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        [常見問題解答]SiC MOSFET與肖特基二極管的協同作用，優化電力轉換效率[
                                        2025-04-01 14:17
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                                    隨著對能源效率要求的日益提高，碳化硅（SiC）材料在電力電子領域的應用變得越來越廣泛。特別是在電力轉換系統中，SiC MOSFET和肖特基二極管的結合，已成為提升效率、減少損失和提高可靠性的關鍵技術手段。一、SiC MOSFET的特點及優勢碳化硅MOSFET（SiC MOSFET）是一種先進的功率半導體器件，因其具備優異的高擊穿電壓、低導通電阻和出色的熱管理能力，廣泛應用于高壓和高頻率的電力轉換系統。SiC材料的高禁帶寬度使其在高溫和高壓條件下保持良好的性能，特別適用于電動汽車驅動系統和太陽能逆變器等對環境要求嚴格
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/sicmosfety_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [常見問題解答]深入解析IGBT導熱材料的特性與選型要點[
                                        2025-02-11 12:07
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                                    在現代電力電子技術中，絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）被廣泛應用于高功率設備，如電動汽車驅動系統、電機控制、新能源發電裝置以及工業變頻器等。IGBT在高負載運行時會產生大量熱量，若不能及時有效地散散熱，可能導致器件性能衰退、工作效率下降，甚至影響其長期穩定性。為了確保IGBT在復雜環境下可靠運行，高效的熱管理至關重要，而導熱材料則是實現這一目標的核心環節。一、IGBT導熱材料的重要性IGBT在高功率、高頻率的工作環境下，內部器件會因導通損耗和開關損耗而產生大量熱量。這些熱量若不能迅速有效地散發出去，將導致芯片溫度升高
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/srjxigbtdr_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [常見問題解答]IGBT散熱原理及導熱機理深度解析[
                                        2025-02-11 12:02
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                                    絕緣柵雙極型晶體管（Insulated Gate Bipolar Transistor，簡稱IGBT）是一種結合了金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）與雙極型晶體管（BJT）優點的功率半導體器件。它在高壓、高頻、高效能的電力電子系統中應用廣泛，如變頻器、電動汽車驅動、電力變換器等。然而，IGBT在工作過程中會產生大量熱量，如何有效管理這些熱量成為確保器件長期穩定運行的關鍵。一、IGBT的熱量產生機制IGBT在工作時主要的能量損耗會以熱的形式釋放，主要包括以下幾類：1. 開通損耗：當IGBT從關斷狀態切換到導
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/igbtsryljd_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [常見問題解答]碳化硅SiC技術如何推動電動車性能突破[
                                        2024-11-27 14:45
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                                    碳化硅SiC技術是近年來推動電動汽車性能全面提升的核心技術之一。碳化硅作為新一代半導體材料的優異物理性能使得關鍵電動汽車系統的性能得到顯著提升。本文介紹了碳化硅技術如何通過比傳統硅材料在更高的開關頻率下產生更大的能量損失來促進電動汽車性能的進步。然而碳化硅可以有效降低這種損耗，提高整體效率。一、電動汽車驅動系統的提升電動汽車的作用是將電池的直流電轉換成交流電來驅動電機。通過使用碳化硅，逆變器的開關頻率顯著提高，減少了系統中的能量損耗，從而延長了車輛的續航里程。體積減小的碳化硅器件具有更高的介電強度和導熱率，使其能夠
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/thgsicjsrh_1.html3星
        
                            
        
                        
                    
                    
                    
                    
        
                    
        
                    
                    
                    
                    
                
        
            
        
        
        
        
        
            
        
        
        
        
        
        
    
        
    
    
    

        
    
        
        
        
        
        
            
        
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                深圳辦事處地址：深圳市福田區寶華大廈A1428
        
                中山辦事處地址：中山市古鎮長安燈飾配件城C棟11卡
        
                杭州辦事處：杭州市西湖區文三西路118號杭州電子商務大廈6層B座
        
                電話：13534146615
                企業QQ：2881579535
            
        
        
        
        
        
            
        
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