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        [常見問題解答]GaN MOS驅動電路設計要點與實戰技巧[
                                        2025-04-12 10:40
                                        ]
        
                                
        
                                    隨著氮化鎵（GaN）MOSFET器件在電力電子和高頻開關電源領域的廣泛應用，其驅動電路的設計逐漸成為工程開發中的關鍵技術之一。得益于GaN器件高開關速度、低損耗和高電壓承受能力的特性，合理而高效的驅動設計不僅直接影響電路性能，還決定了系統穩定性和使用壽命。一、驅動GaN MOS管的核心設計挑戰氮化鎵MOS管雖然性能優越，但與傳統硅MOS相比，其在驅動環節存在顯著差異。以下幾點是GaN驅動設計時常見且必須重點關注的技術難題：1. 柵極耐壓低GaN MOS柵極耐壓普遍只有6V~10V，遠低于Si MOS。因此，驅動電壓
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/ganmosqddl_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [常見問題解答]MOS管高端驅動電路及調壓電路介紹[
                                        2023-03-19 16:08
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                                    MOS管高端驅動電路及調壓電路介紹MOS驅動，有幾個特別的需求這就提出一個要求，需要使用一個電路，讓低壓側能夠有效的控制高壓側的MOS管，同時高壓側的MOS管也同樣會面對1和2中提到的問題。在這三種情況下，圖騰柱結構無法滿足輸出要求，而很多現成的MOS驅動IC，似乎也沒有包含gate電壓限制的結構。于是有了一個相對通用的電路來滿足這三種需求。電路圖如下：圖1 用于NMOS的驅動電路圖2 用于PMOS的驅動電路這里我只針對NMOS驅動電路做一個簡單分析：Vl和Vh分別是低端和高端的電源，兩個電壓可以是相同的，但是Vl
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/mosggdqddl_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [常見問題解答]MOS場效應管驅動電路解析 - 壹芯微[
                                        2021-09-18 12:22
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                                    MOS場效應管驅動電路解析 - 壹芯微利用MOS管設計開關電源或者馬達驅動電路的時候，都會考慮MOS管的導通電阻、最大電壓、最大電流等，也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也許是可以工作的，但并不是優秀的，作為正式的產品設計也是不允許的。下面是我對MOS及MOS驅動電路基礎的一點總結，其中參考了一些資料，并非原創。包括MOS管的介紹、特性、驅動以及應用電路。MOSFET管FET的一種（另一種是JEFT），可以被制造成增強型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，但實際應用的只有增強型的N溝道MOS管和增強型的P溝道M
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/moscxygqddljx_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [行業資訊]「IRF3205」場效應MOS管驅動原理解析(圖) - 壹芯微[
                                        2021-07-28 09:20
                                        ]
        
                                
        
                                    「IRF3205」場效應MOS管驅動原理解析(圖) - 壹芯微型號：IRF3205(110A,55V)封裝：TO-220/TO-262/TO-263品牌：壹芯微|類型：場效應管MOSFET多種封裝 尺寸不同 參數一致 免費樣品 歡迎咨詢下圖為MOS驅動電路的電路圖。驅動電路采用Totem輸出結構設計，上拉驅動管為NMOS管N4、晶體管Q1和PMOS管P5。下拉驅動管為NMOS管N5。圖中CL為負載電容，Cpar為B點的寄生電容。虛線框內的電路為自舉升壓電路。驅動電路的設計思想是利用自舉升壓結構將上拉驅動管N4的柵極
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/irf3205cxygq_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [常見問題解答]MOS管驅動電路-詳解MOS管及MOS管驅動電路之間的聯系[
                                        2020-06-26 16:25
                                        ]
        
                                
        
                                    MOS管驅動電路-詳解MOS管及MOS管驅動電路之間的聯系在使用MOS管設計開關電源或者馬達驅動電路的時候，大部分人都會考慮MOS管的導通電阻、最大電壓、最大電流等，也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也許是可以工作的，但并不是優秀的，作為正式的產品設計也是不允許的。下面是我對MOS及MOS驅動電路基礎的一點總結，其中參考了一些資料。包括MOS管的介紹、特性、驅動以及應用電路。MOSFET管FET的一種(另一種是JEFT)，可以被制造成增強型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，但實際應用的只有增強型的N溝道MOS
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/mosgqddlxj_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [常見問題解答]MOS管電路圖設計-MOS管工作原理分析與作用[
                                        2019-09-04 14:44
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                                    MOS管電路圖電路圖如下：用于NMOS的驅動電路用于PMOS的驅動電路這里只針對NMOS驅動電路做一個簡單分析：Vl和Vh分別是低端和高端的電源，兩個電壓可以是相同的，但是Vl不應該超過Vh。Q1和Q2組成了一個反置的圖騰柱，用來實現隔離，同時確保兩只驅動管Q3和Q4不會同時導通。R2和R3提供了PWM電壓基準，通過改變這個基準，可以讓電路工作在PWM信號波形比較陡直的位置。Q3和Q4用來提供驅動電流，由于導通的時候，Q3和Q4相對Vh和GND最低都只有一個Vce的壓降，這個壓降通常只有0.3V左右，大大低于0.7
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/mosgdltsjm_1.html3星
        
                            
        
                        
                    
                    
                    
                    
        
                    
        
                    
                    
                    
                    
                
        
            
        
        
        
        
        
            
        
        
        
        
        
        
    
        
    
    
    

        
    
        
        
        
        
        
            
        
                地 址/Address
        
            
        
                工廠地址：安徽省六安市金寨產業園區
                
        
                深圳辦事處地址：深圳市福田區寶華大廈A1428
        
                中山辦事處地址：中山市古鎮長安燈飾配件城C棟11卡
        
                杭州辦事處：杭州市西湖區文三西路118號杭州電子商務大廈6層B座
        
                電話：13534146615
                企業QQ：2881579535
            
        
        
        
        
        
            
        
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