一、二極管恢復曲線和特性測試電路

二極管的特性是通過嚴密的測試電路得出的。這些測試揭示了二極管在不同情況下的反向恢復過程和波形特性，這對理解其在電路中的作用至關重要。

二、寄生二極管的由來與結構差異

寄生二極管的存在主要是由于生產工藝的差異。在高功率的MOSFET中，由于漏極是從硅片底部引出的，自然形成了這種二極管。而小功率的MOSFET，如集成芯片中所用的，通常采用平面結構，漏極從硅片上方引出，與源極在同一方向，因此不存在寄生二極管。在IC中，不同類型的MOSFET（N型和P型）的襯底連接方式也會影響寄生二極管的存在與否。

三、溝槽Trench型N溝道增強型功率MOSFET的結構解析

在N溝道增強型功率MOSFET的溝槽型結構中，通過先進的刻蝕技術和自對準工藝，形成了具有高效導電路徑的特殊結構。這種結構不僅提高了器件的導電效率，還在其側壁形成了有效的P基區，這一新型結構在技術上具有重要意義。

四、寄生二極管的功能與電路保護

寄生二極管的主要功能是在電路中承擔保護角色。當電路意外產生大量瞬間反向電流時，寄生二極管能有效導出這些電流，保護MOSFET不被損壞。這一特性是其在高壓電路中不可或缺的安全特性。

五、LLC半橋諧振變換器及其電路行為

LLC半橋諧振變換器在不同模態下的電壓增益和工作波形是理解其性能的關鍵。通過詳細分析其在ZVS和ZCS狀態下的模態切換，以及在不同負載條件下的輸出波形，可以深入理解這種高效變換器的動態行為和優化策略。