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        [常見問題解答]MOSFET驅動電路設計：柵極電流為何要超大盡管柵-源阻抗高？[
                                        2025-01-07 10:51
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                                    在現代電子設計中，MOSFET（場效應晶體管）廣泛用于功率控制、信號放大以及數字電路中的關鍵開關元件。然而，設計MOSFET驅動電路時存在一些常見問題。由于 MOSFET 器件通常具有較大的柵源阻抗，為什么我們在驅動這些器件時需要保持較大的柵極電流？一、MOSFET 和晶體管之間的根本區別為了更好地理解這個問題，我們必須首先比較 MOSFET 和傳統三極管的工作原理。三極管是一種限流器件，依靠基極電流來控制集電極電流，MOSFET是穩壓器。受控設備。換句話說，MOSFET 的控制信號通過柵極電壓來調節源極和漏極之間
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/mosfetqddl_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [常見問題解答]晶閘管門極觸發電壓限制：最高允許值解析[
                                        2024-10-08 14:31
                                        ]
        
                                
        
                                    晶閘管，也稱為可控硅整流器（SCR），是電力電子中非常重要的半導體器件。它通過控制柵極電壓實現導通或關斷，廣泛應用于電機驅動、功率控制、AC/DC轉換等領域。在這些應用中，詳細分析柵極觸發電壓的正確設置，特別是最大允許值及其相關因素，對于晶閘管的安全高效運行非常重要。一、什么是柵極觸發電壓柵極觸發電壓是指晶閘管由關斷狀態轉變為導通狀態時，柵極與陰極之間存在的最小電壓值。該電壓通過控制柵極電流來觸發晶閘管的內部電流傳輸。如果觸發電壓不足，晶閘管將保持關斷狀態，無法導通電流。然而，過高的電壓可能會損壞設備或導致整個電路
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/jzgmjcfdyx_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [常見問題解答]全面了解N溝道增強型MOSFET：優點、缺點及應用前景[
                                        2024-09-27 14:40
                                        ]
        
                                
        
                                    N溝道增強型MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）是現代電子器件中不可或缺的組成部分。它的設計與功能使其在許多應用中表現出色。本文將深入探討N溝道增強型MOSFET的優缺點以及未來的應用前景。一、優點1. 高輸入阻抗N溝道增強型MOSFET的柵極與溝道之間隔離著一層絕緣材料（如二氧化硅），這使得其輸入阻抗極高，幾乎不消耗柵極電流。這一特性使得MOSFET在信號放大和開關應用中，能夠有效維護信號的完整性和穩定性。2. 低開關損耗與其他類型的開
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/qmljngdzqx_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [常見問題解答]如何用雙向可控硅觸發電路的原理圖介紹[
                                        2024-01-31 17:46
                                        ]
        
                                
        
                                    如何用雙向可控硅觸發電路的原理圖介紹當觸發器件所需的柵極電流高于控制電路輸出電流能力時，必須放大控制電路輸出電流。例如，如今許多 MCU 的輸出引腳的電流能力約為 30 mA。借助 IGT，他們可以安全地切換高達 15 至 20 mA 的雙向可控硅。如果具有 35 或 50 mA IGT 的 Triac 必須由此類 MCU 控制，則以下是兩種解決方案。首先，并聯使用多個 MCU 輸出引腳（最好是在每個輸出引腳和 Triac 柵極之間使用單獨的柵極電阻，以確保每個引腳之間良好的電流重新分配）。其次，使用如下示意圖所示
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/rhysxkkgcf_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [常見問題解答]電路設計，可控硅電路如何觸發的方法原理介紹[
                                        2023-12-12 18:56
                                        ]
        
                                
        
                                    電路設計，可控硅電路如何觸發的方法原理介紹在設計可控硅（SCR）觸發電路時，可控硅（SCR）整個區域的運行很大程度上取決于其觸發方式。在進行電路設計時，需要特別注意確保沒有誤觸發，同時確保晶閘管在需要時觸發。在可控硅（SCR）觸發中，包括柵極驅動要求（如果使用柵極觸發）、觸發時間（需要保持所施加的觸發激勵時間以使電路鎖存）等各個方面都很重要，各種參數的重要性取決于所使用的可控硅（ SCR ）觸發形式。可控硅（SCR）觸發方法總結可控硅的觸發主要取決于溫度、供電電壓、柵極電流等不同的變量。當向可控硅施加電壓時，如果陽
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/dlsjkkgdlr_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [常見問題解答]怎么觸發導通可控硅介紹[
                                        2023-05-15 16:35
                                        ]
        
