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            當前位置：首頁 » 全站搜索 » 搜索： igbt技術
        
        
        
            
        
                
        
                    
                    
                            
        
                                
        [常見問題解答]詳解IGBT組件：它的輸出信號到底是交流還是直流？[
                                        2024-09-21 10:39
                                        ]
        
                                
        
                                    絕緣柵雙極晶體管（IGBT）技術作為電力電子轉換中的關鍵組件，其作用至關重要。了解IGBT的輸出信號類型對于電子和電氣工程師來說非常關鍵，這直接影響了其在復雜電力系統中的應用和性能。本文深入探討IGBT的工作原理和輸出特性，通過具體示例增強對其功能的理解。一、IGBT技術概述IGBT結合了MOSFET的高輸入阻抗和BJT的低飽和電壓優勢，是一種高效的開關器件。在電力電子系統中，無論是可再生能源系統、電動車驅動還是高效電源管理，IGBT都能提供高效的電流控制解決方案。二、IGBT的輸出特性IGBT本身不生成電流或電壓
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/xjigbtzjtd_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [常見問題解答]IGBT激光退火技術解析[
                                        2023-06-08 17:47
                                        ]
        
                                
        
                                    IGBT激光退火技術解析激光退火是絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)背面工藝的重要步驟。對離子注入后的硅基IGBT 圓片背面進行激光快速退火，實現激活深度，有效修復離子注入破壞的晶格結構。隨著IGBT技術發展和薄片加工工藝研發的需要，IGBT背面退火越來越多應用激光退火技術。1.IGBT退火技術在垂直方向上，IGBT結構經歷了穿通型（pouch through，PT），非穿通型（non pouch through，NPT）和電場截止型（field stop，FS），使器件的整體性能不斷提高。圖 IGBT結構的變化在NP
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/igbtjgthjs_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [常見問題解答]IGBT,MOSFET以及三極管的區別[
                                        2021-03-01 11:41
                                        ]
        
                                
        
                                    IGBT,MOSFET以及三極管的區別mos管、igbt、三極管比較，mos開關速度最快，三極管最慢，而igbt內部是靠mos管先開通驅動三極管開通（這個原理決定了它的開關速度比mos慢，比三極管快,和幾代技術無關）。mos管的最大劣勢是隨著耐壓升高，內阻迅速增大（不是線性增大），所以高壓下內阻很大，不能做大功率應用。隨著技術發展,無論mos管還是igbt管，它們的各種參數仍在優化。目前igbt技術主要是歐美和日本壟斷，國內最近2年也幾個公司研究工藝，但目前都不算成熟，所以igbt基本都是進口。igbt的制造成本比
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/igbtmosfet_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [常見問題解答]二極管模塊技術選型知識介紹[
                                        2020-10-12 15:54
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                                    二極管模塊技術選型知識介紹二極管模塊技術選型鑄造輝煌,IGBT硅片的結構與功率MOSFET的結構分相似，主要差異是IGBT增加了P+基片和一個N+緩沖層(NPT-非穿通-IGBT技術沒有增加這個部分。如等效電路圖所示(圖，其中一個MOSFET驅動兩個雙極器件。基片的應用在管體的P+和N+區之間創建了一個J1結。當正柵偏壓使柵極下面反演P基區時，一個N溝道形成，同時出現一個電子流，并完全按照功率MOSFET的方式產生一股電流。如果這個電子流產生的電壓在范圍內，那么，J1將處于正向偏壓，一些空注入N-區內，并調整陰陽極
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/ejgmkjsxxz_1.html3星
        
                            
        
                        
                    
                    
                    
                    
        
                    
        
                    
                    
                    
                    
                
        
            
        
        
        
        
        
            
        
        
        
        
        
        
    
        
    
    
    

        
    
        
        
        
        
        
            
        
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                深圳辦事處地址：深圳市福田區寶華大廈A1428
        
                中山辦事處地址：中山市古鎮長安燈飾配件城C棟11卡
        
                杭州辦事處：杭州市西湖區文三西路118號杭州電子商務大廈6層B座
        
                電話：13534146615
                企業QQ：2881579535
            
        
        
        
        
        
            
        
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