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[常見問題解答]靜態(tài)特性對比分析：Si與SiC MOSFET在參數(shù)表現(xiàn)上的差異[ 2025-04-19 11:35 ]: 在當(dāng)今高性能電力電子領(lǐng)域，MOSFET被廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電機(jī)控制和功率變換系統(tǒng)中。隨著對高效率、高電壓能力的需求不斷增長，基于碳化硅材料（SiC）的MOSFET逐步進(jìn)入工業(yè)和商用市場，成為傳統(tǒng)硅基MOSFET（Si MOSFET）的有力替代者。1. 開啟閾值電壓 Vth 的比較在柵極驅(qū)動控制方面，MOSFET的開啟閾值電壓起著至關(guān)重要的作用。通常，Si MOSFET的Vth范圍集中在2V到4V之間，而SiC MOSFET則略高，普遍在3V到5V之間。這意味著SiC器件在驅(qū)動電路設(shè)計上更傾向于使用高壓柵極驅(qū)動信號; http://www.kannic.com/Article/jttxdbfxsi_1.html

[常見問題解答]SiC MOSFET柵極氧化層老化機(jī)制與評估方法解析[ 2025-04-07 11:17 ]: 隨著碳化硅（SiC）器件在高壓、高溫和高頻電力轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的逐步普及，其可靠性研究成為保障系統(tǒng)穩(wěn)定運(yùn)行的重要環(huán)節(jié)。作為SiC MOSFET核心結(jié)構(gòu)之一的柵極氧化層，其老化機(jī)制直接影響整個器件的電氣性能與壽命預(yù)期。因此，深入理解其老化過程，并構(gòu)建科學(xué)合理的評估體系，對實現(xiàn)器件可靠性管理具有重要價值。一、柵極氧化層的老化機(jī)制剖析SiC MOSFET通常采用熱氧化方式形成的二氧化硅（SiO?）作為柵氧材料。相比硅MOSFET，SiC器件在高電場與高溫環(huán)境下工作更為頻繁，因此其柵氧層在長期應(yīng)力作用下易出現(xiàn)退化現(xiàn)象。柵氧層老化主; http://www.kannic.com/Article/sicmosfetz_1.html

[常見問題解答]突破性SiC失效檢測方案：如何精準(zhǔn)定位故障根源[ 2024-12-13 11:39 ]: 隨著功率半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展，碳化硅（SiC）材料以其優(yōu)異的電性能、耐高溫、耐輻射等優(yōu)點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于現(xiàn)代能源、汽車、通信等領(lǐng)域。對于高功率和高頻應(yīng)用，SiC器件顯示出顯著的優(yōu)勢。然而，SiC器件在高電壓、大電流等極端工作條件下的失效問題仍然是亟待解決的問題，其根本原因已成為半導(dǎo)體行業(yè)的重要研究課題。二、SiC器件的故障特征SiC作為第三代半導(dǎo)體材料，與傳統(tǒng)硅相比具有顯著改進(jìn)。它更大的帶隙使其能夠在更高的電壓和溫度下工作，而更高的導(dǎo)熱率使其能夠承受更大的熱應(yīng)力。然而，高溫和頻繁開關(guān)使SiC器件容易出現(xiàn)故障、過熱等問題; http://www.kannic.com/Article/tpxsicsxjc_1.html

[常見問題解答]SiC器件開關(guān)性能受系統(tǒng)寄生參數(shù)影響的深入探討[ 2024-09-04 14:36 ]: 隨著碳化硅（SiC）技術(shù)的不斷成熟和推廣，其在高壓電力電子設(shè)備中的應(yīng)用日益增加。SiC器件因其能在高溫、高壓和高頻率條件下工作而受到青睞。然而，系統(tǒng)內(nèi)部的寄生參數(shù)，如寄生電容和寄生電感，對SiC器件的開關(guān)性能有著顯著影響。本文通過詳細(xì)分析，探討這些系統(tǒng)寄生參數(shù)是如何影響SiC器件的性能，尤其是在開關(guān)操作中的具體表現(xiàn)。一、寄生電感的影響在電力電子轉(zhuǎn)換系統(tǒng)中，寄生電感主要來源于電連接和布線。在SiC MOSFETs和二極管開關(guān)時，寄生電感可以引起顯著的電壓超調(diào)，從而對器件造成額外的電壓應(yīng)力。當(dāng)開關(guān)器件嘗試快速切換時，這; http://www.kannic.com/Article/sicqjkgxns_1.html

