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[常見問題解答]移相全橋拓撲結構與工作原理解析[ 2025-04-24 14:33 ]

移相全橋拓撲廣泛應用于電力電子領域，特別是在高效能和高功率需求的場合。其獨特的控制策略使得電路能夠實現軟開關，從而顯著降低開關損耗，提高整體轉換效率。一、移相全橋拓撲基本結構移相全橋拓撲的核心是基于全橋結構的電路，其中包括原邊全橋電路、變壓器以及副邊整流電路。其主要功能是通過調節開關管的相位差來控制輸出電壓。1. 原邊全橋電路移相全橋的原邊電路由四個功率開關管（通常為MOSFET或IGBT）組成，分別標記為Q1、Q2、Q3和Q4。這些開關管按一定的順序導通與關斷，從而形成兩組橋臂：超前橋臂（Q1、Q2）和滯后橋臂（

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[常見問題解答]反激準諧振電路的工作特點與優勢分析[ 2025-04-23 11:19 ]

反激準諧振電路是一種廣泛應用于電力電子領域的電路，尤其在開關電源、逆變器和變頻器等設備中具有重要的地位。憑借其高效、緊湊的結構和優異的電磁兼容性，反激準諧振電路在現代電子技術中得到了廣泛的應用。一、工作特點反激準諧振電路的基本工作原理是基于反激式轉換器原理，并結合了準諧振的特性，使得電路在操作過程中能夠減少開關管的損耗，提升整體效率。以下是該電路的主要工作特點：1. 高效的能量轉換在反激準諧振電路中，開關管的開關頻率和關斷時的同步調節能夠有效降低開關損耗。當開關管關斷時，通過控制初級與次級電流的同步，使得變壓器磁芯

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[常見問題解答]MDD超快恢復二極管提升高頻開關電源效率的關鍵技術解析[ 2025-04-18 11:43 ]

在現代高頻開關電源的設計中，效率的提升一直是工程師們關注的重點。由于高頻開關電源頻率較高，其性能不僅依賴于電源的拓撲結構和元器件選擇，尤其是整流二極管的選擇對于系統效率的影響不可忽視。傳統的整流二極管因其較長的反向恢復時間（trr）會導致顯著的開關損耗，從而降低整體效率。而MDD超快恢復二極管，憑借其超短的反向恢復時間、低反向電流以及低開關損耗等優勢，成為高頻開關電源中理想的整流選擇。一、高頻開關電源中的整流器件要求高頻開關電源通常用于DC-DC轉換器、AC-DC適配器、LED驅動電源等設備。其工作頻率通常較高，在

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[常見問題解答]移相全橋軟開關技術比較：ZVS與ZVZCS優劣全解析[ 2025-04-16 11:11 ]

在高效電能轉換系統的設計過程中，移相全橋結構因其具備高可靠性與較低開關損耗，在中大功率DC-DC轉換器中被廣泛采用。而為了進一步減少器件在開關瞬間的應力與損耗，軟開關技術成為重要優化方向。目前常見的軟開關實現形式主要包括ZVS（零電壓開通）和ZVZCS（零電壓零電流開關）兩種。一、ZVS在移相全橋中的實現與特點ZVS（Zero Voltage Switching）即開關器件在關斷之后，其兩端電壓被完全釋放為零后再進行開通。該技術主要依賴電路中的寄生電容與變壓器漏感來完成能量的移除，從而降低硬開通帶來的損耗。ZVS型

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[常見問題解答]強制關斷電路在有源箝位中的應用與優化[ 2025-04-09 11:43 ]

隨著現代電源設計的不斷發展，有源箝位電路逐漸成為提升功率轉換效率、減小電磁干擾（EMI）及降低開關損耗的關鍵技術之一。尤其是在變換器中，有源箝位電路能夠通過控制開關管的開關過程，減輕其關斷時的應力，避免電流和電壓的突變，改善系統性能。然而，在一些特定的工作環境下，如輸出端帶大電容的關機下電過程中，箝位電路可能會出現一定的振蕩現象，影響電源的穩定性和后級設備的正常啟動。為了解決這一問題，強制關斷電路的引入成為一種有效的優化手段。一、強制關斷電路的工作原理在有源箝位電路中，箝位管（通常為MOSFET）用于限制電流和電壓

