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[常見問題解答]避免擊穿與過流：MDD系列快恢復二極管耐壓電流選型實用策略[ 2025-04-19 11:47 ]

在開關電源、高頻逆變器以及新能源應用中，快恢復二極管因其切換速度快、恢復時間短、損耗低等優勢，被廣泛部署于功率整流和續流環節。其中，MDD系列快恢復二極管憑借出色的熱穩定性與高頻性能，在高壓大電流環境中更顯優勢。但若在選型過程中忽略了耐壓或電流匹配的問題，不僅可能引發擊穿、過流，甚至可能導致整個系統的不穩定或失效。一、耐壓參數如何合理選擇快恢復二極管的反向耐壓（VRRM）是其最關鍵的參數之一，代表器件能在反向偏置下承受的最大電壓。如果所選器件的VRRM低于實際工作電壓峰值，則極易在負載尖峰或EMI沖擊中發生擊穿。二

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[常見問題解答]晶振行業新風向：小型化趨勢下的3225及更小尺寸晶體分析[ 2024-12-25 11:22 ]

晶振行業正在經歷新的技術變革，隨著現代電子設備快速向小型化、便攜化發展，晶振作為電子設備重要的時鐘信號源，其性能和容量直接影響晶振的整體設計和應用場景。小型化將是晶振發展的重要方向。晶振作為頻率控制器件，廣泛應用于手機、智能便攜設備、物聯網終端等家電產品中。此前，晶體振蕩器體積龐大，難以滿足現代小型設備的需求。隨著先進制造工藝的不斷發展，3225尺寸（3.2mm x 2.5mm）晶體振蕩器應運而生，不僅減小了尺寸，而且提供了卓越的性能。在保持穩定的同時實現了高頻性能、高精度、穩定性能。一、3225以下晶振的主要應用

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[常見問題解答]碳化硅MOSFET柵極氧化層缺陷檢測的最新進展與挑戰[ 2024-12-14 12:18 ]

隨著電力電子和高頻通信技術的不斷發展，碳化硅（SiC）MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）憑借其優異的高溫特性，成為功率半導體領域的重要材料，尤其是在高功率和高頻性能方面。然而，SiC MOSFET的性能并非完全沒有誤差，特別是在柵極氧化物（gate Oxide）這一關鍵結構上。因此，對這些缺陷的有效檢測和表征已成為SiC MOSFET研究和應用中的重要課題。柵氧化層的質量直接關系到器件的擊穿電壓、開關速度和長期穩定性，界面缺陷或材料缺失會導致漏電流增大、閾值電壓漂移和器件失效，進而影響整個電路

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[技術文章]ES1GF 典型應用電路[ 2024-04-16 17:15 ]

ES1GF是一種在電子電路中極為重要的半導體器件，特別設計用于高效的快速開關和整流操作。由于其卓越的恢復速度和優異的高頻性能，ES1GF成為許多電子設備中不可缺少的部分，有效提升了電路的整體性能和能效。一、ES1GF的應用場景1. 開關電源：在開關電源中，ES1GF負責整流輸入電壓，將交流電轉換為直流電。它的快速恢復能力有助于提升電源的轉換效率和響應速度，同時減少能量損耗。2. 電源管理：在復雜的電源管理系統中，例如計算機服務器和通信設備，ES1GF用于處理輸入電源，確保供電的穩定性和電壓的精確調節。3. 頻率轉換

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[常見問題解答]用兩個三極管組成的逆變器電路圖解[ 2023-07-24 17:34 ]

用兩個三極管組成的逆變器電路圖解若雙13V變壓器是采用鐵氧體磁芯制作的高頻性能較好的高頻變壓器，那么只要采用兩個三極管即可構成一個簡單的逆變器，電路如下圖所示。兩個三極管構成的簡易逆變器電路電路中，兩個三極管及變壓器初級線圈L1和L2組成一個簡單的振蕩電路。雖然電阻R1和R2取值一樣，三極管VT1和VT2的型號相同，但由于三極管參數的離散性，它們不可能完全一樣，故接通電源后總有一個管子先導通。這里假定VT1先導通，則12V直流電源通過變壓器初級線圈L1及VT1的c-e兩極構成回路，由于L1中有電流通過，L2將產生一

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[常見問題解答]二極管電容詳解，二極管電容介紹[ 2023-04-17 16:24 ]

二極管電容詳解，二極管電容介紹1. 二極管電容如果你只做低頻領域，那可以不管二極管電容。但那幾乎是不可能的，隨著現在電子電路和MCU芯片的主頻越來越高，總會碰上中頻和高頻情況的。任何的電子器件都是對頻率敏感的。當你電路的工作頻率高到一定程度以后，即使是最基本的電阻也是靠不住的，也會隨頻率發生一些性能上的變化。那些你平時不用考慮的：電源、開關、甚至導線，在高頻下都會發生性能變化，統統都要在設計時予以考慮。影響元器件高頻性能的主要原因，是元器件上固有的寄生電容和電感（任何器件都不可能是完美的，有

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[常見問題解答]MOS管中的密勒效應詳解[ 2023-02-21 17:55 ]

