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        [常見問題解答]影響MOS管損耗的關鍵參數與優化方法[
                                        2025-03-18 11:55
                                        ]
        
                                
        
                                    MOS管作為電子電路中的重要元件，其損耗直接影響系統的能效與穩定性。損耗的產生涉及多個因素，包括其自身的物理特性、電路設計、工作條件以及外部環境等。理解這些影響因素，并采取相應優化措施，可以有效降低MOS管的損耗，提高整體性能。一、影響MOS管損耗的關鍵參數1. 導通電阻（RDS(on)）導通電阻RDS(on)是MOS管在開啟狀態下，源極與漏極之間的電阻值。它直接決定了導通損耗，其計算公式如下：P_conduction = I² × RDS(on)其中，I為漏極電流。導通電阻的大小受工藝、溫度
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/yxmosgshdg_1.html3星
        
                            
        
                        
                    
                    
                    
                    
        
                    
        
                    
                    
                    
                    
                
        
            
        
        
        
        
        
            
        
        
        
        
        
        
    
        
    
    
    

        
    
        
        
        
        
        
            
        
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