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        當(dāng)前位置:首頁 » 全站搜索 » 搜索: 場(chǎng)效應(yīng)管結(jié)構(gòu)
        [常見問題解答]觸摸開關(guān)原理解析和電路設(shè)計(jì)介紹[ 2022-12-16 15:46 ]
        這是一個(gè)用4013組成的觸摸開關(guān)電路,只要用手觸摸一次開關(guān)即可接通,再觸摸一次開關(guān)斷開。電路原理圖見下圖所示。由于CMOS電路的輸入端均為場(chǎng)效應(yīng)管結(jié)構(gòu),而場(chǎng)效應(yīng)管是一種電壓控制元件,它有極高的輸入阻抗,約幾十兆歐。它的輸入端幾乎不消耗電流,因此只要用手觸摸,人體產(chǎn)生的微弱感應(yīng)電壓就足可以使電路翻轉(zhuǎn)。在本電路中,IC1A與R1、C1組成單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器,用來執(zhí)行延時(shí)和消除觸摸時(shí)的干擾和抖動(dòng)。電路輸入端第3腳所加的二極管VD1為輸入端保護(hù)二極管,用來泄放積累的電荷和過高的反向電壓。IC1B接成雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器形式,用來控制繼電
        http://www.kannic.com/Article/cmkgyljxhd_1.html3星
        [常見問題解答]MOS場(chǎng)效應(yīng)管之分類,結(jié)構(gòu)以及工作原理 - 壹芯微[ 2021-08-12 16:44 ]
        MOS場(chǎng)效應(yīng)管之分類,結(jié)構(gòu)以及工作原理 - 壹芯微是一種用輸入電壓控制輸出電流的半導(dǎo)體器件。從參與導(dǎo)電的載流子來劃分,它有電子作為載流子的N溝道器件和空穴作為載流子的P溝道器件。從場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)來劃分,它有結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管之分。一、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(1)結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管結(jié)構(gòu)N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)如下圖所示,它是在N型半導(dǎo)體硅片的兩側(cè)各制造一個(gè)PN結(jié),形成兩個(gè)PN結(jié)夾著一個(gè)N型溝道的結(jié)構(gòu)。兩個(gè)P區(qū)即為柵極,N型硅的一端是漏極,另一端是源極。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)示意圖(2)結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管工作原理以N溝道為例說明其工
        http://www.kannic.com/Article/moscxygzfl_1.html3星
        [常見問題解答]場(chǎng)效應(yīng)管分類-結(jié)構(gòu)和原理解析[ 2021-04-19 09:26 ]
        場(chǎng)效應(yīng)管分類-結(jié)構(gòu)和原理解析場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管,是較新型的半導(dǎo)體材料,利用電場(chǎng)效應(yīng)來控制晶體管的電流,因而得名。它只有一種載流子參與導(dǎo)電的半導(dǎo)體器件,是一種用輸入電壓控制輸出電流的半導(dǎo)體器件。從參與導(dǎo)電的載流子來劃分,它有電子作為載流子的N溝道器件和空穴作為載流子的P溝道器件。從場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)來劃分,它有結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管之分。1.結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(1) 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管結(jié)構(gòu)N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)如下圖所示,它是在N型半導(dǎo)體硅片的兩側(cè)各制造
        http://www.kannic.com/Article/cxygfljghy_1.html3星
        [常見問題解答]結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管結(jié)構(gòu)與分類-工作原理-特性曲線解析[ 2021-04-09 11:23 ]
        結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管結(jié)構(gòu)與分類-工作原理-特性曲線解析場(chǎng)效應(yīng)管(Fjeld Effect Transistor簡(jiǎn)稱FET )是利用電場(chǎng)效應(yīng)來控制半導(dǎo)體中電流的一種半導(dǎo)體器件,故因此而得名。場(chǎng)效應(yīng)管是一種電壓控制器件,只依靠一種載流子參與導(dǎo)電,故又稱為單極型晶體管。與雙極型晶體三極管相比,它具有輸入阻抗高、噪聲低、熱穩(wěn)定性好、抗輻射能力強(qiáng)、功耗小、制造工藝簡(jiǎn)單和便于集成化等優(yōu)點(diǎn)。場(chǎng)效應(yīng)管有兩大類,結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管JFET和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管IGFET,后者性能更為優(yōu)越,發(fā)展迅速,應(yīng)用廣泛。圖Z0121 為場(chǎng)效應(yīng)管的類型及圖形、符號(hào)
