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        [常見問題解答]MOS管熱管理結(jié)構(gòu)如何干擾或改善EMC表現(xiàn)[ 2025-04-08 12:27 ]
        在現(xiàn)代電子設(shè)備中,MOSFET器件以其高效率和快速開關(guān)特性被廣泛應(yīng)用于功率轉(zhuǎn)換、驅(qū)動(dòng)控制和電源管理系統(tǒng)中。然而,在追求熱管理效果的同時(shí),往往忽略了散熱結(jié)構(gòu)對(duì)EMC(電磁兼容性)性能所帶來的潛在影響。事實(shí)上,MOS管的熱管理設(shè)計(jì)不僅影響器件的工作溫度,還在很大程度上左右了整個(gè)系統(tǒng)的輻射和傳導(dǎo)干擾水平。一、熱管理結(jié)構(gòu)為何影響EMC表現(xiàn)散熱系統(tǒng)本質(zhì)上是與MOSFET物理連接的金屬體,其存在不可避免地會(huì)引入寄生電容結(jié)構(gòu)。當(dāng)MOS管處于高頻率快速切換時(shí),這些金屬結(jié)構(gòu)便成為耦合路徑的一部分。特別是在浮置狀態(tài)下的散熱片,很容易成
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