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        [常見問題解答]功率半導體與寬禁半導體：性能與應用領域的對比[
                                        2024-08-29 14:56
                                        ]
        
                                
        
                                    在現代電子技術領域，半導體材料是核心組件之一。特別是功率半導體和寬禁半導體，這兩種材料在性能特點及應用領域上各有優勢。了解它們之間的差異，對于電子設備的設計和選擇合適的半導體材料至關重要。1. 材料和禁帶寬度功率半導體主要由硅（Si）制成，這是一種歷史悠久且廣泛使用的材料，因其成本效益和成熟的生產技術而受到青睞。硅的禁帶寬度約為1.1eV，適合低至中等電壓的應用。相比之下，寬禁半導體如氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）具有更寬的禁帶寬度，通常在2.3eV到3.3eV之間，這使得它們在高溫、高電壓和高頻率場合表現出更
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/glbdtykjbd_1.html3星
        
                            
        
                        
                    
                    
                    
                    
        
                    
        
                    
                    
                    
                    
                
        
            
        
        
        
        
        
            
        
        
        
        
        
        
    
        
    
    
    

        
    
        
        
        
        
        
            
        
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