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        [常見問題解答]IGBT模塊穩中求進：散熱設計驅動封裝質量全面躍升[
                                        2025-03-28 12:27
                                        ]
        
                                
        
                                    在高功率電子應用快速發展的背景下，IGBT模塊作為關鍵能量轉換組件，正面臨性能密度持續提升、熱應力驟增的雙重挑戰。尤其在軌道交通、新能源發電、工業驅動等對可靠性要求極高的場景中，封裝質量已成為影響模塊整體性能和使用壽命的核心因素。而散熱設計，作為封裝工藝中的“隱性支柱”，正在悄然主導IGBT模塊從傳統到高端的躍遷之路。功率器件在運行過程中不可避免地產生大量熱量，如果熱量不能及時有效釋放，器件結溫將迅速升高，從而加速芯片老化、引發焊點失效，最終導致模塊失效。因此，提升散熱能力，不僅僅是優化IG
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/igbtmkwzqj_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [常見問題解答]LED散熱方法全解析：如何選擇最適合您需求的技術[
                                        2024-07-18 10:18
                                        ]
        
                                
        
                                    一、超導熱技術在LED散熱中的應用微槽群復合相變冷卻技術，因其傳導性能卓越，已被廣泛應用于LED散熱解決方案中。這種技術的導熱能力是傳統鋁基板的數萬倍，能夠迅速將LED芯片產生的熱量分散到較大面積的散熱板上。其顯著特點包括無需額外能源消耗的被動散熱方式，以及輕便的體積和結構，這些優勢使其在高功率電子設備的冷卻處理中表現出高效能和可靠性。二、LED散熱技術誤區解析盡管LED技術自20世紀90年代以來已實現顯著進步，但在散熱方面仍存在一些常見誤解。首先，雖然內部量子效率已接近90%，但電流泄漏仍會導致部分電能轉化為熱能
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/ledsrffqjx_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [常見問題解答]功率二極管的特性與選擇技巧詳解[
                                        2024-06-24 11:14
                                        ]
        
                                
        
                                    功率二極管的特點與選擇功率二極管作為一種能夠承受大電流和高電壓的特殊二極管，與普通信號二極管相比，具有獨特的結構和性能優勢，因此廣泛應用于高功率電子設備和電路中。一、功率二極管的特點1. 承受大電流和高電壓：功率二極管能夠承受比普通二極管更高的電流和電壓，通常可處理數百伏的電壓和數十安的電流。這使得它們在高功率應用中不可或缺。2. 低開啟電壓：功率二極管的開啟電壓通常在1V左右，較低的開啟電壓可以減少電路的功耗，提高效率。3. 高反向漏電流：功率二極管的反向漏電流較大，通常在數百微安量級，因此不適用于需要高反向阻抗
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/glejgdtxyx_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [常見問題解答]功率二極管的優勢和局限：全面了解其在電子工程中的重要性[
                                        2024-05-06 10:32
                                        ]
        
                                
        
                                    二極管以其單向導電的獨特性能被廣泛利用，典型的導通狀態下，電流由陽極流向陰極。這種特性使二極管在多種應用中占據了重要地位。功率二極管與一般的信號二極管相比，在結構設計上有明顯的區別，它們可以承受更大的電流和電壓，是高功率電子設備中不可或缺的部件。功率二極管主要應用于高電壓、大電流或高功率的電路轉換和控制中，例如直流電源、馬達控制器、交流調光器以及高頻調制器等。這種二極管的尺寸較大，結構簡單，可靠性高，特別適用于各類功率電子電路。功率二極管是一種能夠承受高功率和大電流的PN結二極管。它的設計允許通過較大的電流，其主要
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/glejgdyshj_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [常見問題解答]功率二極管的關斷條件介紹[
                                        2023-08-25 17:16
                                        ]
        
                                
        
                                    功率二極管的關斷條件介紹功率二極管（Power Diode）是一種高電壓、高電流、大功率的二極管。與普通二極管相比，功率二極管具有承受更高電壓和電流的能力，通常被用于電源電路、電機驅動器、逆變器、交流調制、直流穩壓等高功率電子設備中。二極管是一種最早誕生的半導體器件，其應用非常廣泛。特別是在各種電子電路，使用二極管和電阻、電容、電感器組件（如合理連接，構成不同功能的電路，可以實現交流整流器，調制信號檢測，剪裁，夾緊和電壓的電源電壓和其他功能。功率二極管的結構與普通二極管類似，通常由一個P型半導體區域和一個N型半導體
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/glejgdgdtj_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [常見問題解答]氧化鎵溝槽肖特基勢壘二極管具有超低泄漏特點[
                                        2019-08-20 11:15
                                        ]
        
                                
        
                                    近期聲稱單斜形β－多晶型氧化鎵（β－Ga2O3）肖特基勢壘二極管（SBD）具有最低的泄漏電流。在相對較高的擊穿電壓1232V下，顯示出低的泄漏電流密度小于1μA·cm－2。該器件采用溝槽結構制作鰭片，側壁上有金屬 － 絕緣體 － 半導體（MIS）疊層，以減少表面場效應，抑制反向偏壓下的泄漏。氧化鎵具有許多可用于高功率電子和射頻放大器應用的特性：具有4．5eV的寬帶隙，可以高達8MV／cm 的高臨界電場，以及200cm2 ／ V－s的電子遷移率。該類器件還可以應用在惡劣和高溫條件下。使用熔體生長法可以生
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/yhjgcxtjsl_1.html3星
        
                            
        
                        
                    
                    
                    
                    
        
                    
        
                    
                    
                    
                    
                
        
            
        
        
        
        
        
            
        
        
        
        
        
        
    
        
    
    
    

        
    
        
        
        
        
        
            
        
                地 址/Address
        
            
        
                工廠地址：安徽省六安市金寨產業園區
                
        
                深圳辦事處地址：深圳市福田區寶華大廈A1428
        
                中山辦事處地址：中山市古鎮長安燈飾配件城C棟11卡
        
                杭州辦事處：杭州市西湖區文三西路118號杭州電子商務大廈6層B座
        
                電話：13534146615
                企業QQ：2881579535
            
        
        
        
        
        
            
        
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