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[常見問題解答]如何優(yōu)化同步整流電路：器件選擇與設(shè)計原則[ 2024-05-15 10:11 ]

一、概述同步整流技術(shù)在電力轉(zhuǎn)換領(lǐng)域，隔離式轉(zhuǎn)換器經(jīng)常配備低直流輸出電壓，其核心整流器多采用MOSFET。由于這些設(shè)備具備較低的通電損耗，它們能顯著提高能效，因此越來越多地被引入到各種應(yīng)用中。為實現(xiàn)高效率的電路設(shè)計，對同步整流器（SR）進(jìn)行精確控制是關(guān)鍵。該技術(shù)通過取代傳統(tǒng)二極管，并采用特定的驅(qū)動策略，通常依賴PWM控制信號來調(diào)整開關(guān)電路的狀態(tài)，實現(xiàn)高效整流。二、同步整流中的功率MOS管應(yīng)用在同步整流應(yīng)用中，功率MOS管不僅僅是快速恢復(fù)二極管的替代品，更是整流功能的執(zhí)行者。它們通過極低的導(dǎo)通電阻來降低能量消耗，從而提

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[常見問題解答]單片機(jī)驅(qū)動MOS管：操作失誤與風(fēng)險解析[ 2024-05-13 10:13 ]

一、控制MOS管的實際應(yīng)用與風(fēng)險使用單片機(jī)直接控制功率較大的MOS管存在一定風(fēng)險。通常，MOS管的閾值電壓（Vth）介于2到5伏之間，但對于某些高功率MOS管，Vth可能更高。因此，當(dāng)單片機(jī)供電僅為5V或3.3V時，直接驅(qū)動這些MOS管可能導(dǎo)致無法有效控制。為解決這一問題，常采用三極管作為中間控制器，以保證更穩(wěn)定的控制效果。在單片機(jī)輸出高電平時，三極管被激活，導(dǎo)致NMOS的G極呈現(xiàn)低電平狀態(tài)，使NMOS處于關(guān)閉狀態(tài)；反之，當(dāng)輸出為低電平時，三極管關(guān)閉，G極電平升高，NMOS則導(dǎo)通。二、MOS管的基本構(gòu)成與功能MOS

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[常見問題解答]MOSFET發(fā)熱現(xiàn)象深度解析：關(guān)鍵技術(shù)與防治措施[ 2024-04-11 11:30 ]

在探索電源與驅(qū)動設(shè)計的深奧世界時，我們不可避免地會遇到場效應(yīng)管（通稱MOS管）的散熱難題。這些小巧的組件承載著重要的開關(guān)功能，卻也隱藏著不容忽視的挑戰(zhàn)。接下來，讓我們深入探討緩解MOS管發(fā)熱問題的五種創(chuàng)新技術(shù)策略。靈活的電流與電壓調(diào)控策略在電源設(shè)計的心臟部位，即高壓驅(qū)動芯片中，我們遭遇了第一個散熱難關(guān)。設(shè)想一個簡單場景：一塊芯片，工作在2mA的電流和300V的電壓下，它將產(chǎn)生0.6W的功耗，伴隨而來的就是不期而至的發(fā)熱。此時，如果我們通過巧妙調(diào)整功率MOS管的電容值、門電壓，以及工作頻率，不僅能夠顯著降低功耗，還能

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[常見問題解答]電路設(shè)計，同步整流電路如何設(shè)計[ 2024-01-15 18:35 ]

電路設(shè)計，同步整流電路如何設(shè)計01什么是同步整流同步整流是一種提高電路轉(zhuǎn)換效率的技術(shù)，該技術(shù)通常在輸出為低壓大電流的開關(guān)電源中使用，因為這種開關(guān)電源的整流電路中一旦有非有效壓降存在，對能量的消耗就會比較可觀，源端就需要給出更多的能量來滿足正常輸出。隨著低壓大電流成為一種趨勢，偉大的前輩們發(fā)明了同步整流技術(shù)——在輸出電路中采用導(dǎo)通電阻極低的****功率mos管替代導(dǎo)通壓降較高的整流二極管，有效提高了電路的轉(zhuǎn)換效率。02同步整流的代價任何好的轉(zhuǎn)變都需要付出代價，同步整流電路也不例外。采用功率

