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[常見問題解答]如何優化同步整流電路：器件選擇與設計原則[ 2024-05-15 10:11 ]

一、概述同步整流技術在電力轉換領域，隔離式轉換器經常配備低直流輸出電壓，其核心整流器多采用MOSFET。由于這些設備具備較低的通電損耗，它們能顯著提高能效，因此越來越多地被引入到各種應用中。為實現高效率的電路設計，對同步整流器（SR）進行精確控制是關鍵。該技術通過取代傳統二極管，并采用特定的驅動策略，通常依賴PWM控制信號來調整開關電路的狀態，實現高效整流。二、同步整流中的功率MOS管應用在同步整流應用中，功率MOS管不僅僅是快速恢復二極管的替代品，更是整流功能的執行者。它們通過極低的導通電阻來降低能量消耗，從而提

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[常見問題解答]單片機驅動MOS管：操作失誤與風險解析[ 2024-05-13 10:13 ]

一、控制MOS管的實際應用與風險使用單片機直接控制功率較大的MOS管存在一定風險。通常，MOS管的閾值電壓（Vth）介于2到5伏之間，但對于某些高功率MOS管，Vth可能更高。因此，當單片機供電僅為5V或3.3V時，直接驅動這些MOS管可能導致無法有效控制。為解決這一問題，常采用三極管作為中間控制器，以保證更穩定的控制效果。在單片機輸出高電平時，三極管被激活，導致NMOS的G極呈現低電平狀態，使NMOS處于關閉狀態；反之，當輸出為低電平時，三極管關閉，G極電平升高，NMOS則導通。二、MOS管的基本構成與功能MOS

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[常見問題解答]MOSFET發熱現象深度解析：關鍵技術與防治措施[ 2024-04-11 11:30 ]

在探索電源與驅動設計的深奧世界時，我們不可避免地會遇到場效應管（通稱MOS管）的散熱難題。這些小巧的組件承載著重要的開關功能，卻也隱藏著不容忽視的挑戰。接下來，讓我們深入探討緩解MOS管發熱問題的五種創新技術策略。靈活的電流與電壓調控策略在電源設計的心臟部位，即高壓驅動芯片中，我們遭遇了第一個散熱難關。設想一個簡單場景：一塊芯片，工作在2mA的電流和300V的電壓下，它將產生0.6W的功耗，伴隨而來的就是不期而至的發熱。此時，如果我們通過巧妙調整功率MOS管的電容值、門電壓，以及工作頻率，不僅能夠顯著降低功耗，還能

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[常見問題解答]電路設計，同步整流電路如何設計[ 2024-01-15 18:35 ]

電路設計，同步整流電路如何設計01什么是同步整流同步整流是一種提高電路轉換效率的技術，該技術通常在輸出為低壓大電流的開關電源中使用，因為這種開關電源的整流電路中一旦有非有效壓降存在，對能量的消耗就會比較可觀，源端就需要給出更多的能量來滿足正常輸出。隨著低壓大電流成為一種趨勢，偉大的前輩們發明了同步整流技術——在輸出電路中采用導通電阻極低的****功率mos管替代導通壓降較高的整流二極管，有效提高了電路的轉換效率。02同步整流的代價任何好的轉變都需要付出代價，同步整流電路也不例外。采用功率

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[常見問題解答]功率MOS管的正向截止等效電路與穩態特性介紹[ 2023-08-24 18:26 ]

功率MOSFET的正向截止等效電路與穩態特性介紹功率MOSFET的正向截止等效電路（1）：等效電路（2）：說明：功率 MOSFET 正向截止時可用一電容等效，其容量與所加的正向電壓、環境溫度等有關，大小可從制造商的手冊中獲得。功率MOSFET的穩態特性總結（1）：功率MOSFET 穩態時的電流/電壓曲線（2）：說明：功率 MOSFET 正向飽和導通時的穩態工作點：當門極不加控制時，其反向導通的穩態工作點同二極管。（3）：穩態特性總結：門極與源極間的電壓Vgs 控制器件的導通狀態；當VgsVth時，器件處于導通狀態；

