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        [常見問題解答]IGBT散熱原理及導熱機理深度解析[ 2025-02-11 12:02 ]
        絕緣柵雙極型晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor,簡稱IGBT)是一種結(jié)合了金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)與雙極型晶體管(BJT)優(yōu)點的功率半導體器件。它在高壓、高頻、高效能的電力電子系統(tǒng)中應用廣泛,如變頻器、電動汽車驅(qū)動、電力變換器等。然而,IGBT在工作過程中會產(chǎn)生大量熱量,如何有效管理這些熱量成為確保器件長期穩(wěn)定運行的關(guān)鍵。一、IGBT的熱量產(chǎn)生機制IGBT在工作時主要的能量損耗會以熱的形式釋放,主要包括以下幾類:1. 開通損耗:當IGBT從關(guān)斷狀態(tài)切換到導
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        地 址/Address

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