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        [常見問題解答]基于非對稱瞬態抑制技術的SiC MOSFET門極保護全新解決方案[ 2025-04-12 11:34 ]
        在功率電子設計領域,隨著SiC MOSFET器件的快速普及,如何有效保障其門極的安全,已成為工程師們關注的重點問題。尤其在高壓、大功率及高頻應用場景下,門極易受到電源瞬態、電磁干擾及負載切換等因素的威脅。針對這一痛點,近年來非對稱瞬態抑制(TVS)技術的出現,為SiC MOSFET門極的可靠保護提供了全新的解決思路。一、為何SiC MOSFET門極需要特殊保護?SiC MOSFET相比傳統硅器件,具備開關速度更快、耐壓能力更高、導通損耗更低等優勢,但這也帶來了門極易受干擾的設計挑戰。特別是在實際應用中,門極信號線往
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