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[常見問題解答]功率MOS管的正向截止等效電路與穩(wěn)態(tài)特性介紹[ 2023-08-24 18:26 ]

功率MOSFET的正向截止等效電路與穩(wěn)態(tài)特性介紹功率MOSFET的正向截止等效電路（1）：等效電路（2）：說明：功率 MOSFET 正向截止時可用一電容等效，其容量與所加的正向電壓、環(huán)境溫度等有關(guān)，大小可從制造商的手冊中獲得。功率MOSFET的穩(wěn)態(tài)特性總結(jié)（1）：功率MOSFET 穩(wěn)態(tài)時的電流/電壓曲線（2）：說明：功率 MOSFET 正向飽和導(dǎo)通時的穩(wěn)態(tài)工作點：當(dāng)門極不加控制時，其反向?qū)ǖ姆€(wěn)態(tài)工作點同二極管。（3）：穩(wěn)態(tài)特性總結(jié)：門極與源極間的電壓Vgs 控制器件的導(dǎo)通狀態(tài)；當(dāng)VgsVth時，器件處于導(dǎo)通狀態(tài)；

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[常見問題解答]開關(guān)MOS的驅(qū)動電路解析[ 2023-06-26 18:15 ]

開關(guān)MOS的驅(qū)動電路解析引言MOSFET因?qū)▋?nèi)阻低、開關(guān)速度快等優(yōu)點被廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源中。MOSFET的驅(qū)動常根據(jù)電源IC和MOSFET的參數(shù)選擇合適的電路。下面介紹了MOSFET用于開關(guān)電源的驅(qū)動電路。在使用MOS管設(shè)計開關(guān)電源時，大部分人都會考慮MOS的導(dǎo)通電阻、最大電壓、最大電流，很多人僅僅考慮了這些因素，這樣的電路也許可以正常工作，但并不是一個好的設(shè)計方法。作為一個產(chǎn)品設(shè)計，功率MOS管還應(yīng)考慮本身寄生的參數(shù)。選定管子之后，對應(yīng)的驅(qū)動電路，以及電源IC驅(qū)動腳輸出的峰值電流等，都會影響產(chǎn)品性能。當(dāng)電源IC

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[常見問題解答]功率Mos管損壞主要原因有哪些[ 2023-02-10 17:34 ]

mos在控制器電路中的工作狀態(tài)：開通過程（由截止到導(dǎo)通的過渡過程）、導(dǎo)通狀態(tài)、關(guān)斷過程（由導(dǎo)通到截止的過渡過程）、截止?fàn)顟B(tài)。Mos主要損耗也對應(yīng)這幾個狀態(tài)，開關(guān)損耗（開通過程和關(guān)斷過程），導(dǎo)通損耗，截止損耗（漏電流引起的，這個忽略不計），還有雪崩能量損耗。只要把這些損耗控制在mos承受規(guī)格之內(nèi)，mos即會正常工作，超出承受范圍，即發(fā)生損壞。而開關(guān)損耗往往大于導(dǎo)通狀態(tài)損耗，不同mos這個差距可能很大。Mos損壞主要原因：過流----------持續(xù)大電流或瞬間超大電流引起的結(jié)溫過高而燒毀過壓----------源漏過

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[常見問題解答]4N60場效應(yīng)MOS管替代FQP4N60型號參數(shù) 現(xiàn)貨供應(yīng)廠家[ 2021-08-24 15:01 ]

在國產(chǎn)化的發(fā)展進(jìn)程中，我們更推薦使用優(yōu)質(zhì)的壹芯微所生產(chǎn)的4N60型號參數(shù)來替代FQP4N60型號，壹芯微4N60場效應(yīng)管能夠完美匹配原型號FQP4N60場效應(yīng)管參數(shù)，壹芯微這款功率MOS管4N60為N溝道增強(qiáng)型高壓功率MOS場效應(yīng)管，驅(qū)動電路應(yīng)用4N60廣泛應(yīng)用于AC-DC開關(guān)電源，DC-DC電源轉(zhuǎn)換器，高壓H橋PMW馬達(dá)驅(qū)動；在使用方面是匹配型號FQP4N60的國外場效應(yīng)管。

