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        [常見問題解答]碳化硅MOSFET柵極電荷陷阱問題剖析:測試思路與器件優化建議[ 2025-04-16 14:43 ]
        在寬禁帶半導體器件日益普及的趨勢下,碳化硅MOSFET由于具備高耐壓、高溫穩定性和低導通損耗等優勢,成為高頻高效功率轉換系統中的關鍵元件。然而,其柵極氧化層與界面處的電荷陷阱問題,正成為影響器件長期可靠性和動態性能的核心難題之一。一、電荷陷阱問題的形成機理碳化硅MOSFET的柵極結構通常采用SiO?作為絕緣層,但由于SiC與SiO?之間存在較多的界面態和缺陷,這些缺陷在器件工作中易形成電子或空穴陷阱,導致柵極電荷漂移,進而引起閾值電壓的不穩定變化。這種電荷積累不僅改變柵控行為,還可能在高溫、高壓環境下加劇器件的劣化
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        [常見問題解答]MOS管選型指南:如何匹配電路需求與性能參數[ 2025-02-26 10:42 ]
        在電子電路設計中,MOS管(場效應晶體管)廣泛應用于電源管理、功率轉換和信號控制等領域。合理選型不僅能提升電路性能,還可增強系統的穩定性和效率。然而,MOS管參數眾多,不同應用場景對其電氣特性、散熱能力和開關速度等方面有不同要求,因此在選型時需綜合考慮各種因素,以確保器件與電路需求匹配。1. 選擇合適的溝道類型MOS管根據溝道類型可分為NMOS和PMOS兩類,它們在應用上存在明顯的區別:- NMOS:當柵極電壓高于源極電壓(Vgs > Vth)時導通,適用于低壓側開關和高效功率轉換電路,具有較低的導通電阻和較
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        [常見問題解答]激光焊錫技術在IGBT模塊中的應用與優勢解析[ 2024-12-13 11:50 ]
        IGBT模塊在多個領域的應用日益廣泛,從智能電網到電動汽車,再到可再生能源系統,它在高效功率轉換中的作用尤為突出。IGBT模塊的核心優勢之一在于其能夠高效地處理高壓電流,并保持較低的能量損耗。隨著對模塊性能要求的提升,激光焊錫技術在IGBT模塊封裝中的應用逐漸受到業界的關注,并以其顯著的優勢成為了一種新興的焊接技術選擇。一、IGBT模塊的基本構成與封裝需求IGBT模塊通常由IGBT芯片、續流二極管芯片(FWD芯片)、以及通過特殊電路設計封裝在基板上的多個元件組成。模塊的主要功能是通過高速開關和控制電子設備中的電流,
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        [常見問題解答]線性穩壓器與開關穩壓器解析[ 2023-10-16 18:25 ]
        線性穩壓器與開關穩壓器解析每個新的電子設備都需要某種程度的功率調節。無論新產品是依靠電池,外部電源還是交流電源運行,都需要為新系統設計一種調節策略。這可能涉及多個功率調節電路,通常帶有反饋以提供高效功率轉換。您可能需要各種支持組件和功能,以幫助您調節功率輸出,尤其是在系統以高功率運行時。從用于CPU和GPU的VRM到簡單的線性DC穩壓器的所有內容都需要在布局之前進行一定程度的評估。在創建布局之前,應對穩壓器電路執行一些基本仿真。這是在穩壓器電路仿真步驟中要注意的內容,以及如何發現電路設計問題。穩壓器電路拓撲將確定設
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