在電子設計和維修過程中，判斷MOSFET是否損壞是保障電路穩定運行的關鍵環節。無論是在電源模塊、驅動板還是控制單元中，一顆異常的MOSFET都可能引發整個系統癱瘓。

一、引腳間靜態電阻測試

最基礎的判別方式是利用數字萬用表的電阻擋，分別測量三極之間的電阻值，主要集中在漏極-源極、柵極-源極及柵極-漏極之間。在未加柵壓的情況下，漏-源間應顯示高阻或無窮大，如果測得為低阻或短路狀態，說明管子可能擊穿。柵極與其它兩個引腳間也應呈現為高阻狀態，若電阻顯著偏低，則存在內部泄漏或柵極穿通問題。

二、導通控制能力驗證

通過在柵極與源極之間施加一個適當的電壓（一般為5V~10V），觀察漏極與源極是否形成導通狀態。正常情況下，通電后漏極對源極應呈現為低阻導通狀態；撤去柵壓則重新恢復高阻斷態。若無法完成導通與關斷的切換，或出現反應遲鈍、狀態異常，說明MOSFET驅動性能可能退化。

三、漏電流靜態檢測

在不施加柵壓的前提下，測量漏極與源極之間的漏電流是否異常，是判斷MOSFET是否存在泄漏的有效方式。可以使用高精度微安表串接于漏極與負載之間進行測試。如果關斷狀態下仍存在可觀電流流動，說明器件內部已出現漏電現象，不適合繼續使用。

四、柵極電壓閾值測試

柵極驅動電壓的開啟門檻，稱為閾值電壓，是判斷MOSFET是否能在預期驅動條件下工作的關鍵參數。測試時將源極接地，緩慢提升柵壓，同時監測漏極電流的起始變化點。一般當漏極電流明顯增加時所對應的柵壓，即可視為開啟電壓。如果此電壓值明顯偏離產品規格，可能表明器件老化或參數飄移。

五、動態開關性能測試

在實際應用中，MOSFET是否能快速響應高頻開關信號尤為關鍵。此時可使用函數信號源和示波器配合測試，通過向柵極施加高低電平方波信號，并監測漏極輸出波形的變化。觀察開通與關斷時間、邊沿陡度以及波形完整性等，可有效評估MOSFET在實際電路中的工作能力。若響應遲鈍或出現過沖、延遲等問題，需謹慎使用。

以上五種測試方式從靜態判斷到動態響應，涵蓋了MOSFET最核心的性能指標。在初步檢測中，萬用表可快速篩查短路、漏電等問題，而在更深入的應用層面，動態測試和閾值電壓測試能更準確反映器件狀態。掌握這些檢測技巧，有助于工程師在開發、調試或維修過程中迅速定位故障器件，提高整體系統的可靠性與穩定性。