[常見問題解答]深入探討：碳化硅在先進(jìn)電子設(shè)備中的關(guān)鍵作用[ 2024-07-30 12:11 ]: 1. 碳化硅MOSFET的驅(qū)動門極電壓與導(dǎo)通電阻之謎研究表明，SiC MOSFET的漂移層阻抗遠(yuǎn)低于Si MOSFET，但其溝道遷移率較低，導(dǎo)致阻抗略高。因此，提升門極電壓有助于降低導(dǎo)通電阻。使用Vgs=18V的驅(qū)動電壓，可以最大化其低導(dǎo)通電阻的性能，推薦負(fù)壓設(shè)置為約-3。此外，市場上已有Vgs=15V和預(yù)計將推出Vgs=12V的碳化硅MOSFET，旨在與硅基器件的驅(qū)動電壓統(tǒng)一。2. SiC器件與傳統(tǒng)硅器件的對比SiC器件的絕緣擊穿場強(qiáng)是Si的10倍，允許使用更薄的漂移層來實現(xiàn)高耐壓。因此，在相同耐壓下，SiC的標(biāo); http://www.kannic.com/Article/srttthgzxj_1.html

[常見問題解答]SiC肖特基二級管在充電機(jī)電路中的應(yīng)用介紹[ 2023-06-30 18:04 ]: 車載充電機(jī)是電動汽車內(nèi)部的核心部件，其功能是按照電池管理系統(tǒng)的指令，動態(tài)調(diào)節(jié)充電電流和電壓參數(shù)，完成電動汽車的充電過程。作為一款電力電子設(shè)備，車載充電機(jī)功率電路主要由AC-DC和DC-DC電路組成。車載充電機(jī)充電框圖隨著電動汽車技術(shù)的不斷發(fā)展和人們?nèi)找嬖鲩L的充電效率需求，車載充電機(jī)的性能也在不斷地提升。傳統(tǒng)的Si器件由于其耐壓和開關(guān)頻率的限制，已經(jīng)不能滿足車載充電機(jī)日益增長的性能需求。而高耐壓、低損耗且具有高速開關(guān)特性的SiC器件，正逐步取代Si器件成為車載充電機(jī)的主流應(yīng)用。下面我們以6.6kW車載充電機(jī)為例，介; http://www.kannic.com/Article/sicxtjejgz_1.html

[常見問題解答]提高4H-SiC肖特基二極管和MOSFET的雪崩耐受性[ 2021-01-12 17:41 ]: 提高4H-SiC肖特基二極管和MOSFET的雪崩耐受性半導(dǎo)體市場的最新趨勢是廣泛采用碳化硅（SiC）器件，包括用于工業(yè)和汽車應(yīng)用的肖特基勢壘二極管（SBD）和功率MOSFET。與此同時，由于可供分析的現(xiàn)場數(shù)據(jù)有限，這些器件的長期可靠性成為一個需要解決的熱點(diǎn)問題。一些SiC供應(yīng)商已開始根據(jù)嚴(yán)格的工業(yè)和汽車（AEC-Q101）標(biāo)準(zhǔn)來認(rèn)證SiC器件，而另一些供應(yīng)商不但超出了這些認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)的要求，還能為惡劣環(huán)境耐受性測試提供數(shù)據(jù)。為了使SiC器件在任務(wù)和安全關(guān)鍵型應(yīng)用中保持較高的普及率，應(yīng)將這種認(rèn)證和測試策略與特定的設(shè)計規(guī)則; http://www.kannic.com/Article/tg4hsicxtj_1.html

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