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        [常見問題解答]MOSFET電路設計：柵源極并聯電容導致炸管的機理探討[
                                        2024-11-16 11:10
                                        ]
        
                                
        
                                    在MOSFET電路設計中，柵極和源極之間的并聯電容通常被認為是降低柵極信號峰值的優化方法。但根據實際應用情況，可能會出現MOSFET管爆炸的情況。為什么小電容會導致MOSFET管爆炸呢？本文將詳細探討這一現象的本質機理。一、柵源并聯電容的常見用途在MOSFET電路中，柵極和源極之間并聯電容的主要目的是穩定柵極信號，特別是減少噪聲干擾和高頻振蕩。該電容通常用于以下場景：1. 降低柵極驅動的高頻噪聲，保證驅動電路阻抗變化引起的信號完整性。2. 提高MOSFET的抗干擾能力，特別是在開關頻率較高的電路中。雖然這種設計在許
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/mosfetdlsj_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [常見問題解答]場效應管源極和漏極的區別[
                                        2024-03-12 18:43
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                                    場效應管源極和漏極的區別漏極外接二極管（Drain-Source Diode，簡稱D-S二極管）在MOSFET電路中起到了重要的作用，本文將介紹MOSFET源極和漏極之間的區別。首先，讓我們一起了解一下MOSFET的基本結構。MOSFET是金屬-氧化物-半導體場效應晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）的簡稱。它由一個絕緣層上方的金屬接電極（Gate極）、一個隔離的絕緣層和P型或N型的半導體材料組成。這兩個區域分別稱為漏區（Drain Regio
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/cxygyjhljd_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [常見問題解答]MOSFET電路圖文介紹[
                                        2023-06-09 17:43
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                                    MOSFET電路圖文介紹MOSFET已成為最常用的三端器件，它們非常小，制造過程非常簡單。由于MOSFET的特性，模擬電路和數字電路都成功地實現了集成電路，MOSFET電路可以從大信號模型小信號模型兩種方式進行分析。大信號模型是非線性的。它用于求解器件電流和電壓的de值。小信號模型可以在大信號模型線性化的基礎上推導出來。截止區、三極管區和飽和區是MOSFET的三個工作區。當柵源電壓(VGS)小于閾值電壓(Vtn)時，器件處于截止區。當MOSFET用作放大器時，它工作在飽和區。用作開關時處于三極管或截止區。01MOS
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/mosfetdltw_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [常見問題解答]MOSFET電路類型集合與特性分析[
                                        2019-10-12 12:32
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                                    已成為最常用的三端子器件的MOSFET帶來了電子電路領域的革命。如果沒有MOSFET，現在集成電路的設計似乎是不可能的。它們非常小，制造過程非常簡單。由于MOSFET的特性，成功完成了模擬和數字電路集成電路的實現，可以通過兩種方式分析MOSFET電路 - 大信號模型小信號模型。大信號模型是非線性的。它用于求解器件電流和電壓的de值。可以基于大信號模型的線性化導出小信號模型。截止區域，三極管區域和飽和區域這些是操作MOSFET的三個區域。當柵極 - 源極電壓（V GS）小于閾值電壓（V tn）時，器件處于截止區域。當
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/mosfetdllx_1.html3星
        
                            
        
                        
                    
                    
                    
                    
        
                    
        
                    
                    
                    
                    
                
        
            
        
        
        
        
        
            
        
        
        
        
        
        
    
        
    
    
    

        
    
        
        
        
        
        
            
        
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