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        [常見問題解答]分析短溝道效應(yīng)-MOSFET的短溝道效應(yīng)知識[ 2020-11-10 16:57 ]
        分析短溝道效應(yīng)-MOSFET的短溝道效應(yīng)知識MOSFET的短溝道效應(yīng)當(dāng)MOS晶體管的溝道長度小到可以和漏結(jié)及源結(jié)的耗盡層厚度相比擬時,會出現(xiàn)一些不同于長溝道MOS管特性的現(xiàn)象,統(tǒng)稱為短溝道效應(yīng),它們歸因于在溝道區(qū)出現(xiàn)二維的電勢分布以及高電場。MOSFET的短溝道效應(yīng):當(dāng)溝道區(qū)的摻雜濃度分布一定時,如果溝道長度縮短,源結(jié)與漏結(jié)耗盡層的厚度可與溝道長度比擬時,溝道區(qū)的電勢分布將不僅與由柵電壓及襯底偏置電壓決定的縱向電場有關(guān),而且與由漏極電壓控制的橫向電場也有關(guān)。換句話說,此時緩變溝道近似不再成立。這個二維電勢分布會導(dǎo)致
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