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[常見問(wèn)題解答]MOS管過(guò)熱問(wèn)題解析：散熱設(shè)計(jì)與驅(qū)動(dòng)波形優(yōu)化全攻略[ 2025-03-15 11:20 ]

MOS管的過(guò)熱問(wèn)題是電子工程領(lǐng)域常見的挑戰(zhàn)，尤其在電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電源轉(zhuǎn)換和逆變器等高功率應(yīng)用中，MOS管的溫升過(guò)高會(huì)導(dǎo)致系統(tǒng)穩(wěn)定性下降，甚至觸發(fā)過(guò)溫保護(hù)，影響設(shè)備壽命。一、MOS管發(fā)熱的根源分析MOS管的溫升問(wèn)題主要源于能量損耗，具體包括以下幾種關(guān)鍵損耗：1. 導(dǎo)通損耗導(dǎo)通損耗與MOS管的導(dǎo)通電阻（Rds(on)）和工作電流（ID）密切相關(guān)，其計(jì)算公式如下：P = ID² × Rds(on) × D其中D代表占空比。在一個(gè)50A的電機(jī)驅(qū)動(dòng)案例中，假設(shè)Rds(on) = 5mΩ，占空比D

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[常見問(wèn)題解答]MOS管發(fā)熱的主要原因及高效散熱方案解析[ 2025-02-26 10:56 ]

MOS管作為電子電路中廣泛應(yīng)用的功率器件，在高頻、高功率工作環(huán)境下容易出現(xiàn)發(fā)熱問(wèn)題。過(guò)高的溫度不僅影響MOS管的穩(wěn)定性，還可能降低其使用壽命，甚至導(dǎo)致電路故障。一、MOS管發(fā)熱的主要原因MOS管在開關(guān)電源、驅(qū)動(dòng)電路等應(yīng)用中，主要工作在開關(guān)模式。當(dāng)MOS管出現(xiàn)異常發(fā)熱時(shí)，通常與以下幾個(gè)因素有關(guān)：1. 導(dǎo)通電阻（Rds(on)) 造成的功耗MOS管在導(dǎo)通狀態(tài)下，其漏源極之間存在一定的導(dǎo)通電阻Rds(on)，該電阻會(huì)導(dǎo)致導(dǎo)通損耗。損耗計(jì)算公式如下： P = Rds(on) * Id²其中，Id為流過(guò)MOS管的漏

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[常見問(wèn)題解答]電流較小，MOS管為何依然高溫？探究其發(fā)熱原因[ 2025-02-14 10:53 ]

在現(xiàn)代電子設(shè)備的設(shè)計(jì)與應(yīng)用中，MOS管（場(chǎng)效應(yīng)晶體管）作為一種基礎(chǔ)且重要的開關(guān)元件，廣泛應(yīng)用于電源管理、電路控制及信號(hào)放大等領(lǐng)域。通常，MOS管的工作原理和效率使其能夠在多種環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行。然而，許多工程師和技術(shù)人員在實(shí)際應(yīng)用中會(huì)發(fā)現(xiàn)，盡管流過(guò)MOS管的電流較小，它仍然會(huì)出現(xiàn)顯著的發(fā)熱現(xiàn)象。這個(gè)問(wèn)題不僅影響MOS管本身的性能，甚至可能威脅到設(shè)備的長(zhǎng)期穩(wěn)定性。因此，理解這一現(xiàn)象的根源，以及如何有效地解決或減輕這一問(wèn)題，對(duì)于提升電路設(shè)計(jì)的效率和可靠性至關(guān)重要。一、MOS管發(fā)熱的基本原因首先，需要認(rèn)識(shí)到MOS管發(fā)熱的根本

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[常見問(wèn)題解答]MOSFET發(fā)熱現(xiàn)象深度解析：關(guān)鍵技術(shù)與防治措施[ 2024-04-11 11:30 ]

在探索電源與驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)的深?yuàn)W世界時(shí)，我們不可避免地會(huì)遇到場(chǎng)效應(yīng)管（通稱MOS管）的散熱難題。這些小巧的組件承載著重要的開關(guān)功能，卻也隱藏著不容忽視的挑戰(zhàn)。接下來(lái)，讓我們深入探討緩解MOS管發(fā)熱問(wèn)題的五種創(chuàng)新技術(shù)策略。靈活的電流與電壓調(diào)控策略在電源設(shè)計(jì)的心臟部位，即高壓驅(qū)動(dòng)芯片中，我們?cè)庥隽说谝粋€(gè)散熱難關(guān)。設(shè)想一個(gè)簡(jiǎn)單場(chǎng)景：一塊芯片，工作在2mA的電流和300V的電壓下，它將產(chǎn)生0.6W的功耗，伴隨而來(lái)的就是不期而至的發(fā)熱。此時(shí)，如果我們通過(guò)巧妙調(diào)整功率MOS管的電容值、門電壓，以及工作頻率，不僅能夠顯著降低功耗，還能