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[常見問題解答]LLC與雙管正激電源設計差異與選型指南[ 2025-04-08 12:17 ]

在電源設計領域，LLC諧振變換器與雙管正激變換器是兩種極具代表性的拓撲結構。它們各自擁有獨特的性能優勢，也面臨不同的設計權衡。在具體選型時，工程師需要根據系統需求、負載特性、效率指標以及成本預算進行合理取舍。一、電路拓撲與工作原理差異LLC諧振變換器屬于軟開關拓撲，主要依靠電感與電容形成的諧振網絡，實現近似正弦波的電流波形，從而達到降低開關損耗的目的。其開關管在零電壓或零電流時導通，有效降低了MOSFET的損耗和EMI輻射。而雙管正激結構則是傳統的硬開關方案，兩個功率管輪流導通實現能量傳輸。雖然在高頻率條件下存在一

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[常見問題解答]3千瓦LLC拓撲中SiC MOSFET的集成優化路徑[ 2025-04-07 12:10 ]

在高效電源系統快速發展的背景下，LLC諧振變換器憑借其高效率和低電磁干擾特性，逐漸成為中高功率密度應用的首選拓撲之一。而在實現高頻率、高效率運行的過程中，碳化硅（SiC）MOSFET的集成應用正成為性能突破的關鍵路徑之一。一、SiC MOSFET在3kW LLC中的技術適配性LLC拓撲本身以其軟開關特性（ZVS或ZCS）有效降低開關損耗，適合高頻操作。將SiC MOSFET引入該拓撲后，其具備的低導通電阻、高擊穿電壓和極低的反向恢復電荷特性，使其更適用于200kHz~500kHz以上的工作頻率區間。相比傳統硅基MO

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[常見問題解答]降壓斬波電路中電流連續性的重要性及其影響因素分析[ 2024-12-30 11:45 ]

降壓斬波電路是一種高效的DC-DC轉換電路，廣泛應用于電源管理、電池充電和各種電子設備中。設計和優化該電路時，電流連續性是一個重要指標，直接影響效率、電路的可靠性和穩定性。本文詳細分析了電流連續性的重要性及其主要影響因素。一、電流連續性的重要性1. 提高電路效率當電流處于連續狀態時，電路中的能量傳輸變得更加高效，從而減少損耗。特別是在高頻工作時，連續電流有效降低開關損耗，提高電路的整體效率。連續電感電流意味著輸出電壓變化更小，系統動態響應性能更好。這對于通信設備、精密設備等電壓要求較高的設備尤其重要。2. 優化熱管

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[常見問題解答]650V與1,200V SiC肖特基勢壘二極管SCS2xxAN與SCS2xxKN的應用場景[ 2024-12-23 12:00 ]

硅碳化合物（SiC）肖特基勢壘二極管因其優異的高效率和耐壓性能而廣泛應用于電力電子行業。SCS2xxAN（650V）和SCS2xxKN（1,200V）是兩種具有代表性的應用場景，展現出獨特的技術優勢和可靠性，滿足現代高效電子元件設備的高要求。一、光伏逆變器光伏發電系統需要高效率、低損耗的逆變器將直流電轉換為交流電，SCS2xxAN提供650V電壓，具有中等介電強度和低開關損耗，非常適合在太陽能發電中使用。SCS2xxKN耐壓高達1200V，滿足大功率光伏系統要求，有效降低功率開關損耗，提高轉換效率。二、電動汽車充電

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[常見問題解答]快恢復二極管選型要點：常見參數及型號對比[ 2024-11-15 12:21 ]

快恢復二極管因其優異的開關性能和較短的反向恢復時間而被廣泛應用于各種功率轉換和開關電源中。無論是用于功率整流器、PWM調制器，還是變頻器，快恢復二極管都可以有效地降低高頻工作環境下的開關損耗，提高電路效率。本文詳細介紹了選擇快恢復二極管時的要點，包括常見參數和不同型號的比較，以幫助工程師選擇最佳的二極管電路設計。一、快恢復二極管的重要選擇參數1. 反向恢復時間反向恢復時間是快恢復二極管最重要的參數之一。較短的反向恢復時間意味著二極管在開關過程中快速關斷，從而降低開關損耗并提高電路效率。在高頻開關電源、PWM逆變器等