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[常見問題解答]開關MOS的驅動電路解析[ 2023-06-26 18:15 ]

開關MOS的驅動電路解析引言MOSFET因導通內阻低、開關速度快等優點被廣泛應用于開關電源中。MOSFET的驅動常根據電源IC和MOSFET的參數選擇合適的電路。下面介紹了MOSFET用于開關電源的驅動電路。在使用MOS管設計開關電源時，大部分人都會考慮MOS的導通電阻、最大電壓、最大電流，很多人僅僅考慮了這些因素，這樣的電路也許可以正常工作，但并不是一個好的設計方法。作為一個產品設計，功率MOS管還應考慮本身寄生的參數。選定管子之后，對應的驅動電路，以及電源IC驅動腳輸出的峰值電流等，都會影響產品性能。當電源IC

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[常見問題解答]功率Mos管損壞主要原因有哪些[ 2023-02-10 17:34 ]

mos在控制器電路中的工作狀態：開通過程（由截止到導通的過渡過程）、導通狀態、關斷過程（由導通到截止的過渡過程）、截止狀態。Mos主要損耗也對應這幾個狀態，開關損耗（開通過程和關斷過程），導通損耗，截止損耗（漏電流引起的，這個忽略不計），還有雪崩能量損耗。只要把這些損耗控制在mos承受規格之內，mos即會正常工作，超出承受范圍，即發生損壞。而開關損耗往往大于導通狀態損耗，不同mos這個差距可能很大。Mos損壞主要原因：過流----------持續大電流或瞬間超大電流引起的結溫過高而燒毀過壓----------源漏過

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[常見問題解答]4N60場效應MOS管替代FQP4N60型號參數現貨供應廠家[ 2021-08-24 15:01 ]

在國產化的發展進程中，我們更推薦使用優質的壹芯微所生產的4N60型號參數來替代FQP4N60型號，壹芯微4N60場效應管能夠完美匹配原型號FQP4N60場效應管參數，壹芯微這款功率MOS管4N60為N溝道增強型高壓功率MOS場效應管，驅動電路應用4N60廣泛應用于AC-DC開關電源，DC-DC電源轉換器，高壓H橋PMW馬達驅動；在使用方面是匹配型號FQP4N60的國外場效應管。

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[常見問題解答]5N60場效應MOS管參數5A/600V,DC-DC電源轉換器適用[ 2021-08-24 14:39 ]

5N60是一款N溝道增強型高壓功率MOS管，具有600V高壓，可適用在DC-DC電源轉換器上，目前DC-DC轉換器廣泛應用于手機、MP3、數碼相機、便攜式媒體播放器等產品中。

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[常見問題解答]分析MOS場效應管發熱的各種可能因素-壹芯微[ 2021-08-06 16:27 ]

分析MOS場效應管發熱的各種可能因素-壹芯微你了解MOS管發熱嗎？做為一名電源工程師，做電源設計可以說是日常了，提到MOS管的話，一定不陌生。MOS管有很多種類，也有很多作用。做電源或者驅動的使用，當然就是用它的開關作用。接下來我們來了解MOS管發熱四大關鍵技術。一、芯片發熱本次內容主要針對內置電源調制器的高壓驅動芯片。假如芯片消耗的電流為2mA，300V的電壓加在芯片上面，芯片的功耗為0.6W，當然會引起芯片的發熱。驅動芯片的最大電流來自于驅動功率MOS管的消耗，簡單的計算公式為I=cvf(考慮充電的電阻效益，實

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[常見問題解答]萬用表測試場效應MOS管使用及更換方法解析-壹芯微[ 2021-08-05 14:20 ]

