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        [常見問題解答]浪涌保護器接地電阻的最佳范圍及其重要性[ 2024-12-27 11:37 ]
        浪涌保護器是現代電氣設備防雷、浪涌保護的重要組成部分。性能的關鍵是設置合適的接地電阻。接地電阻的最佳范圍不僅直接取決于電涌保護器的保護效果,而且影響整個系統的安全性和穩定性。本文詳細介紹了電涌保護器接地電阻的最佳范圍及其重要性。一、不同應用場景的接地電阻要求1. 一般建筑對于住宅、辦公樓等一般建筑,接地電阻值一般應小于10歐姆即可滿足,能夠滿足基本的防雷、浪涌泄放要求。2. 關鍵建筑物和設施在安全要求較高的場所,如數據中心、醫院、金融機構等,接地電阻必須保持在4歐姆以下。低接地電阻可以有效減少雷電流的殘余能量,保護
        http://www.kannic.com/Article/lybhqjddzd_1.html3星
        [常見問題解答]硅光子技術的最新進展及其未來應用前景[ 2024-08-30 15:08 ]
        硅光子技術近年來取得了顯著進展,成為推動現代信息技術革新的關鍵力量。隨著數據傳輸需求的不斷增加,傳統電子器件在帶寬和能耗方面的局限性日益凸顯,硅光子技術以其高效、低功耗的特點,逐漸在數據中心、通信網絡和高性能計算等領域展現出巨大的應用潛力。一、最新進展硅光子技術的核心在于將光學器件與硅基集成電路相結合,實現光信號的高效傳輸與處理。近年來,這一技術在多個方面取得了重要突破:1. 集成度提升:隨著制造工藝的不斷進步,硅光子器件的集成度顯著提升?,F代硅光子芯片能夠將激光器、調制器、探測器等光學元件與電子電路集成在單一芯片
        http://www.kannic.com/Article/ggzjsdzxjz_1.html3星
        [常見問題解答]光通信芯片的演變:是否真正實現了快速發展?[ 2024-06-13 09:50 ]
        一、光通信芯片技術的創新趨勢光通信芯片作為光電信號互轉的關鍵部件,對整個光通信系統的性能有著決定性的影響。這些芯片主要由激光器和光探測器組成,前者負責將電信號轉化為光信號,而后者則執行相反的功能。激光器芯片根據發射結構可分為面發射和邊發射兩種,其中面發射芯片包括了如VCSEL之類的設備,邊發射則涵蓋了FP、DFB及EML等類型。探測器方面,主要分為PIN和APD兩大類技術。在應用領域,光通信芯片被廣泛應用于光纖接入、高速移動通信網絡及數據中心等關鍵領域。光模塊,作為光通信設備的核心組件,其性能大部分依賴于光通信芯片
        http://www.kannic.com/Article/gtxxpdybsf_1.html3星
        [常見問題解答]探索雙向變換器的工作原理及其電路設計[ 2024-05-14 10:57 ]
        在信息系統中,例如數據中心,遇到電力中斷時,系統通常需要在幾分鐘內持續運行,隨后由備用電源,如發電機,恢復供電。高效的DC-DC轉換器在這種情況下扮演著電池備份系統(BBU)的接口角色。此時,為了維護設備的運轉,通常會使用電池組,其上的壓降需要通過電源轉換接口來調整,以保持適當的總線電壓。此外,電池組還需供電以補償事件后的能量損耗。如果單一的雙向DC-DC轉換器可以同時承擔電池充電和總線接口的功能,那么它將在成本和尺寸上帶來顯著的優勢。雙向DC-DC變換器不僅能夠從輸入端向輸出端傳輸功率,還能從輸出端回流至輸入端。
        http://www.kannic.com/Article/tssxbhqdgz_1.html3星
        [常見問題解答]非易失性存儲器和易失性存儲器的區別介紹[ 2022-01-19 18:23 ]
        非易失性存儲器和易失性存儲器的區別介紹近年來,非易失性存儲器(nonvolatilememory,NVM)技術得到了快速發展。非易失性存儲器主要分為塊尋址和字節尋址兩類。以閃存(flashmemory)為代表的塊尋址非易失性存儲器已經廣泛應用于嵌入式系統、桌面系統及數據中心等系統中。字節尋址的非易失性存儲器主要包括相變存儲器(phasechangememory,PCM)、阻變存儲器(resistiverandom-accessmemory,RRAM)、自旋矩存儲器(spin-transfertorqueRAM,ST
        http://www.kannic.com/Article/fysxccqhys_1.html3星
        [常見問題解答]GEN2系列 1200V 3L TO-247肖特基二極管特點與作用介紹[ 2021-10-21 09:58 ]
        GEN2系列 1200V 3L TO-247肖特基二極管特點與作用介紹肖特基二極管GEN2系列1200V 3L TO-247有什么特點?相比硅二極管,GEN2碳化硅肖特基二極管可顯著降低開關損耗,并大幅提高電力電子系統的效率和可靠性。(GEN2系列1200V、3L TO-247和2L TO-263肖特基二極管)碳化硅技術的高效性為電動汽車充電器、數據中心電源和可再生能源系統的設計師提供了多重優勢。 由于GEN2碳化硅肖特基二極管相比許多其他解決方案耗散的能量更少,并可在更高的結溫下工作,因此需要的散熱片和系統占用的
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        [常見問題解答]增強型GaN功率晶體管匹配柵極驅動器[ 2019-12-11 15:41 ]
        增強型GaN功率晶體管匹配柵極驅動器氮化鎵(GaN)HEMT是電源轉換器的典范,其端到端能效高于當今的硅基方案,輕松超過服務器和云數據中心最嚴格的80+規范或USB PD外部適配器的歐盟行為準則Tier 2標準。雖然舊的硅基開關技術聲稱性能接近理想,可快速、低損耗開關,而GaN器件更接近但不可直接替代。為了充分發揮該技術的潛在優勢,外部驅動電路必須與GaN器件匹配,同時還要精心布板。對比GaN和硅開關更高能效是增強型GaN較硅(Si)開關的主要潛在優勢。不同于耗盡型GaN,增強型GaN通常是關斷的器件,因此它需要一
        http://www.kannic.com/Article/zqxgangljt_1.html3星

        地 址/Address

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