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[常見問題解答]全面了解N溝道增強型MOSFET：優點、缺點及應用前景[ 2024-09-27 14:40 ]

N溝道增強型MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）是現代電子器件中不可或缺的組成部分。它的設計與功能使其在許多應用中表現出色。本文將深入探討N溝道增強型MOSFET的優缺點以及未來的應用前景。一、優點1. 高輸入阻抗N溝道增強型MOSFET的柵極與溝道之間隔離著一層絕緣材料（如二氧化硅），這使得其輸入阻抗極高，幾乎不消耗柵極電流。這一特性使得MOSFET在信號放大和開關應用中，能夠有效維護信號的完整性和穩定性。2. 低開關損耗與其他類型的開

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[常見問題解答]意法半導體展示其最新100V溝槽肖特基整流二極管，推動高效率電力解決方案[ 2024-06-04 11:43 ]

意法半導體于2024年4月2日宣布在中國推出一款新的100V溝槽肖特基整流二極管，專門為高開關頻率的功率轉換器設計，旨在顯著提升其能效。該公司的最新溝槽肖特基二極管，由ST制造，能夠顯著降低整流器的能耗，并展現出卓越的正向電壓和反向恢復性能。與傳統的平面二極管相比，這些新型二極管在不同的電流和溫度條件下，其正向電壓能高出50至100毫伏，從而實現至少0.5%的能效提升。隨著寬禁帶半導體等低開關損耗技術的應用，設計人員已能夠提升功率轉換器的工作頻率，進而增加功率密度。但是，隨著開關頻率的提高，傳統的平面二極管（包括硅

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[常見問題解答]如何設計LLC諧振電源拓撲以提升能效和性能[ 2024-06-03 09:59 ]

諧振電源LLC是一種廣泛應用于各類電子和通信設備中的高效率、高性能電源拓撲結構。通過精心設計的電路參數和控制策略，LLC諧振變換器能夠利用其核心組件—電感、電容和磁性元件，實現高能效轉換和穩定的輸出。這種變換器特別擅長通過諧振電路實現零電壓開關（ZVS）和零電流開關（ZCS），從而顯著降低開關損耗并提升整體的轉換效率。諧振電源LLC設計中的一個關鍵優勢是其控制策略的靈活性。通過精確的控制算法和參數設置，這種電源不僅可以迅速響應負載變化，還能維持系統的穩定性。此外，它還支持多種保護功能，如過載保護和過壓保

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[常見問題解答]實用指南：步步詳解如何搭建自己的隔離式半橋柵極驅動器系統[ 2024-05-25 10:11 ]

一、引言在電力電子領域中，隔離式半橋柵極驅動器扮演著至關重要的角色。它能有效控制高端和低端N溝道MOSFET（或IGBT）的柵極，實現對輸出功率的精確調節。設計上的關鍵在于確保驅動器具備低輸出阻抗以減少傳導損耗，并且具備快速開關能力，以降低開關損耗。本文將深入研究隔離式半橋柵極驅動器的設計原理、實現方法以及所面臨的挑戰。二、隔離式半橋柵極驅動器的原理隔離式半橋柵極驅動器的核心原理在于通過光耦合器實現輸入信號與輸出驅動信號的電氣隔離，從而避免高端和低端驅動器之間的直接交互。采用相反極性的信號來驅動高端和低端N溝道MO

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[技術文章]MBR20200CT 典型應用電路[ 2024-05-11 12:22 ]

MBR20200CT 是一種常用的肖特基二極管，封裝形式為 TO-220，廣泛應用于電力電子設備中。下面將詳細介紹 MBR20200CT 的應用場景和參數特點。一、應用場景1. 電源管理：MBR20200CT 在電源管理系統中具有重要的應用，特別是在高效率要求的開關電源中。它能有效降低開關損耗，提升電源轉換效率。2. 逆變器：在逆變器設計中，MBR20200CT 通常用于DC/AC轉換環節，其快速的響應時間和高效的導電能力使得逆變器能夠更加高效地工作。3. 汽車電子：隨著汽車電子設備對效率和可靠性的要求日益增高，M