                                
        
                                    怎么觸發導通可控硅介紹可控硅可以通過控制電壓或電流來觸發導通。當電壓或電流達到一定的閾值時，可控硅就會導通，從而控制電流的方向和大小。可控硅還可以用來控制電路的功率，從而控制電路的輸出功率。此外，可控硅還可以用來控制電路的頻率，從而控制電路的輸出頻率。可控硅觸發的工作原理是，當可控硅的觸發信號達到一定的閾值時，可控硅就會導通，從而控制電流的方向和大小。可控硅觸發可以更快地控制電流的方向和大小，因此可以更有效地控制電路的輸出功率和頻率。可控硅（SCR）觸發方法總結可控硅的觸發主要取決于溫度、供電電壓、柵極電流等不同的
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/zmcfdtkkgj_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [常見問題解答]晶閘管和雙向可控硅介紹[
                                        2023-01-30 16:52
                                        ]
        
                                
        
                                    晶閘管晶閘管是一種可控整流器，其中從陽極到陰極的單向電流由從柵極到陰極的小信號電流啟動。圖 1 晶閘管原理圖符號晶閘管的工作特性如圖2所示。圖 2 晶閘管 V/I 特性打開晶閘管通過使其柵極相對于其陰極為正來導通，從而使電流流入柵極。當柵極電壓達到閾值電壓 VGT 并且產生的電流達到閾值電流 IGT 時，在稱為柵極控制導通時間 tgt 的非常短的時間內，負載電流可以從“a”流向“k” .如果柵極電流由非常窄的脈沖組成，比如小于 1µs，則其峰值電平將不得不
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/jzghsxkkgj_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [常見問題解答]場效應管放大電路特點解析[
                                        2021-04-24 09:55
                                        ]
        
                                
        
                                    場效應管放大電路特點解析對應三極管的共射、共集及共基放大電路，場效應管放大電路也有共源、共漏和共柵三種基本組態。下面以JFET組成的共源極放大電路為例，介紹場效應管放大電路的工作原理。1.自偏壓電路自偏壓電路如圖3-10所示。在圖中，場效應管柵極通過柵極電阻RG接地，源極通過源極電阻RS接地。這種偏置方式利用JFET(或耗盡型MOS管)在柵源電壓uGS=0時，漏極電流iD≠0的特點，以漏極電流在源極電阻RS上的直流壓降，給柵源之間提供反向偏置電壓。也就是說，在靜態時，源極電位uS=iDRS，由于柵極電流為0，
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/cxygfddltd_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [常見問題解答]MOSFET及JFET比較-如何保護mosfet設備[
                                        2020-04-18 16:04
                                        ]
        
                                
        
                                    MOSFET及JFET比較-如何保護mosfet設備MOSFET和JFET的比較JFET與MOSFETMOSFET 和 JFET的工作原理和電氣特性非常相似。但是，它們在某些方面有所不同，詳情如下：MOSFET與JFET1. JFET只能在耗盡模式下工作， 而MOSFET可以在耗盡或增強模式下工作。在JFET中，如果柵極正向偏置，則發生過量載流子禁令并且柵極電流很大。因此，由于過量的載流子，信道電導在某種程度上得到增強，但是由于柵極電流是不希望的，所以器件從不以柵極正向偏置操作。2. MOSFET的輸入阻抗遠高于J
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/mosfetjjfe_1.html3星
        
                            
        
                        
                    
                    
                    
                    
        
                    
        
                    
                    
                    
                    
                
        
            
        
        
        
        
        
            
        
        
        
        
        
        
    
        
    
    
    

        
    
        
        
        
        
        
            
        
                地 址/Address
        
            
        
                工廠地址：安徽省六安市金寨產業園區
                
        
                深圳辦事處地址：深圳市福田區寶華大廈A1428
        
                中山辦事處地址：中山市古鎮長安燈飾配件城C棟11卡
        
                杭州辦事處：杭州市西湖區文三西路118號杭州電子商務大廈6層B座
        
                電話：13534146615
                企業QQ：2881579535
            
        
        
        
        
        
            
        
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