前面我們詳細的介紹了共射放大電路的設計步驟，對于低頻信號，可以不考慮三極管的頻率特性，但是隨著輸入信號頻率的增加，MOS管的寄生電容就不得不考慮。MOS管有極間電容有Cgd，Cgs，Cds。MOS管的寄生電容Cgs跨接在輸入端與地之間，對于輸入端來說與基極電阻構成了低通濾波器，會使MOS管的高頻性能下降。Cds跨接在輸出端與地之間，對于輸出端來說與基極電阻構成了低通濾波器，會使MOS管的高頻性能下降。雖然Cgs和Cds都使MOS管的高頻性能下降，卻很好理解。只要知道了這兩個容值，和輸入輸出電阻就可以計算出截止頻率，

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[常見問題解答]光電二極管的工作原理介紹[ 2022-01-05 12:09 ]

光電二極管的工作原理介紹光電二極管(也叫光敏二極管)是將光信號變成電信號的半導體器件，與光敏電阻相比具有靈敏度高、高頻性能好，可靠性好、體積小、使用方便等優點。光電二極管和普通二極管一樣具有一個PN結，不同之處是在光電二極管的外殼上有一個透明的窗口以接收光線照射，實現光電轉換，在電路圖中文字符號一般為VD。光電二極管工作原理光電二極管的核心部分是一個PN結，為了便于接受入射光照，在光電二極管的管殼上有一個能射入光線的窗口，窗口上鑲著玻璃透鏡，光線可通過透鏡照射到管芯，而且PN結面積盡量做的大一些，電極面積盡量小些，

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[常見問題解答]肖特基二極管的特點知識介紹[ 2021-11-20 18:15 ]

肖特基二極管的特點知識介紹肖特基二極管具有良好的高頻性能及較低的正向壓降，廣泛用于開關電源及逆變器電路中。下面我們將肖特基二極管與硅開關二極管及整流二極管做一比較，來看看肖特基二極管有什么特點？肖特基二極管、開關二極管及快恢復二極管都具有良好的高頻性能，但它們又有以下不同：①、硅開關二極管（現在鍺開關二極管很少使用）的正向壓降一般在0.5～0.6V，正向工作電流較小，多在百十mA以下，具有良好的開關性能。這類管子主要用于早期分立元件的數字電路中以及高頻小電流的整流。②、快恢復二極管的正向壓降較大（＞0.7V），耐壓

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[常見問題解答]為電路板加上肖特基二極管,防止電路板正負極接反知識介紹[ 2021-11-02 16:05 ]

為電路板加上肖特基二極管,防止電路板正負極接反知識介紹肖特基二極管正向壓降小（一般為0.2～0.3V）、高頻性能好，比較適合用在電路板上防止電源接反而損壞元器件，并且成本也很低。下面介紹兩種具體的應用電路。1、一個肖特基二極管構成的保護電路。

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[常見問題解答]減少開關電源模塊紋波噪音的措施介紹[ 2021-01-09 17:12 ]

減少開關電源模塊紋波噪音的措施介紹開關電源模塊由于其開關管工作于高頻開關狀態，輸出的紋波噪聲較大，一般為輸出電壓的1%左右，低的為輸出電壓的0.5%左右，最好產品的紋波噪聲也有幾十mV。而線性電源的調整管工作于線性狀態，無紋波電壓，輸出的噪聲較小，其單位是μV。下面談下如何減少電源的紋波噪音。1、減少EMI干擾可以采用金屬外殼做屏蔽，減小外界電磁輻射干擾。減少從電源線輸入的電磁干擾，可以在電源輸入端加EMI濾波器。2、在輸出端采用高頻性能好、ESR低的電容采用高分子聚合物固態電解質的鋁或鉭電解電容作輸出電容是最佳的

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[常見問題解答]什么是開關二極管-開關二極管的工作原理是什么[ 2020-05-18 15:14 ]

什么是開關二極管-開關二極管的工作原理是什么什么是開關二極管？開關二極管可以說是一個非常基本的元件，開關二極管反應迅速且結電容小，它在電路中的作用就是開關和隔離，主要應用于電子計算機領域及開關電路等。那么你知道高頻性能良好的開關二極管工作原理是什么嗎？什么是開關二極管開關二極管是半導體二極管的一種，是為在電路上進行"開"、"關"而特殊設計制造的一類二極管。它由導通變為截止或由截止變為導通所需的時間比一般二極管短，常見的有2AK、2DK等系列，主要用于電子計算機、脈沖和開關電路

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[常見問題解答]MOS電容-MOS管高頻小信號電容知識[ 2019-06-11 17:03 ]

壹芯微作為國內專業生產二三極管的生產廠家,生產技術已經是非常的成熟,進口的測試儀器,可以很好的幫組到客戶朋友穩定好品質,也有專業的工程師在把控穩定質量,協助客戶朋友解決一直客戶自身解決不了的問題,每天會分享一些知識或者客戶的一些問題,今天我們分享的是,三端穩壓管7805結構參數與接線圖解析,請看下方從MOS管的幾何構造及工作原理能夠發現，MOS管存在著多種電容，這會影響MOS管的高頻性能。依據MOS管的幾何構造構成的各類電容如圖1.5所示，詳細為：(1)柵與溝道之間的柵氧電容C2=WLCox，其中Cox為單位面積柵

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