，包括正向特性，動(dòng)態(tài)特性，控制特性，保護(hù)以及損耗與熱特性。電氣特性二極管和晶閘管的電氣特性隨溫度變化而變化，因此只有針對(duì)特定溫度給出的電氣特性才是有效的。除非另有說(shuō)明，否則數(shù)據(jù)手冊(cè)中的所有值均適用于40至60Hz的電源頻率。最大值為制造商以絕對(duì)極限值形式給出的值，通常即使在短時(shí)間內(nèi)也不可超過(guò)此值，否則可能導(dǎo)致元件功能下降或損壞。特征值為規(guī)定條件下的數(shù)

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[常見(jiàn)問(wèn)題解答]MOS管知識(shí)-MOS管電容特性分析[ 2020-11-11 15:21 ]

MOS管知識(shí)-MOS管電容特性分析MOS管電容特性-動(dòng)態(tài)特性從圖九可以看出功率管的寄生電容分布情況，電容的大小由功率管的結(jié)構(gòu),材料和所加的電壓決定。這些電容和溫度無(wú)關(guān)，所以功率管的開(kāi)關(guān)速度對(duì)溫度不敏感(除閾值電壓受溫度影響產(chǎn)生的次生效應(yīng)外)MOS管電容特性:由于器件里的耗盡層受到了機(jī)壓影響，電容Cgs和Cgd隨著所加電壓的變化而變化。然而相對(duì)于Cgd，Cgs受電壓的影響非常小，Cgd受電壓影響程度是Cgs的100倍以上。如圖10所示為一個(gè)從電路角度所看到的本征電容。受柵漏和柵源電容的影響，感應(yīng)到的dv/dt會(huì)導(dǎo)致功

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[常見(jiàn)問(wèn)題解答]二極管的開(kāi)關(guān)過(guò)程和其可能引發(fā)的EMI問(wèn)題[ 2020-09-17 17:05 ]

二極管的開(kāi)關(guān)過(guò)程和其可能引發(fā)的EMI問(wèn)題導(dǎo)語(yǔ)二極管的單向?qū)ㄐ?、大于某電壓就?dǎo)通等基本特性我們非常熟悉，但是隨著工作的深入會(huì)發(fā)現(xiàn)僅知道這些是不夠的，特別是大功率設(shè)備或者面臨EMI的問(wèn)題時(shí)。所以我們需要對(duì)二極管有個(gè)更深入的認(rèn)識(shí)，今天就著重講述二極管的開(kāi)關(guān)過(guò)程（也叫二極管的動(dòng)態(tài)特性）及其帶來(lái)的影響。任何開(kāi)關(guān)器件的狀態(tài)切換并不是一蹴而就的，在這切換的期間發(fā)生了什么是工程師值得注意的地方。因?yàn)榻Y(jié)電容的存在，二極管在零偏置、正向?qū)?、反向截止這三個(gè)狀態(tài)之間切換時(shí)，會(huì)有一個(gè)過(guò)渡。開(kāi)通（零偏置轉(zhuǎn)換為正向?qū)ǎ┒O管的開(kāi)通并不是說(shuō)

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[常見(jiàn)問(wèn)題解答]PTC熱敏電阻的電阻-溫度特性及靜態(tài)和動(dòng)態(tài)特性[ 2020-05-11 15:17 ]

PTC熱敏電阻的電阻-溫度特性及靜態(tài)和動(dòng)態(tài)特性與人一樣，發(fā)熱意味著機(jī)器出了問(wèn)題，熱敏電阻則是治愈這一頑疾的良藥。日常生活中，我們家居常備的電子體溫計(jì)采用一顆PTC熱敏電阻。如果接觸智能手機(jī)、電腦、冰箱、吸塵器時(shí)，都會(huì)感覺(jué)到發(fā)熱，這里將溫度控制在安全范圍內(nèi)的關(guān)鍵電子元器件也是PTC熱敏電阻。PTC熱敏電阻是應(yīng)用最普遍的一類熱敏元件，可檢測(cè)物體的熱度，并將“熱”信息傳遞給IC進(jìn)行處理，使耐熱性差的元件不被熱而破壞，讓精度不準(zhǔn)的元件能良好運(yùn)作。PTC熱敏電阻的電阻值隨溫度的上升而增大，具有三個(gè)主要

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[常見(jiàn)問(wèn)題解答]內(nèi)置肖特基二極管的MOSFET能不能提高應(yīng)用性能[ 2019-11-29 14:54 ]

當(dāng)一個(gè)功率MOSFET被用在電橋拓?fù)浠蛴米麟娫炊蝹?cè)同步整流時(shí)，體漏二極管的特性及質(zhì)量因子將變得非常重要。當(dāng)需要Qrr數(shù)值很低的軟反向恢復(fù)時(shí)，集成肖特基二極管的新60V“F7”功率MOSFET確保能效和換向性能更加出色。在同步整流和電橋結(jié)構(gòu)中，RDSon和Qg兩個(gè)參數(shù)并不是對(duì)功率MOSFET的唯一要求，實(shí)際上，本征體漏二極管的動(dòng)態(tài)特性對(duì)MOSFET整體性能影響很大。體漏二極管的正向壓降(VF,diode)影響開(kāi)關(guān)在續(xù)流期間(開(kāi)關(guān)處于關(guān)斷狀態(tài)，電流從源極經(jīng)本征二極管流至漏極)的功率損耗；反向恢

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[常見(jiàn)問(wèn)題解答]IGBT主要參與應(yīng)用特點(diǎn)[ 2019-10-11 12:05 ]

IGBT主要參與應(yīng)用特點(diǎn)IGBT是一種雙極性功率半導(dǎo)體器件，由BJT(雙極型三極管)和MOS管復(fù)合而成, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)，特別是600V以上應(yīng)用中的功率損失相當(dāng)?shù)?。雖然可以通過(guò)工藝技術(shù)提高BJT的性能，但無(wú)法從根本上解決BJT的電荷存儲(chǔ)時(shí)間（STORAGE TIME）問(wèn)題。也就是說(shuō)，BJT在關(guān)閉時(shí)需耗費(fèi)較長(zhǎng)時(shí)間，不適合高速切換的應(yīng)用，但完全滿足市電供電的應(yīng)用。IGBT基本特性包括靜態(tài)特性和動(dòng)態(tài)特性，其中靜態(tài)特性由輸出特性和轉(zhuǎn)移特性組成，動(dòng)態(tài)特性描述IGBT器件開(kāi)關(guān)過(guò)程。

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