        http://www.kannic.com/Article/jxcxygjgyf_1.html3星
        [常見問題解答]絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管圖解[ 2021-04-06 09:47 ]
        絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管圖解絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管是一種利用半導(dǎo)體表面的電場(chǎng)效應(yīng),由感應(yīng)電荷的多少改變導(dǎo)電溝道來控制漏極電流的器件,它的柵極與半導(dǎo)體之間是絕緣的,其電阻大于1000000000Ω。增強(qiáng)型:VGS=0時(shí),漏源之間沒有導(dǎo)電溝道,在VDS作用下無iD。耗盡型:VGS=0時(shí),漏源之間有導(dǎo)電溝道,在VDS作用下iD。1. 結(jié)構(gòu)和符號(hào)(以N溝道增強(qiáng)型為例)在一塊濃度較低的P型硅上擴(kuò)散兩個(gè)濃度較高的N型區(qū)作為漏極和源極,半導(dǎo)體表面覆蓋二氧化硅絕緣層并引出一個(gè)電極作為柵極。N溝道絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管結(jié)構(gòu)動(dòng)畫其他MOS管符號(hào)2. 工作
        http://www.kannic.com/Article/jyzxcxygtj_1.html3星
        [常見問題解答]結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管結(jié)構(gòu),符號(hào)以及工作原理知識(shí)分享[ 2020-12-01 16:46 ]
        結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管結(jié)構(gòu),符號(hào)以及工作原理知識(shí)分享(一)結(jié)構(gòu)、符號(hào)結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管結(jié)構(gòu),符號(hào),工作原理:結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管有N溝道和P溝道兩種。 N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管是在N型硅材料的兩側(cè)制造兩個(gè)PN結(jié),把兩個(gè)P區(qū)連接在一起引出一個(gè)極為柵極(G),N型硅材料上下端分別引出的極為漏極(D)和源極(S) ,其結(jié)構(gòu)如圖1-4(a)所示,其符號(hào)如圖1-4(b)所示,簡(jiǎn)稱為NJFET.它的封裝及外形如圖1-4(c)(d)所示,有塑料封裝和金屬封裝兩種形式。P溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管是在P型材料的兩側(cè)制造兩個(gè)PN結(jié),并分別引出三個(gè)極,其結(jié)構(gòu)如圖1-5(a)
        http://www.kannic.com/Article/jxcxygjgfhy_1.html3星
        [常見問題解答]結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管結(jié)構(gòu)-符號(hào)以及工作原理知識(shí)分享[ 2020-10-26 16:51 ]
        結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管結(jié)構(gòu)-符號(hào)以及工作原理知識(shí)分享(一)結(jié)構(gòu)、符號(hào)結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管結(jié)構(gòu),符號(hào),工作原理:結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管有N溝道和P溝道兩種。 N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管是在N型硅材料的兩側(cè)制造兩個(gè)PN結(jié),把兩個(gè)P區(qū)連接在一起引出一個(gè)極為柵極(G),N型硅材料上下端分別引出的極為漏極(D)和源極(S) ,其結(jié)構(gòu)如圖1-4(a)所示,其符號(hào)如圖1-4(b)所示,簡(jiǎn)稱為NJFET.它的封裝及外形如圖1-4(c)(d)所示,有塑料封裝和金屬封裝兩種形式。P溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管是在P型材料的兩側(cè)制造兩個(gè)PN結(jié),并分別引出三個(gè)極,其結(jié)構(gòu)如圖1-5(a)
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