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        [常見問題解答]MOSFET電路設(shè)計:柵源極并聯(lián)電容導(dǎo)致炸管的機(jī)理探討[ 2024-11-16 11:10 ]
        在MOSFET電路設(shè)計中,柵極和源極之間的并聯(lián)電容通常被認(rèn)為是降低柵極信號峰值的優(yōu)化方法。但根據(jù)實際應(yīng)用情況,可能會出現(xiàn)MOSFET管爆炸的情況。為什么小電容會導(dǎo)致MOSFET管爆炸呢?本文將詳細(xì)探討這一現(xiàn)象的本質(zhì)機(jī)理。一、柵源并聯(lián)電容的常見用途在MOSFET電路中,柵極和源極之間并聯(lián)電容的主要目的是穩(wěn)定柵極信號,特別是減少噪聲干擾和高頻振蕩。該電容通常用于以下場景:1. 降低柵極驅(qū)動的高頻噪聲,保證驅(qū)動電路阻抗變化引起的信號完整性。2. 提高M(jìn)OSFET的抗干擾能力,特別是在開關(guān)頻率較高的電路中。雖然這種設(shè)計在許
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