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        [常見問題解答]高壓SiC MOSFET柵氧老化行為研究及加速測試方法探索[
                                        2025-04-16 14:55
                                        ]
        
                                
        
                                    在高電壓、高溫、高頻的電力電子應用中，碳化硅MOSFET因其出色的材料特性逐漸取代傳統硅基器件，成為高壓領域的核心選擇。然而，器件的長期可靠性依然是制約其大規模應用的關鍵因素，特別是柵極氧化層的老化行為及其導致的性能退化問題，已成為研究和工業界共同關注的技術焦點。一、SiC MOSFET柵氧老化機制概述相較于硅器件，SiC MOSFET采用熱氧化工藝形成的柵極氧化層存在較多界面缺陷，源于碳原子在氧化過程中的難以完全去除。這些殘留的碳相關缺陷在高場高溫條件下會加速電子捕獲，導致閾值電壓漂移、柵漏電流上升，嚴重時甚至引
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/gysicmosfe_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [常見問題解答]功率半導體封裝技術的發展趨勢與挑戰[
                                        2024-10-24 14:58
                                        ]
        
                                
        
                                    功率半導體作為現代電子系統的核心元件，在各種電力電子應用中具有重要地位。隨著技術的進步和市場需求的增加，功率半導體封裝技術的發展趨于多元化，同時也面臨著諸多挑戰。本文介紹了當前功率半導體封裝技術的發展趨勢和主要挑戰。一、封裝技術發展的驅動力由于高效率和高密度的需求，封裝技術的進步是功率半導體封裝技術發展的主要驅動力之一。電動汽車等領域的功率器件隨著可再生能源和工業的自動化程度不斷提高，封裝技術的創新變得至關重要。高功率密度設備需要有效的熱管理，以確保高負載條件下的可靠性和耐用性。因此，封裝技術需要具備更高效的散熱能
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/glbdtfzjsd_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [技術文章]FDD86250 典型應用電路[
                                        2024-05-16 15:09
                                        ]
        
                                
        
                                    FDD86250是一款功率場效應晶體管（MOSFET），常見于各種電力電子應用中。它的應用場景非常廣泛，包括但不限于電源管理、電機驅動、逆變器等領域。下面將詳細介紹FDD86250的參數特點以及應用場景。一、參數特點：- 低導通電阻： FDD86250具有低導通電阻特性，這意味著在導通狀態下，可以實現較低的電壓降，從而減少功耗和提高效率。- 高開關速度： FDD86250具有快速的開關速度，這使其在高頻應用中表現出色，能夠實現快速的開關操作，提高系統響應速度。- 低驅動電壓： 由于FDD86250的低閾值電壓，它需
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/fdd86250dx_1.html3星
        
                            
        
                        
                    
                    
                    
                    
        
                    
        
                    
                    
                    
                    
                
        
            
        
        
        
        
        
            
        
        
        
        
        
        
    
        
    
    
    

        
    
        
        
        
        
        
            
        
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