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        [常見問題解答]要怎么降低mosfet導通壓降-降低高壓MOSFET導通電阻原理以及方法[
                                        2020-12-04 17:04
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                                    要怎么降低mosfet導通壓降-降低高壓MOSFET導通電阻原理以及方法MOS管如何把MOS管導通時電壓降控制在最小如何降低mosfet導通壓降，Rds（on）是MOS管導通時，D極和S極之間的內生電阻，它的存在會產生壓降，所以越小越好。D極與S極間電流Id最大時完全導通。在圖中可以看到Vgs=10v完全導通，電阻Rds=5歐左右，電流Id=500mA（最大，完全導通），產生壓降Vds=2.5v。而Vgs=4.5v時，Id=75mA（不是最大，沒完全導通），Rds=5.3歐左右，雖然沒完全導通，但產生的壓降Vds=
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/yzmjdmosfe_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [常見問題解答]淺談碳化硅mosfet驅動和硅IGBT的區別-應用與分類[
                                        2020-08-31 15:07
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                                    淺談碳化硅mosfet驅動和硅IGBT的區別-應用與分類 碳化硅mosfet本文主要講硅IGBT與碳化硅MOSFET驅動的區別。我們先來看看碳化硅mosfet概述：在SiC MOSFET的開發與應用方面，與相同功率等級的Si MOSFET相比，SiC MOSFET導通電阻、開關損耗大幅降低，適用于更高的工作頻率，另由于其高溫工作特性，大大提高了高溫穩定性。碳化硅mosfet驅動與硅IGBT的區別硅IGBT與碳化硅MOSFET驅動兩者電氣參數特性差別較大，碳化硅MOSFET對于驅動的要求也不同于傳統硅器件，
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/qtthgmosfe_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [常見問題解答]一種智能的碳化硅MOSFET驅動核和驅動要求與特性詳解[
                                        2020-08-28 16:08
                                        ]
        
                                
        
                                    一種智能的碳化硅MOSFET驅動核和驅動要求與特性詳解碳化硅mosfet是什么在SiC MOSFET的開發與應用方面，與相同功率等級的Si MOSFET相比，SiC MOSFET導通電阻、開關損耗大幅降低，適用于更高的工作頻率，另由于其高溫工作特性，大大提高了高溫穩定性。一種智能的碳化硅MOSFET驅動核詳解近年來，以碳化硅、氮化鎵材料為代表的第三代寬禁帶功率半導體器件越來越受到客戶的追捧。特別是碳化硅材料的MOSFET、肖特基二極管，以其寬帶隙，高電場強度，良好散熱特性，以及高可靠性等特點，為客戶的產品帶來高效率
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/yzzndthgmo_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [常見問題解答]MOSFET導通電阻Rds(ON)及VGS-結溫-耐壓的關系解析[
                                        2020-04-07 15:30
                                        ]
        
                                
        
                                    MOSFET導通電阻Rds(ON)及VGS-結溫-耐壓的關系解析導通電阻Rds(ON)是場效應管（MOSFET）的一項重要參數，mos管在越來越多的新能源和汽車電子應用中，都能發現MOSFET的身影，而且很多應用要求超低導通電阻的MOSFET功率器件。什么是Rds(ON)？Rds(ON)是MOSFET工作（啟動）時，漏極D和源極S之間的電阻值，單位是歐姆。對于同類MOSFET器件，Rds(ON)數值越小，工作時的損耗（功率損耗）就越小。mos管工作電路對于一般晶體管，消耗功率用集電極飽和電壓（VCE(sat)）乘以
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/mosfetdtdz_1.html3星
        
                            
        
                        
                    
                    
                    
                    
        
                    
        
                    
                    
                    
                    
                
        
            
        
        
        
        
        
            
        
        
        
        
        
        
    
        
    
    
    

        
    
        
        
        
        
        
            
        
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                工廠地址：安徽省六安市金寨產業園區
                
        
                深圳辦事處地址：深圳市福田區寶華大廈A1428
        
                中山辦事處地址：中山市古鎮長安燈飾配件城C棟11卡
        
                杭州辦事處：杭州市西湖區文三西路118號杭州電子商務大廈6層B座
        
                電話：13534146615
                企業QQ：2881579535
            
        
        
        
        
        
            
        
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