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[常見問題解答]5N60場效應(yīng)MOS管參數(shù)5A/600V,DC-DC電源轉(zhuǎn)換器適用[ 2021-08-24 14:39 ]

5N60是一款N溝道增強(qiáng)型高壓功率MOS管，具有600V高壓，可適用在DC-DC電源轉(zhuǎn)換器上，目前DC-DC轉(zhuǎn)換器廣泛應(yīng)用于手機(jī)、MP3、數(shù)碼相機(jī)、便攜式媒體播放器等產(chǎn)品中。

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[常見問題解答]分析MOS場效應(yīng)管發(fā)熱的各種可能因素-壹芯微[ 2021-08-06 16:27 ]

分析MOS場效應(yīng)管發(fā)熱的各種可能因素-壹芯微你了解MOS管發(fā)熱嗎？做為一名電源工程師，做電源設(shè)計可以說是日常了，提到MOS管的話，一定不陌生。MOS管有很多種類，也有很多作用。做電源或者驅(qū)動的使用，當(dāng)然就是用它的開關(guān)作用。接下來我們來了解MOS管發(fā)熱四大關(guān)鍵技術(shù)。一、芯片發(fā)熱本次內(nèi)容主要針對內(nèi)置電源調(diào)制器的高壓驅(qū)動芯片。假如芯片消耗的電流為2mA，300V的電壓加在芯片上面，芯片的功耗為0.6W，當(dāng)然會引起芯片的發(fā)熱。驅(qū)動芯片的最大電流來自于驅(qū)動功率MOS管的消耗，簡單的計算公式為I=cvf(考慮充電的電阻效益，實

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[常見問題解答]萬用表測試場效應(yīng)MOS管使用及更換方法解析-壹芯微[ 2021-08-05 14:20 ]

萬用表測試場效應(yīng)MOS管使用及更換方法解析-壹芯微關(guān)于MOS管一直是工程師熱衷討論的話題之一，于是我們整理了常見與不常見MOS管的有關(guān)知識，希望對各位工程師有所幫助。防靜電保護(hù)MOS管屬于絕緣柵場效應(yīng)管，柵極是無直流通路，輸入阻抗極高，極易引起靜電荷聚集，產(chǎn)生較高的電壓將柵極和源極之間的絕緣層擊穿。早期生產(chǎn)的MOS管大多沒有防靜電措施，所以在保管及應(yīng)用上要非常小心，特別是功率較小的MOS管，由于功率較小的MOS管輸入電容比較小，接觸到靜電時產(chǎn)生的電壓較高，容易引起靜電擊穿。而近期的增強(qiáng)型大功率MOS管則有比較大的區(qū)

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[常見問題解答]怎樣區(qū)分場效應(yīng)管-功率管-特肖基二極管[ 2021-04-14 10:11 ]

怎樣區(qū)分場效應(yīng)管-功率管-特肖基二極管題目中的特肖基二極管的正確說法是肖特基二極管，功率管是一類大功率器件的總稱，是一種統(tǒng)稱，如大功率三極管、大功率二極管、大功率MOS管等。下面介紹一下如何區(qū)分場效應(yīng)管和肖特基二極管。什么是場效應(yīng)管場效應(yīng)管是場效應(yīng)晶體管的簡稱，應(yīng)為縮寫為FET。場效應(yīng)管通常分為兩類：1)JFET和MOSFET。這兩類場效應(yīng)管都是壓控型的器件。場效應(yīng)管有三個電極，分別為：柵極G、漏極D和源極S。目前MOSFET應(yīng)用廣泛，JFET相對較少。MOSFET可以分為NMOS和PMOS，下圖是PMOS的結(jié)構(gòu)圖

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[常見問題解答]功率mos管是為何會被燒毀[ 2020-12-28 16:25 ]