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[常見問(wèn)題解答]場(chǎng)效應(yīng)MOS管發(fā)熱原因解析 - 壹芯微[ 2021-09-24 16:22 ]

場(chǎng)效應(yīng)MOS管發(fā)熱原因解析 - 壹芯微做電源設(shè)計(jì)、驅(qū)動(dòng)電路等總會(huì)用到MOS管，MOS管有很多種類，也有很多作用，做電源或驅(qū)動(dòng)的使用，當(dāng)然就是用它的開關(guān)作用。無(wú)論N型或者P型MOS管，其工作原理本質(zhì)是一樣的。MOS管是由加在輸入端柵極的電壓來(lái)控制輸出端漏極的電流。MOS管是壓控器件它通過(guò)加在柵極上的電壓控制器件的特性，不會(huì)發(fā)生像三極管做開關(guān)時(shí)的因基極電流引起的電荷存儲(chǔ)效應(yīng)，因此在開關(guān)應(yīng)用中，MOS管的開關(guān)速度應(yīng)該比三極管快。其主要原理如圖（圖1）（圖1）MOS管的工作原理我們?cè)陂_關(guān)電源中常用MOS管的漏極開路電路，如

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[常見問(wèn)題解答]MOS場(chǎng)效應(yīng)管發(fā)熱有哪些可能導(dǎo)致的原因? - 壹芯微[ 2021-08-14 16:23 ]

MOS場(chǎng)效應(yīng)管發(fā)熱有哪些可能導(dǎo)致的原因? - 壹芯微做電源設(shè)計(jì)，或者做驅(qū)動(dòng)方面的電路，會(huì)經(jīng)常用到MOS管，然而MOS管發(fā)熱嚴(yán)重的問(wèn)題，經(jīng)常困擾著廣大設(shè)計(jì)者與工程師。針對(duì)這一問(wèn)題，本文探討MOS管發(fā)熱問(wèn)題的原因及解決方法。無(wú)論N型或者P型MOS管，其工作原理本質(zhì)是一樣的。MOS管是由加在輸入端柵極的電壓來(lái)控制輸出端漏極的電流。MOS管是壓控器件它通過(guò)加在柵極上的電壓控制器件的特性,不會(huì)發(fā)生像三極管做開關(guān)時(shí)的因基極電流引起的電荷存儲(chǔ)效應(yīng)，因此在開關(guān)應(yīng)用中，MOS管的開關(guān)速度應(yīng)該比三極管快。其主要原理如下圖：我們?cè)陂_關(guān)電

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[常見問(wèn)題解答]分析MOS場(chǎng)效應(yīng)管發(fā)熱的各種可能因素-壹芯微[ 2021-08-06 16:27 ]

分析MOS場(chǎng)效應(yīng)管發(fā)熱的各種可能因素-壹芯微你了解MOS管發(fā)熱嗎？做為一名電源工程師，做電源設(shè)計(jì)可以說(shuō)是日常了，提到MOS管的話，一定不陌生。MOS管有很多種類，也有很多作用。做電源或者驅(qū)動(dòng)的使用，當(dāng)然就是用它的開關(guān)作用。接下來(lái)我們來(lái)了解MOS管發(fā)熱四大關(guān)鍵技術(shù)。一、芯片發(fā)熱本次內(nèi)容主要針對(duì)內(nèi)置電源調(diào)制器的高壓驅(qū)動(dòng)芯片。假如芯片消耗的電流為2mA，300V的電壓加在芯片上面，芯片的功耗為0.6W，當(dāng)然會(huì)引起芯片的發(fā)熱。驅(qū)動(dòng)芯片的最大電流來(lái)自于驅(qū)動(dòng)功率MOS管的消耗，簡(jiǎn)單的計(jì)算公式為I=cvf(考慮充電的電阻效益，實(shí)

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[常見問(wèn)題解答]場(chǎng)效應(yīng)MOS管的測(cè)量及發(fā)熱問(wèn)題-壹芯微[ 2021-08-05 14:37 ]

場(chǎng)效應(yīng)MOS管的測(cè)量及發(fā)熱問(wèn)題-壹芯微最近，做了一款小功率的開關(guān)電源，在進(jìn)行調(diào)試的時(shí)候，發(fā)現(xiàn)MOS管發(fā)熱很嚴(yán)重，為了解決MOS管發(fā)熱問(wèn)題，要準(zhǔn)確判斷是否是這些原因造成，最重要的是進(jìn)行正確的測(cè)試，才能發(fā)現(xiàn)問(wèn)題所在。通過(guò)這次解決這個(gè)MOS發(fā)熱問(wèn)題，發(fā)現(xiàn)正確選擇關(guān)鍵點(diǎn)的測(cè)試，是否和分析的一致，才是解決問(wèn)題之關(guān)鍵。在進(jìn)行開關(guān)電源測(cè)試中，除了用三用表測(cè)量控制電路其他器件的引腳電壓，比較重要的是用示波器測(cè)量相關(guān)的電壓波形。當(dāng)判斷開關(guān)電源是否工作正常，測(cè)試什么地方才能反映出電源的工作狀態(tài)，變壓器原邊和次級(jí)以及輸出反饋是否合理，開