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[技術文章]AO4468 典型應用電路[ 2024-05-09 15:19 ]

AO4468是一款N溝道場效應管，具有廣泛的應用場景和參數特點。下面將詳細介紹其應用場景和參數特點。一、應用場景：1. 電源管理：在電源管理電路中，AO4468常被用作低壓、低功耗的開關元件，用于穩壓、開關和逆變等功能。其低導通電阻和低開關損耗使其在高效率的電源轉換中得到廣泛應用。2. 電機驅動：在電機控制領域，AO4468可用作功率開關，用于控制電機的啟停和速度調節。其高功率密度和優秀的電性能使其成為電機驅動系統的重要組成部分。3. LED照明：作為LED驅動電路中的開關元件，AO4468能夠提供穩定的電流輸出，

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[常見問題解答]如何提高開關電源效率的方法分析[ 2023-07-06 17:16 ]

如何提高開關電源效率的方法分析開關電源的功耗包括由半導體開關、磁性元件和布線等的寄生電阻所產生的固定損耗以及進行開關操作時的開關損耗。對于固定損耗，由于它主要取決于元件自身的特性，因此需要通過元件技術的改進來予以抑制。在磁性元件方面，對于兼顧了集膚效應和鄰近導線效應的低損耗繞線方法的研究由來已久。為了降低源自變壓器漏感的開關浪涌所引起的開關損耗，開發出了具有浪涌能量再生功能的緩沖電路等新型電路技術。以下是提高開關電源效率的電路和系統方法：1、通過ZVS（零電壓開關）、ZCS（零電流開關）等利用諧振開關來降低開關損耗

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[常見問題解答]PFC場效應管Vds檢測解析[ 2023-06-29 18:17 ]

PFC場效應管Vds檢測解析1.電感電流負1A檢測2.PFCMOS管Vds檢測通過調節頻率使PFC電感電流在每個高頻周期過零，以實現PFC二極管的零電流關斷，消除反向恢復損耗。PFC二極管電流過零后，PFC電感與MOSFET寄生電容諧振，使Vds過零以實現零電壓開通，不過零則谷底開通，降低開關損耗。3. 不檢測，DSP直接計算壹芯微科技專注于“二,三極管、MOS(場效應管)、橋堆”研發、生產與銷售，21年行業經驗，擁有先進全自動化雙軌封裝生產線、高速檢測設備等，研發技術、芯片源自臺灣，專業生

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[常見問題解答]有橋交錯PFC拓撲介紹[ 2023-06-29 17:05 ]

有橋交錯PFC拓撲介紹有橋交錯PFC拓撲有橋交錯PFC之錯相通過調節頻率使PFC電感電流在每個高頻周期過零，以實現PFC二極管的零電流關斷，消除反向恢復損耗。PFC二極管電流過零后，PFC電感與MOSFET寄生電容諧振，使Vds過零以實現零電壓開通，不過零則谷底開通，降低開關損耗。兩相TM交錯180deg后可大幅減小輸入高頻紋波。該拓撲特點總結如下：(1)存在低頻整流二極管的導通損耗; 并聯兩個整流橋,解決散熱問題。(2)其零電流關斷特性消除了升壓二極管的反向恢復損耗; 可以采用便宜的快恢復二極管。(3)使用TM控

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[常見問題解答]MOS管快速關斷的電路介紹[ 2023-04-08 17:14 ]

MOS管快速關斷的電路介紹一.前言當我們使用MOS管進行一些PWM輸出控制時，由于此時開關頻率比較高，此時就要求我們能更快速的開關MOS管，從理論上說，MOSFET 的關斷速度只取決于柵極驅動電路。當然電流更高的關斷電路可以更快對輸入電容器放電，從而縮短開關時間，進而降低開關損耗。如果使用普通的 N 溝道器件，通過更低輸出阻抗的 MOSFET 驅動器和/或負關斷電壓，可以增大放電電流。提高開關速度也能降低開關損耗，當然由于 MOSFET 的快速關斷也會造成 di/dt 和 dv/dt 更高，因此關斷加速電路會在波形

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