功率mos管是為何會被燒毀mos在控制器電路中的工作狀態(tài)：開通過程（由截止到導(dǎo)通的過渡過程）、導(dǎo)通狀態(tài)、關(guān)斷過程（由導(dǎo)通到截止的過渡過程）、截止?fàn)顟B(tài)。Mos主要損耗也對應(yīng)這幾個狀態(tài)，開關(guān)損耗（開通過程和關(guān)斷過程），導(dǎo)通損耗，截止損耗（漏電流引起的，這個忽略不計），還有雪崩能量損耗。只要把這些損耗控制在mos承受規(guī)格之內(nèi)，mos即會正常工作，超出承受范圍，即發(fā)生損壞。而開關(guān)損耗往往大于導(dǎo)通狀態(tài)損耗，不同mos這個差距可能很大。Mos損壞主要原因：過流----------持續(xù)大電流或瞬間超大電流引起的結(jié)溫過高而燒毀；過

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[常見問題解答]MOS管保護(hù)電路實測以及保護(hù)電路解析[ 2020-12-17 15:06 ]

MOS管保護(hù)電路實測以及保護(hù)電路解析MOS管保護(hù)電路實測，分析功率MOS管自身擁有眾多優(yōu)點，但是MOS管具有較脆弱的承受短時過載能力，特別是在高頻的應(yīng)用場合，所以在應(yīng)用功率MOS管對必須為其設(shè)計合理的保護(hù)電路來提高器件的可靠性。功率MOS管保護(hù)電路主要有以下幾個方面：1.防止柵極 di/dt過高：MOS管保護(hù)電路實測，分析：由于采用驅(qū)動芯片，其輸出阻抗較低，直接驅(qū)動功率管會引起驅(qū)動的功率管快速的開通和關(guān)斷，有可能造成功率管漏源極間的電壓震蕩，或者有可能造成功率管遭受過高的di/dt而引起誤導(dǎo)通。為避免上述現(xiàn)象的發(fā)生

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[常見問題解答]MOS管保護(hù)電路|MOSFET柵源保護(hù)知識普及[ 2020-12-17 14:45 ]

MOS管保護(hù)電路|MOSFET柵源保護(hù)知識普及MOSFET柵源保護(hù)知識MOSFET柵源保護(hù)：功率MOS管自身擁有眾多優(yōu)點，但是MOS管具有較脆弱的承受短時過載能力，特別是在高頻的應(yīng)用場合，所以在應(yīng)用功率MOS管對必須為其設(shè)計合理的保護(hù)電路來提高器件的可靠性。MOSFET柵源保護(hù)-功率MOS管保護(hù)電路主要有以下幾個方面：1.防止柵極 di/dt 過高由于采用驅(qū)動芯片，其輸出阻抗較低，直接驅(qū)動功率管會引起驅(qū)動的功率管快速的開通和關(guān)斷，有可能造成功率管漏源極間的電壓震蕩，或者有可能造成功率管遭受過高的 di/dt 而引起

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[常見問題解答]功率MOS管參數(shù)-Vdss的溫度特性詳情解析[ 2020-12-09 16:54 ]

功率MOS管參數(shù)-Vdss的溫度特性詳情解析功率MOS管參數(shù)-Vdss溫度特性分析由圖可知MOSFET-Vdss耐壓隨溫度升高而增加。為什么MSOFET的VDS耐壓隨溫度升高而增加，即呈現(xiàn)正溫度系數(shù)呢？這是半導(dǎo)體硅材料的特性所決定的！MOS管是單子導(dǎo)電機(jī)理！載流子只有電子，溫度升高，溝道電阻增加，電子遷移減少，電流變小！故耐壓會增加！MOS管是單子導(dǎo)電機(jī)理！載流子只有電子，溝道夾斷，電子無法通過溝道導(dǎo)通，單外延層中低參雜PN結(jié)中的電子遷移很小，溫度升高，這種飄移電流變小！故其反向截止的損耗減小，雪崩能量增加，耐壓

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[常見問題解答]MOS管保護(hù)措施技術(shù)詳情解析[ 2020-11-16 16:24 ]

