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        [常見問題解答]MOS管知識-mosfet體效應(襯偏效應)分析[ 2020-12-04 16:51 ]
        MOS管知識-mosfet體效應(襯偏效應)詳解mosfet體效應(襯偏效應)詳解關于MOSFET的體效應(body-effect,襯底調制效應/襯偏效應),主要是來源于mos管的S-B(Source-Bulk)端之間的偏壓對MOSFET閾值電壓vth的影響:以NMOS為例,當晶體管的源端(Source)電勢高于體端(Bulk)電勢時,柵下面的表面層中將有更多的空穴被吸引到襯底,使耗盡層中留下的不能移動的負離子增多,耗盡層寬度增加,耗盡層中的體電荷面密度Qdep也增加。而從一般的MOSFET的閾值電壓的關系式中Vt
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