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        [常見問題解答]EEPROM與FLASH存儲器:原理差異與應(yīng)用場景對比[ 2024-12-18 11:13 ]
        存儲技術(shù)的選擇在現(xiàn)代電子設(shè)備中非常重要,尤其是在需要大量數(shù)據(jù)存儲和高可靠性的場景中。然而,EEPROM(電可擦除可編程只讀存儲器)和FLASH存儲器是兩種常見的非易失性存儲器類型,兩者都可以在斷電后保留數(shù)據(jù)。工作原理、性能特點、適用場景等方面存在顯著差異。本文將比較EEPROM和閃存之間的主要區(qū)別,并討論每種存儲器的不同應(yīng)用場景。一、工作原理的差異EEPROM存儲器的基本結(jié)構(gòu)由多個浮柵晶體管組成。浮置柵極是電隔離的導(dǎo)電區(qū)域,它捕獲并保留電子,從而改變晶體管的閾值電壓。寫入數(shù)據(jù)時,通過施加高電壓將電子注入到浮柵中,從
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        [常見問題解答]存儲革新:揭秘可編程只讀存儲器的改寫機制[ 2024-08-30 15:34 ]
        在不斷進(jìn)步的科技領(lǐng)域中,數(shù)據(jù)存儲技術(shù)的革新始終處于核心地位,特別是可編程只讀存儲器(PROM)的發(fā)展為我們的數(shù)據(jù)處理與存儲提供了新的視角。從最初的一次性編程到現(xiàn)在可以進(jìn)行多次擦寫和重寫的高級形式,PROM的演變反映了存儲技術(shù)的重要里程碑。本文將詳細(xì)探索PROM及其可改寫版本——EPROM(可擦寫可編程只讀存儲器)和EEPROM(電可擦寫可編程只讀存儲器)的技術(shù)機制,以及它們?nèi)绾胃镄挛覀兊拇鎯Ψ绞健R弧ROM的初始設(shè)計與功能可編程只讀存儲器,即PROM,最初被設(shè)計為在制造后允許用戶進(jìn)行單次編
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        [技術(shù)文章]AT24C02C-SSHM-T 典型應(yīng)用電路[ 2024-05-16 14:45 ]
        AT24C02C-SSHM-T是一款常用的串行EEPROM芯片,廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中,具有以下應(yīng)用場景和參數(shù)特點:一、應(yīng)用場景:1.智能卡: 在智能卡中,AT24C02C-SSHM-T可用于存儲用戶身份信息、權(quán)限數(shù)據(jù)以及交易記錄等敏感數(shù)據(jù),實現(xiàn)安全的身份驗證和數(shù)據(jù)存儲功能。2.傳感器節(jié)點: 在物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用中,AT24C02C-SSHM-T可用于傳感器節(jié)點上,存儲傳感器采集的數(shù)據(jù),如溫度、濕度、光照等,實現(xiàn)數(shù)據(jù)的臨時存儲和傳輸。3.工控設(shè)備: 在工業(yè)控制設(shè)備中,AT24C02C-SSHM-T可用于存儲參數(shù)配置、運行
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        [常見問題解答]基于LM358的單片機掉電保護(hù)電路設(shè)計介紹|壹芯微[ 2022-04-26 12:13 ]
        基于LM358的單片機掉電保護(hù)電路設(shè)計介紹|壹芯微 在單片機系統(tǒng)中為了防止突然掉電而造成數(shù)據(jù)丟失,一般需要把重要的數(shù)據(jù)存儲在EEPROM中。由于EEPROM擦寫壽命有限,故不宜程序每執(zhí)行一遍,對其擦除一次。本設(shè)計提出了一種以LM358為電壓比較器,
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        [常見問題解答]存儲器,儲存器怎么選擇? - 壹芯微[ 2022-01-22 10:46 ]
        存儲器,儲存器怎么選擇? - 壹芯微眾所周知,存儲器是現(xiàn)代信息技術(shù)中用于保存信息的記憶設(shè)備,有了存儲器,計算機才有記憶功能,才能保證正常工作。計算機中的存儲器按用途存儲器可分為主存儲器(內(nèi)存)和輔助存儲器(外存),也有分為外部存儲器和內(nèi)部存儲器的分類方法,但其的類型將決定整個嵌入式系統(tǒng)的操作和性能,因此選擇正確的存儲器是一個非常重要的決策。下面一起看看選擇的基本原則:1.配置存儲器對于現(xiàn)場可編程門陣列(FPGA)或片上系統(tǒng)(SoC),人們使用存儲器來存儲配置信息。這種存儲器必須是非易失性EPROM、EEPROM或閃
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        [常見問題解答]鐵電存儲器的工作原理介紹[ 2022-01-21 16:25 ]
        鐵電存儲器的工作原理介紹隨著IT技術(shù)的不斷發(fā)展,對于非易失性存儲器的需求越來越大,讀寫速度要求越來越快,功耗要求越來越小,現(xiàn)有的傳統(tǒng)非易失性存儲器,如EEPROM、FLASH等已經(jīng)難以滿足這些需要了。相對于其他類型的半導(dǎo)體技術(shù)而言,鐵電存儲器具有一些獨一無二的特性。鐵電存儲器能兼容RAM的一切功能,并且和ROM技術(shù)一樣,是一種非易失性的存儲器。與傳統(tǒng)的非易失性存儲器相比,鐵電存儲器具有功耗小、讀寫速度快、抗輻照能力強等優(yōu)點,因此受到很大關(guān)注。1.簡介鐵電存儲器(FRAM,ferroelectricRAM)是一種隨機
        http://www.kannic.com/Article/tdccqdgzyl_1.html3星

        地 址/Address

        工廠地址:安徽省六安市金寨產(chǎn)業(yè)園區(qū)
        深圳辦事處地址:深圳市福田區(qū)寶華大廈A1428
        中山辦事處地址:中山市古鎮(zhèn)長安燈飾配件城C棟11卡
        杭州辦事處:杭州市西湖區(qū)文三西路118號杭州電子商務(wù)大廈6層B座
        電話:13534146615 企業(yè)QQ:2881579535

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