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        [常見問題解答]分析短溝道效應-MOSFET的短溝道效應知識[ 2020-11-10 16:57 ]
        分析短溝道效應-MOSFET的短溝道效應知識MOSFET的短溝道效應當MOS晶體管的溝道長度小到可以和漏結及源結的耗盡層厚度相比擬時,會出現一些不同于長溝道MOS管特性的現象,統稱為短溝道效應,它們歸因于在溝道區出現二維的電勢分布以及高電場。MOSFET的短溝道效應:當溝道區的摻雜濃度分布一定時,如果溝道長度縮短,源結與漏結耗盡層的厚度可與溝道長度比擬時,溝道區的電勢分布將不僅與由柵電壓及襯底偏置電壓決定的縱向電場有關,而且與由漏極電壓控制的橫向電場也有關。換句話說,此時緩變溝道近似不再成立。這個二維電勢分布會導致
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