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您好!歡迎光臨壹芯微科技品牌官網(wǎng)極性:NPNPCN(mw)功率:225mwlc(mA)電流:600mABVCBO(V)集電極-基極電壓:160VBVCEO(V)集電極-發(fā)射極電壓:140VBVEBO(V)發(fā)射極-基極電壓:6VhFE(min)最小放大倍數(shù):60hFE(max)最大放大倍數(shù):250hFEVce(v)集電極與發(fā)射極電壓:5VhFElc(mA)集電極電流:10mAVCE(Sat)V集電極-發(fā)射極飽和電壓:5VVCE(Sat)lc(mA)電極電流:10mAlB(mA)基極電流:1mAFt(MHZ)頻率:MHZ
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一、應(yīng)用場景:
1. 通信設(shè)備:MMBT5550 在通信設(shè)備中用于放大信號和控制電路。例如,在無線基站和路由器中,可以用作射頻放大器的關(guān)鍵組成部分。
2. 數(shù)字電路:在數(shù)字電路中,MMBT5550 常被用作開關(guān)元件,用于控制電路的通斷狀態(tài),例如在計算機主板和嵌入式系統(tǒng)中。
3. 電源管理:在電源管理電路中,MMBT5550 可以作為穩(wěn)壓器的關(guān)鍵組成部分,幫助實現(xiàn)穩(wěn)定的電壓輸出,例如在電源適配器和充電器中。
二、參數(shù)特點:
1. 高頻特性: MMBT5550 具有優(yōu)良的高頻特性,適用于需要高頻放大的電路設(shè)計。
2. 低噪聲:在放大電路中,MMBT5550 的低噪聲特性可以保證信號的清晰度和準(zhǔn)確性。
3. 小封裝:由于其小型的SOT-23封裝,MMBT5550 在集成度較高的電路板設(shè)計中可以節(jié)省空間。
4. 低功耗:MMBT5550 的低功耗特性使其適用于對能耗有嚴(yán)格要求的電子設(shè)備。
5. 可靠性:作為一款經(jīng)過廣泛驗證的晶體管型號,MMBT5550 具有較高的可靠性和穩(wěn)定性,在各種工作條件下都能表現(xiàn)出良好的性能。
綜上所述,MMBT5550 作為一款常見的NPN型三極晶體管,在放大電路、開關(guān)電路和穩(wěn)壓器等方面都有著廣泛的應(yīng)用,并且具有高頻特性、低噪聲、小封裝、低功耗和可靠性等一系列優(yōu)秀的參數(shù)特點。
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