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            當前位置：首頁 » 全站搜索 » 搜索： 閾值電壓漂移
        
        
        
            
        
                
        
                    
                    
                            
        
                                
        [常見問題解答]高壓SiC MOSFET柵氧老化行為研究及加速測試方法探索[
                                        2025-04-16 14:55
                                        ]
        
                                
        
                                    在高電壓、高溫、高頻的電力電子應用中，碳化硅MOSFET因其出色的材料特性逐漸取代傳統硅基器件，成為高壓領域的核心選擇。然而，器件的長期可靠性依然是制約其大規模應用的關鍵因素，特別是柵極氧化層的老化行為及其導致的性能退化問題，已成為研究和工業界共同關注的技術焦點。一、SiC MOSFET柵氧老化機制概述相較于硅器件，SiC MOSFET采用熱氧化工藝形成的柵極氧化層存在較多界面缺陷，源于碳原子在氧化過程中的難以完全去除。這些殘留的碳相關缺陷在高場高溫條件下會加速電子捕獲，導致閾值電壓漂移、柵漏電流上升，嚴重時甚至引
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/gysicmosfe_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [常見問題解答]碳化硅MOSFET柵極氧化層缺陷檢測的最新進展與挑戰[
                                        2024-12-14 12:18
                                        ]
        
                                
        
                                    隨著電力電子和高頻通信技術的不斷發展，碳化硅（SiC）MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）憑借其優異的高溫特性，成為功率半導體領域的重要材料，尤其是在高功率和高頻性能方面。然而，SiC MOSFET的性能并非完全沒有誤差，特別是在柵極氧化物（gate Oxide）這一關鍵結構上。因此，對這些缺陷的有效檢測和表征已成為SiC MOSFET研究和應用中的重要課題。柵氧化層的質量直接關系到器件的擊穿電壓、開關速度和長期穩定性，界面缺陷或材料缺失會導致漏電流增大、閾值電壓漂移和器件失效，進而影響整個電路
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/thgmosfetz_1.html3星
        
                            
        
                        
                    
                    
                    
                    
        
                    
        
                    
                    
                    
                    
                
        
            
        
        
        
        
        
            
        
        
        
        
        
        
    
        
    
    
    

        
    
        
        
        
        
        
            
        
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                中山辦事處地址：中山市古鎮長安燈飾配件城C棟11卡
        
                杭州辦事處：杭州市西湖區文三西路118號杭州電子商務大廈6層B座
        
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