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        [常見問題解答]SiC二極管的結構與工作原理解析[ 2025-03-06 11:56 ]
        隨著功率電子技術的發展,對高效率、高耐壓和高溫穩定性的半導體器件需求日益增長。SiC二極管作為第三代半導體技術的重要代表,憑借其卓越的電學和熱學特性,在高功率、高頻和高溫應用中展現出顯著優勢。一、SiC二極管的基本概念SiC二極管是一種基于碳化硅(SiC)材料制造的半導體整流器件。與傳統硅(Si)二極管相比,SiC二極管具有更高的擊穿電壓、更低的正向導通損耗以及更強的耐高溫性能。這使其在電力電子、可再生能源、電動汽車及航空航天等領域占據重要地位。SiC材料具有較寬的帶隙(約3.26 eV),高臨界擊穿場強(Si的約
        http://www.kannic.com/Article/sicejgdjgy_1.html3星
        [常見問題解答]高壓管與穩壓管的工作環境差異解析[ 2025-02-15 11:00 ]
        在工業應用中,高壓管和穩壓管是兩種廣泛使用的管道設備,它們在不同的工作環境下發揮著重要作用。盡管這兩者都是用于輸送流體或氣體的管道,但它們的工作環境、壓力承受能力、材料要求和設計特點存在顯著差異。了解這些差異對于優化管道系統的設計和提高設備的可靠性具有重要意義。一、高壓管的工作環境高壓管通常用于高壓系統中,如蒸汽鍋爐、天然氣管道、電力傳輸系統等。它們在設計時需要考慮到極高的壓力承受能力和耐高溫性能。尤其在一些高溫高壓的工業環境中,高壓管常常承受著超過其常規工作壓力的負載。以蒸汽鍋爐為例,高壓鍋爐管道要經受高溫蒸汽和
        http://www.kannic.com/Article/gygywygdgz_1.html3星
        [常見問題解答]如何利用TVS保護方案應對碳化硅MOSFET的開關尖峰問題[ 2024-08-20 11:07 ]
        在現代電力電子領域,碳化硅(SiC)MOSFET由于其優越的高效能、高頻率和高溫性能,成為眾多應用中的首選。然而,這種先進的半導體器件在快速開關過程中會產生電壓尖峰,給電路穩定性帶來挑戰。為了有效應對這一問題,瞬態電壓抑制二極管(TVS)保護方案成為一種行之有效的選擇。本文將深入探討如何利用TVS保護方案來應對碳化硅MOSFET的開關尖峰問題,并提供實際應用中的示例。 一、碳化硅MOSFET開關尖峰的產生機制 碳化硅MOSFET在高頻率和高電流應用中表現出色,但在開關
        http://www.kannic.com/Article/rhlytvsbhf_1.html3星
        [常見問題解答]整流二極管參數與型號解析[ 2021-05-24 11:32 ]
        整流二極管參數與型號解析整流二極管是利用PN結的單向導電特性,把交流電變成脈動直流電。整流二極管漏電流較大,多數采用面接觸性料封裝的二極管。整流二極管可用半導體鍺或硅等材料制造。硅整流二極管的擊穿電壓高,反向漏電流小,高溫性能良好。通常高壓大功率整流二極管都用高純單晶硅制造(摻雜較多時容易反向擊穿)。這種器件的結面積較大,能通過較大電流(可達上千安),但工作頻率不高,一般在幾十千赫以下。整流二極管主要用于各種低頻半波整流電路,如需達到全波整流需連成整流橋使用。以下為整流二極管型號,最高反向工作電壓 VR,最大平均整
        http://www.kannic.com/Article/zlejgcsyxh_1.html3星
        [常見問題解答]fr107二極管-FR107是什么二極管[ 2019-08-30 14:48 ]
        fr107是什么二極管fr107是快速恢復整流二級管,反向恢復時間250ns,最大正向電流1A,反向耐壓1000V。通常用在小功率開關電源中。整流二極管可用半導體鍺或硅等材料制造。硅整流二極管的擊穿電壓高,反向漏電流小,高溫性能良好。通常高壓大功率整流二極管都用高純單晶硅制造。這種器件的結面積較大,能通過較大電流(可達上千安),但工作頻率不高,一般在幾十千赫以下。整流二極管主要用于各種低頻整流電路。基本參數:FR107,采用DO-41 封裝方式。二極管類型:快速恢復電流參數:IO=1A/IFSM=30A/IR=5u
        http://www.kannic.com/Article/fr107ejgfr_1.html3星

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