萬用表測試場效應MOS管使用及更換方法解析-壹芯微關于MOS管一直是工程師熱衷討論的話題之一，于是我們整理了常見與不常見MOS管的有關知識，希望對各位工程師有所幫助。防靜電保護MOS管屬于絕緣柵場效應管，柵極是無直流通路，輸入阻抗極高，極易引起靜電荷聚集，產生較高的電壓將柵極和源極之間的絕緣層擊穿。早期生產的MOS管大多沒有防靜電措施，所以在保管及應用上要非常小心，特別是功率較小的MOS管，由于功率較小的MOS管輸入電容比較小，接觸到靜電時產生的電壓較高，容易引起靜電擊穿。而近期的增強型大功率MOS管則有比較大的區

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[常見問題解答]怎樣區分場效應管-功率管-特肖基二極管[ 2021-04-14 10:11 ]

怎樣區分場效應管-功率管-特肖基二極管題目中的特肖基二極管的正確說法是肖特基二極管，功率管是一類大功率器件的總稱，是一種統稱，如大功率三極管、大功率二極管、大功率MOS管等。下面介紹一下如何區分場效應管和肖特基二極管。什么是場效應管場效應管是場效應晶體管的簡稱，應為縮寫為FET。場效應管通常分為兩類：1)JFET和MOSFET。這兩類場效應管都是壓控型的器件。場效應管有三個電極，分別為：柵極G、漏極D和源極S。目前MOSFET應用廣泛，JFET相對較少。MOSFET可以分為NMOS和PMOS，下圖是PMOS的結構圖

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[常見問題解答]功率mos管是為何會被燒毀[ 2020-12-28 16:25 ]

功率mos管是為何會被燒毀mos在控制器電路中的工作狀態：開通過程（由截止到導通的過渡過程）、導通狀態、關斷過程（由導通到截止的過渡過程）、截止狀態。Mos主要損耗也對應這幾個狀態，開關損耗（開通過程和關斷過程），導通損耗，截止損耗（漏電流引起的，這個忽略不計），還有雪崩能量損耗。只要把這些損耗控制在mos承受規格之內，mos即會正常工作，超出承受范圍，即發生損壞。而開關損耗往往大于導通狀態損耗，不同mos這個差距可能很大。Mos損壞主要原因：過流----------持續大電流或瞬間超大電流引起的結溫過高而燒毀；過

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[常見問題解答]MOS管保護電路實測以及保護電路解析[ 2020-12-17 15:06 ]

MOS管保護電路實測以及保護電路解析MOS管保護電路實測，分析功率MOS管自身擁有眾多優點，但是MOS管具有較脆弱的承受短時過載能力，特別是在高頻的應用場合，所以在應用功率MOS管對必須為其設計合理的保護電路來提高器件的可靠性。功率MOS管保護電路主要有以下幾個方面：1.防止柵極 di/dt過高：MOS管保護電路實測，分析：由于采用驅動芯片，其輸出阻抗較低，直接驅動功率管會引起驅動的功率管快速的開通和關斷，有可能造成功率管漏源極間的電壓震蕩，或者有可能造成功率管遭受過高的di/dt而引起誤導通。為避免上述現象的發生

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[常見問題解答]MOS管保護電路|MOSFET柵源保護知識普及[ 2020-12-17 14:45 ]

MOS管保護電路|MOSFET柵源保護知識普及MOSFET柵源保護知識MOSFET柵源保護：功率MOS管自身擁有眾多優點，但是MOS管具有較脆弱的承受短時過載能力，特別是在高頻的應用場合，所以在應用功率MOS管對必須為其設計合理的保護電路來提高器件的可靠性。MOSFET柵源保護-功率MOS管保護電路主要有以下幾個方面：1.防止柵極 di/dt 過高由于采用驅動芯片，其輸出阻抗較低，直接驅動功率管會引起驅動的功率管快速的開通和關斷，有可能造成功率管漏源極間的電壓震蕩，或者有可能造成功率管遭受過高的 di/dt 而引起

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[常見問題解答]功率MOS管參數-Vdss的溫度特性詳情解析[ 2020-12-09 16:54 ]

