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        [常見問題解答]功率MOSFET開關(guān)過程詳解:開通與關(guān)斷的物理原理[ 2024-10-10 12:04 ]
        功率MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)是現(xiàn)代電力電子技術(shù)中的重要器件,廣泛應用于各種開關(guān)電源、電機驅(qū)動和功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)中。其高效率和開關(guān)性能使其成為理想的選擇。要了解功率MOSFET的性能,掌握開關(guān)它們的物理過程非常重要。本文詳細分析了MOSFET工藝的基本工作原理和重要影響因素。一、功率MOSFET工作原理概述功率MOSFET的結(jié)構(gòu)主要由柵極、漏極和源極組成。由于柵極電壓控制溝道中的電子或空穴,因此源極和漏極之間的電流由柵極電壓控制。當柵極電壓超過一定閾值時,電子流入溝道并形成導通狀態(tài)。相反,如果柵極電壓
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        [常見問題解答]解析功率MOSFET并聯(lián)產(chǎn)生寄生振蕩的原因和解決方法[ 2020-09-01 16:09 ]
        解析功率MOSFET并聯(lián)產(chǎn)生寄生振蕩的原因和解決方法功率mosfet功率MOS場效應晶體管,即MOSFET,其原意是:MOS(Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導體),F(xiàn)ET(Field Effect Transistor場效應晶體管),即以金屬層(M)的柵極隔著氧化層(O)利用電場的效應來控制半導體(S)的場效應晶體管。功率mosfet工作原理及其他詳解截止:漏源極間加正電源,柵源極間電壓為零。P基區(qū)與N漂移區(qū)之間形成的PN結(jié)J1反偏,漏源極之間無電流流過。導電:在柵源極間加正電壓UG
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        [常見問題解答]CMOS-互補MOSFET工作原理和優(yōu)勢簡介[ 2020-04-21 14:39 ]
        CMOS-互補MOSFET工作原理和優(yōu)勢簡介CMOS-互補金屬氧化物半導體場效應晶體管簡介互補金屬氧化物半導體器件是其中P溝道和N溝道增強MOSFET以推挽式布置連接的芯片。CMOS的基本連接如圖所示。N溝道和P溝道CMOS連接上圖顯示了各種CMOS連接,尤其是N溝道和P溝道CMOS連接。在該電路中,兩個MOSFET(P溝道MOSFET和N溝道MOSFET)串聯(lián)連接,使P溝道器件的源極連接到正電源+VDD,并連接N溝道器件的源極到地面。兩個器件的柵極作為公共輸入連接,兩個器件的漏極端子作為公共輸出連接在一起。當輸入
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        [常見問題解答]EMOSFET-增強型MOSFET工作原理圖符號-結(jié)構(gòu)及特性知識[ 2020-04-17 14:35 ]
        EMOSFET-增強型MOSFET工作原理圖符號-結(jié)構(gòu)及特性知識盡管DE-MOSFET在特殊應用中很有用,但它并沒有得到廣泛的應用。然而,它在歷史上發(fā)揮了重要作用,因為它是向E模式MOSFET發(fā)展的一部分,這種器件徹底改變了電子工業(yè)。電子mosfet在數(shù)字電子學和電子學中已經(jīng)變得非常重要。如果沒有電子mosfet,現(xiàn)在如此普遍的個人電腦(pc)將不存在。EMOSFET的結(jié)構(gòu):N通道增強型MOSFET的結(jié)構(gòu)圖該圖顯示了N溝道E-MOSFET的結(jié)構(gòu)。DE-MOSFET結(jié)構(gòu)與E-MOSFET結(jié)構(gòu)之間的主要區(qū)別,正如我們從
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        [常見問題解答]MOS管-mosfet工作原理結(jié)構(gòu),特性詳解[ 2019-01-15 17:48 ]
        壹芯微作為國內(nèi)專業(yè)生產(chǎn)MOS管的生產(chǎn)廠家,生產(chǎn)技術(shù)已經(jīng)是非常的成熟,進口的測試儀器,可以很好的幫組到客戶朋友穩(wěn)定好品質(zhì),也有專業(yè)的工程師在把控穩(wěn)定質(zhì)量,協(xié)助客戶朋友解決一直客戶自身解決不了的問題,每天會分析一些知識或者客戶的一些問題,來出來分享,MOS管-mosfet工作原理結(jié)構(gòu),特性詳解,請看下方p溝道增強型mosfetP溝道m(xù)osfet介紹金屬氧化物半導體場效應(MOS)晶體管可分為N溝道與P溝道兩大類,P溝道硅MOS場效應晶體管在N型硅襯底上有兩個P+區(qū),分別叫做源極和漏極,兩極之間不通導,柵極上加有足夠的正
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