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        MOS管場效應管AO4459參數

        標準包裝3,000
        包裝標準卷帶
        零件狀態在售
        類別分立半導體產品
        產品族晶體管 - FET,MOSFET - 單
        FET 類型P 溝道
        技術MOSFET(金屬氧化物)
        漏源電壓(Vdss)30V
        電流 - 連續漏極(Id)25°C時6.5A(Ta)
        驅動電壓最 Rds On最小Rds On4.5V,10V
        不同Id,Vgs 時的 Rds On最大值46 毫歐 @ 6.5A,10V
        不同 Id 時的 Vgs(th)最大值2.5V @ 250µA
        不同 Vgs時的柵極電荷Qg最大值16nC @ 10V
        Vgs(最大值)±20V
        不同Vds時的輸入電容Ciss最大值830pF @ 15V
        功率耗散(最大值)3.1W(Ta)
        工作溫度-55°C ~ 150°C(TJ)
        安裝類型表面貼裝
        供應商器件封裝8-SOIC
        封裝/外殼8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
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          AO4459是一款P溝道增強型MOSFET,廣泛應用于高效開關電源、電池供電設備以及各種需要電源管理的電子系統。由于其優異的電氣特性和緊湊的設計,AO4459適用于需要高能效和可靠性的應用。

          一、應用場景

          1.負載開關:AO4459廣泛應用于負載智能家居和家用電器,精確控制功耗。您可以在省電模式下降低待機功耗并延長設備的電池壽命。

          2.電源管理:AO4459適用于電池供電的設備,可有效管理電源路徑和電池切換,確保設備獲得穩定的供電,整體電池可以提高使用效率。

          3.DC-DC轉換器:在DC-DC轉換電路中,AO4459具有高效的電源轉換功能,在各種電壓、電流條件下都能穩定工作。非常適合調整功率和電壓核心。

          4.電機控制:AO4459廣泛用于小型電動工具和家用電器的電機驅動控制。穩定的電流和電壓控制使電機平穩啟動和停止,保證設備的使用壽命和性能穩定性。

          5.反向電流保護:在某些應用中,AO4459用作反向電流保護器件,防止電路中反向電流連接或反向電流造成的設備損壞,確保系統安全穩定。

          二、參數特點

          - 低導通電阻:AO4459具有低導通電阻,減少了導通時的功率損耗,提高了電路的整體能效。非常適合控制功率損耗。

          - 高電流容量:AO4459具有高電流容量,最大連續漏電流可達50A電流負載,保證器件在高負載條件下穩定工作。

          - 工作電壓范圍寬:AO4459工作電壓范圍寬,可工作于-20V至+55V,使其適合多種電源系統,增加設計靈活性,可適應不同的電源系統電壓要求。

          - 開關速度快:AO4459的開關速度非常快,可以有效支持高速運行,特別是在需要頻繁開關的電路中,有助于提高響應速度和效率。

          - 小型封裝:AO4459采用小型封裝,有助于集成到空間受限的 PCB 中。其緊湊的設計為小型設備提供了便利,同時減少了 PCB 空間要求并提高了設計靈活性。

          總的來說,AO4459的低導通電阻、高電流容量、寬工作電壓范圍和快速開關速度使其成為高性能電子產品的理想選擇。小封裝器件用于負載開關和電源管理,非常適合DC-DC轉換、電機驅動和反向電流保護等應用,并有力地支持提高整體設備性能和優化能源效率。因此,AO4459廣泛應用于各種需要高效、穩定、可靠性能的場景,是現代電子設計中必不可少的高品質元件。

          地 址/Address

          工廠地址:安徽省六安市金寨產業園區
          深圳辦事處地址:深圳市福田區寶華大廈A1428
          中山辦事處地址:中山市古鎮長安燈飾配件城C棟11卡
          杭州辦事處:杭州市西湖區文三西路118號杭州電子商務大廈6層B座
          電話:13534146615 企業QQ:2881579535

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