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[常見(jiàn)問(wèn)題解答]MOS管封裝技術(shù)演變：從傳統(tǒng)到現(xiàn)代的轉(zhuǎn)變[ 2025-04-18 11:30 ]: 隨著電子技術(shù)的不斷進(jìn)步和智能設(shè)備需求的日益增多，MOS管封裝技術(shù)也經(jīng)歷了顯著的變化。從早期的傳統(tǒng)封裝形式到如今的先進(jìn)封裝技術(shù)，封裝技術(shù)的不斷演變，不僅滿足了性能上的要求，也推動(dòng)了更多創(chuàng)新應(yīng)用的實(shí)現(xiàn)。一、傳統(tǒng)封裝技術(shù)：TO系列在20世紀(jì)60年代到90年代，電子器件對(duì)成本和機(jī)械強(qiáng)度的需求較為迫切，MOS管的封裝技術(shù)也在這一時(shí)期得到快速發(fā)展。最常見(jiàn)的封裝形式之一是TO系列封裝，它采用銅或鐵鎳合金金屬引線框架，并通過(guò)外延引腳設(shè)計(jì)來(lái)支撐外接散熱片。這種封裝不僅具有較高的機(jī)械強(qiáng)度，還能提供良好的抗沖擊能力。TO系列封裝的一個(gè)顯; http://www.kannic.com/Article/mosgfzjsyb_1.html

[常見(jiàn)問(wèn)題解答]優(yōu)化開(kāi)關(guān)電源性能：探索RS瑞森高壓MOSFET的關(guān)鍵角色[ 2024-05-13 09:53 ]: 一、開(kāi)關(guān)電源的MOS管選擇指南為確保開(kāi)關(guān)電源的高效和穩(wěn)定運(yùn)作，挑選合適的MOS管至關(guān)重要。首先，漏源電壓VDSS是首要考慮的參數(shù)，選擇時(shí)需確保MOS管的VDSS不超過(guò)設(shè)備規(guī)定的最大擊穿電壓的90%。其次，選定的MOS管必須能承受預(yù)期中的最高電流。此外，導(dǎo)通時(shí)的內(nèi)阻RDS(ON)影響電能的損耗，較低的RDS(ON)有助于減少能耗。最后，MOS管的開(kāi)關(guān)特性，如電容和反向恢復(fù)時(shí)間，也是設(shè)計(jì)時(shí)必須考慮的因素。二、RS瑞森半導(dǎo)體高壓MOS的特點(diǎn)與應(yīng)用瑞森半導(dǎo)體的高壓MOS利用先進(jìn)平面技術(shù)，增強(qiáng)了抗沖擊能力并降低了導(dǎo)通阻抗，使; http://www.kannic.com/Article/yhkgdyxnts_1.html

[常見(jiàn)問(wèn)題解答]智能開(kāi)關(guān)控制之可控硅、繼電器介紹[ 2023-01-06 17:28 ]: 智能開(kāi)關(guān)控制通斷有兩種器件可供選型：可控硅、繼電器可控硅體積更小，且純半導(dǎo)體控制不會(huì)產(chǎn)生物理開(kāi)合時(shí)可能產(chǎn)生的火花，在早期繼電器承受開(kāi)合浪涌沖擊的能力較弱時(shí)，可控硅可以更好地克服繼電器在使用過(guò)程中由于觸點(diǎn)粘連而導(dǎo)致的失效問(wèn)題。以BTA16為例，其承受的沖擊電流可達(dá)170A，這個(gè)抗沖擊能力相當(dāng)于繼電器TV-10的標(biāo)準(zhǔn)。壹芯微科技專(zhuān)注于“二,三極管、MOS(場(chǎng)效應(yīng)管)、橋堆”研發(fā)、生產(chǎn)與銷(xiāo)售，20年行業(yè)經(jīng)驗(yàn)，擁有先進(jìn)全自動(dòng)化雙軌封裝生產(chǎn)線、高速檢測(cè)設(shè)備等，研發(fā)技術(shù)、芯片源自臺(tái)灣，專(zhuān)業(yè)生產(chǎn)流程管理及; http://www.kannic.com/Article/znkgkzzkkg_1.html

[常見(jiàn)問(wèn)題解答]提高電源模塊應(yīng)用電路穩(wěn)定性的要點(diǎn)普及[ 2021-01-08 17:27 ]: 提高電源模塊應(yīng)用電路穩(wěn)定性的要點(diǎn)普及隨著電子科技的發(fā)展，電源模塊因其小體積、高效率、寬輸入電壓范圍、高可靠性、良好的抗沖擊能力、寬溫度范圍等優(yōu)點(diǎn)，廣泛應(yīng)用在工業(yè)電氣、自動(dòng)化電子、通信、醫(yī)療、交通、新能源、儀器儀表、汽車(chē)電子、航空航天、軍工科研等領(lǐng)域設(shè)備。因?yàn)轶w積較小，通常需要外加電路設(shè)計(jì)，是一款板載電源。下面淺談下提高電源模塊應(yīng)用電路設(shè)計(jì)穩(wěn)定性的幾個(gè)要點(diǎn)。1、兩級(jí)浪涌保護(hù)電路。電源模塊很小，在高電磁兼容性要求的場(chǎng)合，需要增加額外的浪涌保護(hù)電路來(lái)提高系統(tǒng)的電磁兼容性。如上圖所示：為了提高輸入級(jí)的浪涌保護(hù)能力，在外圍增; http://www.kannic.com/Article/tgdymkyydl_1.html

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