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        [常見問題解答]EEPROM與FLASH存儲器：原理差異與應用場景對比[
                                        2024-12-18 11:13
                                        ]
        
                                
        
                                    存儲技術的選擇在現(xiàn)代電子設備中非常重要，尤其是在需要大量數(shù)據(jù)存儲和高可靠性的場景中。然而，EEPROM（電可擦除可編程只讀存儲器）和FLASH存儲器是兩種常見的非易失性存儲器類型，兩者都可以在斷電后保留數(shù)據(jù)。工作原理、性能特點、適用場景等方面存在顯著差異。本文將比較EEPROM和閃存之間的主要區(qū)別，并討論每種存儲器的不同應用場景。一、工作原理的差異EEPROM存儲器的基本結構由多個浮柵晶體管組成。浮置柵極是電隔離的導電區(qū)域，它捕獲并保留電子，從而改變晶體管的閾值電壓。寫入數(shù)據(jù)時，通過施加高電壓將電子注入到浮柵中，從
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/eepromyfla_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [常見問題解答]浮柵晶體管的工作原理與內(nèi)部結構解析[
                                        2024-11-27 11:15
                                        ]
        
                                
        
                                    浮柵晶體管是非易失性存儲器的常見核心元件。其獨特的結構和工作原理在存儲技術中發(fā)揮著重要作用。本文全面分析浮柵晶體管的配置結構和工作機制，以更好地理解其技術含義。一、浮柵晶體管結構浮柵晶體管的設計基于NMOS晶體管的基本結構。在控制柵下方的絕緣層之間添加浮柵層。浮柵層的主要作用是積累電子以存儲信息。浮柵層完全被絕緣材料覆蓋，不直接與外部電路連接，從而具有優(yōu)異的電荷存儲能力。特別值得注意的是，通道附近的絕緣層很薄，并且通常由高質(zhì)量的二氧化硅材料制成。這種設計使得電子在大電場的作用下通過量子隧道進入浮柵層。二、浮柵晶體管
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/fzjtgdgzyl_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [常見問題解答]鐵電存儲器的工作原理介紹[
                                        2022-01-21 16:25
                                        ]
        
                                
        
                                    鐵電存儲器的工作原理介紹隨著IT技術的不斷發(fā)展，對于非易失性存儲器的需求越來越大，讀寫速度要求越來越快，功耗要求越來越小，現(xiàn)有的傳統(tǒng)非易失性存儲器，如EEPROM、FLASH等已經(jīng)難以滿足這些需要了。相對于其他類型的半導體技術而言，鐵電存儲器具有一些獨一無二的特性。鐵電存儲器能兼容RAM的一切功能，并且和ROM技術一樣，是一種非易失性的存儲器。與傳統(tǒng)的非易失性存儲器相比，鐵電存儲器具有功耗小、讀寫速度快、抗輻照能力強等優(yōu)點，因此受到很大關注。1.簡介鐵電存儲器(FRAM，ferroelectricRAM)是一種隨機
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/tdccqdgzyl_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [常見問題解答]鐵電存儲器的結構特點介紹[
                                        2022-01-20 16:20
                                        ]
        
                                
        
                                    鐵電存儲器的結構特點介紹鐵電存儲器是新興的非易失性存儲器，它的起步比較早，率先實現(xiàn)了產(chǎn)業(yè)化，由于其具有功耗小、讀寫速度快、抗輻照能力強的優(yōu)點，在一些需要快速存取、低功耗和抗輻照的小規(guī)模存儲領域有市場。但受鐵電晶體特性制約，F(xiàn)RAM仍有最大訪問(讀)次數(shù)的限制。下面將介紹一下它的一些結構特點：1.鐵電材料結構鐵電存儲器的鐵電材料需要很多要求，經(jīng)過多年的研究，目前主流的鐵電材料主要有以下兩種：PZT、SBT。PZT是鋯鈦酸鉛PbZrxTil-xO3。PZT是研究最多、使用最廣泛的，它的優(yōu)點是能夠在較低的溫度下制備，可以
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/tdccqdjgtd_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [常見問題解答]非易失性存儲器和易失性存儲器的區(qū)別介紹[
                                        2022-01-19 18:23
                                        ]
        
                                
        
                                    非易失性存儲器和易失性存儲器的區(qū)別介紹近年來，非易失性存儲器(nonvolatilememory，NVM)技術得到了快速發(fā)展。非易失性存儲器主要分為塊尋址和字節(jié)尋址兩類。以閃存(flashmemory)為代表的塊尋址非易失性存儲器已經(jīng)廣泛應用于嵌入式系統(tǒng)、桌面系統(tǒng)及數(shù)據(jù)中心等系統(tǒng)中。字節(jié)尋址的非易失性存儲器主要包括相變存儲器(phasechangememory，PCM)、阻變存儲器(resistiverandom-accessmemory，RRAM)、自旋矩存儲器(spin-transfertorqueRAM，ST
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/fysxccqhys_1.html3星
        
                            
        
                        
                    
                    
                    
                    
        
                    
        
                    
                    
                    
                    
                
        
            
        
        
        
        
        
            
        
        
        
        
        
        
    
        
    
    
    

        
    
        
        
        
        
        
            
        
                地 址/Address
        
            
        
                工廠地址：安徽省六安市金寨產(chǎn)業(yè)園區(qū)
                
        
                深圳辦事處地址：深圳市福田區(qū)寶華大廈A1428
        
                中山辦事處地址：中山市古鎮(zhèn)長安燈飾配件城C棟11卡
        
                杭州辦事處：杭州市西湖區(qū)文三西路118號杭州電子商務大廈6層B座
        
                電話：13534146615
                企業(yè)QQ：2881579535
            
        
        
        
        
        
            
        
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