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[常見問(wèn)題解答]逆變器mos管發(fā)熱嚴(yán)重有四個(gè)原因以及怎么解決[ 2020-12-09 16:33 ]

逆變器mos管發(fā)熱嚴(yán)重有四個(gè)原因以及怎么解決逆變器mos管發(fā)熱嚴(yán)重的原因逆變器的場(chǎng)效應(yīng)管工作于開關(guān)狀態(tài)，并且流過(guò)管子的電流很大，若管子選型不合適、驅(qū)動(dòng)電壓幅度不夠大或電路的散熱不好，皆可導(dǎo)致場(chǎng)效應(yīng)管發(fā)熱。1、逆變器mos管發(fā)熱嚴(yán)重要重視場(chǎng)效應(yīng)管的選型逆變器中的場(chǎng)效應(yīng)管工作于開關(guān)狀態(tài)，一般要求其漏極電流盡可能的大一些，導(dǎo)通電阻盡可能的小一些，這樣可以減小管子的飽和壓降，從而降低管耗，減小發(fā)熱量。查閱場(chǎng)效應(yīng)管手冊(cè)，我們會(huì)發(fā)現(xiàn)場(chǎng)效應(yīng)管的耐壓值越高，其導(dǎo)通電阻就越大，而那些漏極電流大、耐壓值低的管子，它們的導(dǎo)通電阻一般都在

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[常見問(wèn)題解答]怎么解決MOS管發(fā)熱-MOS管發(fā)熱原因分析以及處理方法[ 2020-12-01 15:28 ]

怎么解決MOS管發(fā)熱-MOS管發(fā)熱原因分析以及處理方法MOS管發(fā)熱嚴(yán)重的四大因素在半導(dǎo)體電子應(yīng)用過(guò)程中，MOS管經(jīng)常會(huì)出現(xiàn)發(fā)熱嚴(yán)重的現(xiàn)象，那么是什么原因才會(huì)導(dǎo)致MOS管發(fā)熱？首先我們需要了解MOS管的構(gòu)造原理，如下圖：從上圖可以看出，場(chǎng)效應(yīng)管（MOS管）是只要一種載流子參與導(dǎo)電，用輸入電壓控制輸出電流的半導(dǎo)體器件，進(jìn)一步可以劃分為有N溝道器件和P溝道器件。MOS管發(fā)熱嚴(yán)重的原因總結(jié)為以下四點(diǎn)：第一點(diǎn)：電路設(shè)計(jì)的問(wèn)題，就是讓MOS管工作在線性的工作狀態(tài)，而不是在開關(guān)狀態(tài)。這也是導(dǎo)致MOS管發(fā)熱的一個(gè)原因。如果N-MO

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[常見問(wèn)題解答]mos管小電流發(fā)熱嚴(yán)重要怎么解決[ 2020-10-22 16:34 ]

mos管小電流發(fā)熱嚴(yán)重要怎么解決小電流mos管發(fā)熱分析mos管，做電源設(shè)計(jì)，或者做驅(qū)動(dòng)方面的電路，難免要用到MOS管。MOS管有很多種類，也有很多作用。做電源或者驅(qū)動(dòng)的使用，當(dāng)然就是用它的開關(guān)作用。無(wú)論N型或者P型MOS管，其工作原理本質(zhì)是一樣的。MOS管是由加在輸入端柵極的電壓來(lái)控制輸出端漏極的電流。MOS管是壓控器件它通過(guò)加在柵極上的電壓控制器件的特性，不會(huì)發(fā)生像三極管做開關(guān)時(shí)的因基極電流引起的電荷存儲(chǔ)效應(yīng)，因此在開關(guān)應(yīng)用中，MOS管的開關(guān)速度應(yīng)該比三極管快。其主要原理如圖：在開關(guān)電源中常用MOS管的漏極開路電

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[常見問(wèn)題解答]器件發(fā)熱導(dǎo)致的MOS管損壞之謎及MOS管發(fā)熱如何解決[ 2020-09-08 14:51 ]

器件發(fā)熱導(dǎo)致的MOS管損壞之謎及MOS管發(fā)熱如何解決mos管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導(dǎo)體（semiconductor）場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。MOS管作為半導(dǎo)體領(lǐng)域最基礎(chǔ)的器件之一，無(wú)論是在 IC 設(shè)計(jì)里，還是板級(jí)電路應(yīng)用上，都十分廣泛，尤其在大功率半導(dǎo)體領(lǐng)域。然而大功率逆變器MOS管，工作的時(shí)候，發(fā)熱量非常大，

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