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        [常見(jiàn)問(wèn)題解答]vdmos結(jié)構(gòu)原理與特點(diǎn)-LDMOS與VDMOS對(duì)比分析[ 2019-11-09 12:13 ]
        vdmos結(jié)構(gòu)原理與特點(diǎn)-LDMOS與VDMOS對(duì)比分析vdmos介紹vdmos結(jié)構(gòu)原理是本文要講述的,80年代以來(lái),迅猛發(fā)展的超大規(guī)模集成電路技術(shù)給高壓大電流半導(dǎo)體注入了新的活力,一批新型的聲控功放器件誕生了,其中最有代表性的產(chǎn)品就是VDMOS聲效應(yīng)功率晶體管。這種電流垂直流動(dòng)的雙擴(kuò)散MOS器件是電壓控制型器件。在合適的柵極電壓的控制下,半導(dǎo)體表面反型,形成導(dǎo)電溝道,于是漏極和源極之間流過(guò)適量的電流,VDMOS兼有雙極晶體管和普通MOS器件的優(yōu)點(diǎn)。與雙極晶體管相比,它的開(kāi)關(guān)速度,開(kāi)關(guān)損耗小;輸入阻抗高,驅(qū)動(dòng)功率小
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