MOS管保護(hù)措施技術(shù)詳情解析MOS管保護(hù)措施：功率MOS管的SOA曲線雖然功率MOS管有諸多優(yōu)點,但在電路設(shè)計過程中,功率MOS管往往是最容易損壞的元件,要想安全可靠的使用好功率MOS管并不容易,因此功率MOS管的驅(qū)動和保護(hù)問題是功率器件設(shè)計的關(guān)鍵。圖1為功率MOS管的安全工作區(qū)(SOA)曲線,晶體管的擊穿電壓決定了其最大的漏源電壓VDS ,電遷移限制確定了晶體管的最大漏極電流ID。芯片的最高工作溫度與散熱共同決定了最大的穩(wěn)態(tài)功PD。圖中虛線表示的是SOA邊界,實線顯示了縮小的SOA區(qū)域,為該器件的實際情況。從圖中

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[常見問題解答]功率MOS管燒毀的原因分析(米勒效應(yīng))[ 2020-10-24 16:27 ]

功率MOS管燒毀的原因分析(米勒效應(yīng))Mos在控制器電路中的工作狀態(tài)：開通過程（由截止到導(dǎo)通的過渡過程）、導(dǎo)通狀態(tài)、關(guān)斷過程（由導(dǎo)通到截止的過渡過程）、截止?fàn)顟B(tài)。Mos主要損耗也對應(yīng)這幾個狀態(tài)，開關(guān)損耗（開通過程和關(guān)斷過程），導(dǎo)通損耗，截止損耗（漏電流引起的，這個忽略不計），還有雪崩能量損耗。只要把這些損耗控制在mos承受規(guī)格之內(nèi)，mos即會正常工作，超出承受范圍，即發(fā)生損壞。而開關(guān)損耗往往大于導(dǎo)通狀態(tài)損耗（不同mos這個差距可能很大。Mos損壞主要原因：過流----------持續(xù)大電流或瞬間超大電流引起的結(jié)溫過

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[常見問題解答]MOS管G極串聯(lián)小電阻的作用和MOS管極的測試步驟[ 2020-09-04 16:29 ]

MOS管G極串聯(lián)小電阻的作用和MOS管極的測試步驟在電源電路中，功率MOS管的G極經(jīng)常會串聯(lián)一個小電阻，幾歐姆到幾十歐姆不等，那么這個電阻用什么作用呢？如上圖開關(guān)電源，G串聯(lián)電阻R13。這個電阻的作用有2個作用：限制G極電流，抑制振蕩。限制G極電流MOS管是由電壓驅(qū)動的，是以G級電流很小，但是因為寄生電容的存在，在MOS管打開或關(guān)閉的時候，因為要對電容進(jìn)行充電，所有瞬間電流還是比較大的。特別是在開關(guān)電源中，MOS管頻繁的開啟和關(guān)閉，那么就要更要考慮這個帶來的影響了。如上圖，MOS管的寄生電容有三個，Cgs，Cgd，

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[常見問題解答]MOS管知識科普-功率mos管為什么會被燒毀詳解[ 2020-09-01 17:50 ]

MOS管知識科普-功率mos管為什么會被燒毀詳解本文主要解析功率mos管為何會被燒毀。mos在控制器電路中的工作狀態(tài)：開通過程（由截止到導(dǎo)通的過渡過程）、導(dǎo)通狀態(tài)、關(guān)斷過程（由導(dǎo)通到截止的過渡過程）、截止?fàn)顟B(tài)。Mos主要損耗也對應(yīng)這幾個狀態(tài)，開關(guān)損耗（開通過程和關(guān)斷過程），導(dǎo)通損耗，截止損耗（漏電流引起的，這個忽略不計），還有雪崩能量損耗。只要把這些損耗控制在mos承受規(guī)格之內(nèi)，mos即會正常工作，超出承受范圍，即發(fā)生損壞。而開關(guān)損耗往往大于導(dǎo)通狀態(tài)損耗，不同mos這個差距可能很大。Mos損壞主要原因與Mos開關(guān)原

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