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        [常見問題解答]MOS管損壞原因-MOS管損壞常見的五種和分析[ 2020-12-09 15:37 ]
        MOS管損壞原因-MOS管損壞常見的五種和分析MOS管損壞原因最常見有五種第一種:雪崩破壞如果在漏極-源極間外加超出器件額定VDSS的電涌電壓,而且達(dá)到擊穿電壓V(BR)DSS(根據(jù)擊穿電流其值不同),并超出一定的能量后就發(fā)生破壞的現(xiàn)象。MOS管損壞原因在介質(zhì)負(fù)載的開關(guān)運行斷開時產(chǎn)生的回掃電壓,或者由漏磁電感產(chǎn)生的尖峰電壓超出功率MOSFET的漏極額定耐壓并進(jìn)入擊穿區(qū)而導(dǎo)致破壞的模式會引起雪崩破壞。典型電路:第二種:器件發(fā)熱損壞-MOS管損壞原因由超出安全區(qū)域引起發(fā)熱而導(dǎo)致的。發(fā)熱的原因分為直流功率和瞬態(tài)功率兩種。
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