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        [常見問題解答]優化MOS管開關性能:應對米勒效應的最新技術與方法[ 2024-05-27 10:48 ]
        一、MOSFET的驅動機制與米勒平臺在電路設計中,MOSFET的柵極驅動過程至關重要,涉及對MOSFET輸入電容的充放電,尤其是柵源極電容Cgs。一旦Cgs電荷達到門檻電壓,MOSFET即切換至開啟狀態。接著,隨著Vds下降和Id上升,MOSFET進入飽和區。然而,由于米勒效應,Vgs在一段時間內停滯,即使此時Id已達最大值,Vds仍在下降,直至米勒電容充滿電。再次將Vgs上升至驅動電壓時,MOSFET進入電阻區,Vds徹底下降至最低,完成開啟過程。米勒電容的存在限制了Vgs上升速度,影響了Vds下降速度,因此延長
        http://www.kannic.com/Article/yhmosgkgxn_1.html3星
        [常見問題解答]場效應管G極與S極之間的電阻作用解析[ 2023-07-22 16:34 ]
        場效應管G極與S極之間的電阻作用解析MOS管具有三個內在的寄生電容:Cgs、Cgd、Cds。這一點在MOS管的規格書中可以體現(規格書常用Ciss、Coss、Crss這三個參數代替)。MOS管之所以存在米勒效應,以及GS之間要并電阻,其源頭都在于這三個寄生電容。MOS管內部寄生電容示意IRF3205寄生電容參數1.MOS管的米勒效應MOS管驅動之理想與現實理想的MOS管驅動波形應是方波,當Cgs達到門檻電壓之后, MOS管就會進入飽和導通狀態。而實際上在MOS管的柵極驅動過程中,會存在一個米勒平臺米勒平臺實際上就
        http://www.kannic.com/Article/cxyggjysjz_1.html3星
        [行業資訊]MOS管G極與S極之間的電阻作用解析[ 2023-06-08 17:29 ]
        MOS管G極與S極之間的電阻作用解析MOS管具有三個內在的寄生電容:Cgs、Cgd、Cds。這一點在MOS管的規格書中可以體現(規格書常用Ciss、Coss、Crss這三個參數代替)。MOS管之所以存在米勒效應,以及GS之間要并電阻,其源頭都在于這三個寄生電容。MOS管內部寄生電容示意IRF3205寄生電容參數1.MOS管的米勒效應MOS管驅動之理想與現實理想的MOS管驅動波形應是方波,當Cgs達到門檻電壓之后, MOS管就會進入飽和導通狀態。而實際上在MOS管的柵極驅動過程中,會存在一個米勒平臺米勒平臺實際上就
        http://www.kannic.com/Article/mosggjysjz_1.html3星
        [常見問題解答]MOS管之米勒效應及形成原理詳細解析-壹芯微[ 2021-08-05 14:01 ]
        場效應MOS管之米勒效應及形成原理詳細解析-壹芯微米勒平臺形成的基本原理MOSFET的柵極驅動過程,可以簡單的理解為驅動源對MOSFET的輸入電容(主要是柵源極電容Cgs)的充放電過程;當Cgs達到門檻電壓之后, MOSFET就會進入開通狀態;當MOSFET開通后,Vds開始下降,Id開始上升,此時MOSFET進入飽和區;但由于米勒效應,Vgs會持續一段時間不再上升,此時Id已經達到最大,而Vds還在繼續下降,直到米勒電容充滿電,Vgs又上升到驅動電壓的值,此時MOSFET進入電阻區,此時Vds徹底降下來,開通結束
        http://www.kannic.com/Article/mosgzmlxyj_1.html3星

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