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        [常見問題解答]為什么MOS管關斷速度比開通速度更重要？[
                                        2025-04-18 10:45
                                        ]
        
                                
        
                                    在許多電路設計中，MOS管的關斷速度比開通速度更為關鍵。雖然兩者看似都對電路的性能和效率有影響，但實際上，關斷速度對整體電路的影響更為深遠。1. 關斷時間與功耗的關系首先，MOS管的開關行為直接影響電路中的功耗。MOS管的開通和關斷過程中，柵極電容的充放電會引起能量損失。雖然開通過程的能量損失較為顯著，但關斷過程中的功耗卻可能導致更長時間的損耗。如果MOS管不能迅速關斷，過長的關斷時間意味著MOS管在電路中保持導通狀態的時間更長，這會增加整個電路的熱損耗，從而降低效率。因此，提高關斷速度是減少功耗的一個有效手段。2
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/wsmmosggds_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [常見問題解答]如何提升關斷速度？深入解讀驅動電路的加速關斷原理[
                                        2024-10-28 14:20
                                        ]
        
                                
        
                                    在高頻電路設計中，提高MOSFET、IGBT等功率器件的關斷速度對于提升電路效率至關重要。快速關斷可以降低功耗，縮短響應時間。以下介紹關斷驅動電路的原理、常用方法和重要設計要點。一、加速關斷驅動電路核心原理關斷時，必須快速放電柵極電荷，使關斷時間盡可能短。MOSFET等功率器件的柵極和源極之間通常存在電容，該電容直接影響充電放電速率。加速關斷電路設計的關鍵點在于快速降低柵源極之間的柵源電壓，通過連接到電源來實現電容器的快速放電過程。典型的加速關斷電路通過將二極管和電阻器與柵極驅動電阻器并聯，以加速電容器放電。二極管
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/rhtsgdsdsr_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [常見問題解答]全橋驅動螺線管技術：提高關斷速度的實用方法[
                                        2024-05-25 09:59
                                        ]
        
                                
        
                                    在實際的電子應用中，電流的關閉時間尤其關鍵，尤其是在需要頻繁切換電源的場合。快速切換不僅挑戰設備的性能，還可能導致電磁干擾和設備磨損。本文深入探討了一些螺線管和閥門驅動的常用技術，以及如何提高其關閉時間的效率。一、驅動螺線管的常見問題及解決方案對于需要高頻率驅動的應用，如點陣打印機頭和汽車的選擇性催化還原系統，驅動頻率的提高常常伴隨著關閉時間的挑戰。螺線管或閥門執行器的關閉時間是關鍵因素，因為電流的變化不是瞬時的，需要通過額外的電路來快速減少電流。例如，使用全橋驅動方式可以顯著提高關閉速度，因為它允許電流在兩個方向
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/qqqdlxgjst_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [常見問題解答]MOS管快速關斷的電路介紹[
                                        2023-04-08 17:14
                                        ]
        
                                
        
                                    MOS管快速關斷的電路介紹一.前言當我們使用MOS管進行一些PWM輸出控制時，由于此時開關頻率比較高，此時就要求我們能更快速的開關MOS管，從理論上說，MOSFET 的關斷速度只取決于柵極驅動電路。當然電流更高的關斷電路可以更快對輸入電容器放電，從而縮短開關時間，進而降低開關損耗。如果使用普通的 N 溝道器件，通過更低輸出阻抗的 MOSFET 驅動器和/或負關斷電壓，可以增大放電電流。提高開關速度也能降低開關損耗，當然由于 MOSFET 的快速關斷也會造成 di/dt 和 dv/dt 更高，因此關斷加速電路會在波形
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/mosgksgddd_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [常見問題解答]IGBT單管與MOS管的區別-MOSFET是MOS嗎[
                                        2020-08-25 15:10
                                        ]
        
                                
        
                                    IGBT單管與MOS管的區別-MOSFET是MOS嗎IGBT在結構上是NPN行MOSFET增加一個P結，即NPNP結構，在原理上是MOS推動的P型BJT；多的這個P層因內有載流子，有電導調制作用，可以使IGBT在跟高電壓和電流下，有很低的壓降，因此IGBT可以做到很高電壓（目前最大6500V），但由于載流子存在，IGBT關斷是電流會拖尾，關斷速度會減低；MOS管就是MOSFET的簡稱了；IGBT和MOS管是全控器件，是電壓型驅動，即通過控制柵極電壓來開通或關斷器件；可控硅是半控器件，電流型驅動，即給柵極通一定的電流
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/igbtdgymos_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [常見問題解答]MOSFET驅動方式詳情[
                                        2019-09-09 12:21
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                                    MOSFET驅動方式：驅動方式是對簡易方式的一種初步改進,它不但能降低TTL器件的功率耗散,也能保證較高的開通速度。驅動方式可進一步改善驅動性能,不但關斷時間可以進一步縮短,開通時間與關斷時間的差別也通過互補電路而消除。同時,在這種驅動方式中的兩個外接晶體管起著射極跟隨器的作用,因而功率MOSFET永遠不會被驅動到飽和區。由于互補方式增加了驅動功率,這種方式更適合于大功率MOSFET的驅動。而這種方式可以產生足夠高的柵壓使器件充分導通,并保證較高的關斷速度。由于外接負載電阻RL須有一定大小,以限制TTL的低電平輸出
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/mosfetqdfs_1.html3星
        
                            
        
                        
                    
                    
                    
                    
        
                    
        
                    
                    
                    
                    
                
        
            
        
        
        
        
        
            
        
        
        
        
        
        
    
        
    
    
    

        
    
        
        
        
        
        
            
        
                地 址/Address
        
            
        
                工廠地址：安徽省六安市金寨產業園區
                
        
                深圳辦事處地址：深圳市福田區寶華大廈A1428
        
                中山辦事處地址：中山市古鎮長安燈飾配件城C棟11卡
        
                杭州辦事處：杭州市西湖區文三西路118號杭州電子商務大廈6層B座
        
                電話：13534146615
                企業QQ：2881579535
            
        
        
        
        
        
            
        
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