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        [常見問題解答]MOS管與IGBT的區別是什么?一文搞懂它們的不同特性[ 2025-02-07 11:36 ]
        MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)與IGBT(Insulated-Gate Bipolar Transistor)是功率電子領域中廣泛應用的兩類半導體器件。盡管它們都具備開關控制的能力,在電力電子系統中發揮著關鍵作用,但由于其內部結構和工作機制存在差異,導致它們在不同的應用場景和性能特性上展現出各自的優勢。一、工作原理與結構區別1. MOS管工作原理MOS管是一種電壓控制型器件,主要依靠柵極電壓控制通道的導通和截止。當柵極施加電壓時,半導體
        http://www.kannic.com/Article/mosgyigbtd_1.html3星

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