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        [常見問題解答]探索靜電如何導(dǎo)致MOS管損壞的詳細(xì)過程[ 2024-05-13 10:25 ]
        一、原因分析MOS管因其高輸入電阻和極小的柵-源間電容,對(duì)外界電磁干擾或靜電極為敏感。即便極少的電荷積累也能在其間產(chǎn)生高電壓,極易導(dǎo)致器件損壞。盡管存在抗靜電設(shè)計(jì),但在處理、存儲(chǔ)和運(yùn)輸時(shí),仍需采取嚴(yán)格的防護(hù)措施,例如利用金屬或?qū)щ姴牧线M(jìn)行封裝,避免放置在易產(chǎn)生靜電的環(huán)境中。二、靜電擊穿的主要形式靜電對(duì)MOS管的損害主要表現(xiàn)為電壓型擊穿和功率型擊穿。電壓型擊穿通常由柵極氧化層針孔造成短路,而功率型擊穿則是由于金屬化膜的熔斷導(dǎo)致開路。當(dāng)前的VMOS管因引入二極管防護(hù)而顯著提高了耐靜電擊穿能力。三、靜電的基本特性及其危害
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        地 址/Address

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