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        [常見問題解答]MOSFET電路設計：柵源極并聯電容導致炸管的機理探討[
                                        2024-11-16 11:10
                                        ]
        
                                
        
                                    在MOSFET電路設計中，柵極和源極之間的并聯電容通常被認為是降低柵極信號峰值的優化方法。但根據實際應用情況，可能會出現MOSFET管爆炸的情況。為什么小電容會導致MOSFET管爆炸呢？本文將詳細探討這一現象的本質機理。一、柵源并聯電容的常見用途在MOSFET電路中，柵極和源極之間并聯電容的主要目的是穩定柵極信號，特別是減少噪聲干擾和高頻振蕩。該電容通常用于以下場景：1. 降低柵極驅動的高頻噪聲，保證驅動電路阻抗變化引起的信號完整性。2. 提高MOSFET的抗干擾能力，特別是在開關頻率較高的電路中。雖然這種設計在許
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/mosfetdlsj_1.html3星
        
                            
        
                        
                    
                    
                    
                    
        
                    
        
                    
                    
                    
                    
                
        
            
        
        
        
        
        
            
        
        
        
        
        
        
    
        
    
    
    

        
    
        
        
        
        
        
            
        
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