功率MOS管參數-Vdss的溫度特性詳情解析功率MOS管參數-Vdss溫度特性分析由圖可知MOSFET-Vdss耐壓隨溫度升高而增加。為什么MSOFET的VDS耐壓隨溫度升高而增加，即呈現正溫度系數呢？這是半導體硅材料的特性所決定的！MOS管是單子導電機理！載流子只有電子，溫度升高，溝道電阻增加，電子遷移減少，電流變小！故耐壓會增加！MOS管是單子導電機理！載流子只有電子，溝道夾斷，電子無法通過溝道導通，單外延層中低參雜PN結中的電子遷移很小，溫度升高，這種飄移電流變小！故其反向截止的損耗減小，雪崩能量增加，耐壓

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[常見問題解答]MOS管保護措施技術詳情解析[ 2020-11-16 16:24 ]

MOS管保護措施技術詳情解析MOS管保護措施：功率MOS管的SOA曲線雖然功率MOS管有諸多優點,但在電路設計過程中,功率MOS管往往是最容易損壞的元件,要想安全可靠的使用好功率MOS管并不容易,因此功率MOS管的驅動和保護問題是功率器件設計的關鍵。圖1為功率MOS管的安全工作區(SOA)曲線,晶體管的擊穿電壓決定了其最大的漏源電壓VDS ,電遷移限制確定了晶體管的最大漏極電流ID。芯片的最高工作溫度與散熱共同決定了最大的穩態功PD。圖中虛線表示的是SOA邊界,實線顯示了縮小的SOA區域,為該器件的實際情況。從圖中

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[常見問題解答]功率MOS管燒毀的原因分析(米勒效應)[ 2020-10-24 16:27 ]

功率MOS管燒毀的原因分析(米勒效應)Mos在控制器電路中的工作狀態：開通過程（由截止到導通的過渡過程）、導通狀態、關斷過程（由導通到截止的過渡過程）、截止狀態。Mos主要損耗也對應這幾個狀態，開關損耗（開通過程和關斷過程），導通損耗，截止損耗（漏電流引起的，這個忽略不計），還有雪崩能量損耗。只要把這些損耗控制在mos承受規格之內，mos即會正常工作，超出承受范圍，即發生損壞。而開關損耗往往大于導通狀態損耗（不同mos這個差距可能很大。Mos損壞主要原因：過流----------持續大電流或瞬間超大電流引起的結溫過

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[常見問題解答]MOS管G極串聯小電阻的作用和MOS管極的測試步驟[ 2020-09-04 16:29 ]

MOS管G極串聯小電阻的作用和MOS管極的測試步驟在電源電路中，功率MOS管的G極經常會串聯一個小電阻，幾歐姆到幾十歐姆不等，那么這個電阻用什么作用呢？如上圖開關電源，G串聯電阻R13。這個電阻的作用有2個作用：限制G極電流，抑制振蕩。限制G極電流MOS管是由電壓驅動的，是以G級電流很小，但是因為寄生電容的存在，在MOS管打開或關閉的時候，因為要對電容進行充電，所有瞬間電流還是比較大的。特別是在開關電源中，MOS管頻繁的開啟和關閉，那么就要更要考慮這個帶來的影響了。如上圖，MOS管的寄生電容有三個，Cgs，Cgd，

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[常見問題解答]MOS管知識科普-功率mos管為什么會被燒毀詳解[ 2020-09-01 17:50 ]

MOS管知識科普-功率mos管為什么會被燒毀詳解本文主要解析功率mos管為何會被燒毀。mos在控制器電路中的工作狀態：開通過程（由截止到導通的過渡過程）、導通狀態、關斷過程（由導通到截止的過渡過程）、截止狀態。Mos主要損耗也對應這幾個狀態，開關損耗（開通過程和關斷過程），導通損耗，截止損耗（漏電流引起的，這個忽略不計），還有雪崩能量損耗。只要把這些損耗控制在mos承受規格之內，mos即會正常工作，超出承受范圍，即發生損壞。而開關損耗往往大于導通狀態損耗，不同mos這個差距可能很大。Mos損壞主要原因與Mos開關原

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