精品国产国产自在线观看,内射人妻无码色AV,欧美性猛交XXXX黑人

[常見(jiàn)問(wèn)題解答]高壓負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)測(cè)試方法與實(shí)戰(zhàn)分析[ 2025-04-15 14:37 ]

在電源設(shè)計(jì)和系統(tǒng)優(yōu)化中，高壓負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)是關(guān)鍵參數(shù)之一，尤其是在微處理器和應(yīng)用特定集成電路（ASIC）的供電系統(tǒng)中。負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)測(cè)試是評(píng)估電源系統(tǒng)在負(fù)載變化時(shí)對(duì)電壓偏差的反應(yīng)能力，這對(duì)于確保設(shè)備在不同工作負(fù)載下的穩(wěn)定性至關(guān)重要。一、負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)的基本概念負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)是指電源系統(tǒng)在負(fù)載發(fā)生變化時(shí)，輸出電壓所產(chǎn)生的瞬時(shí)波動(dòng)。瞬態(tài)響應(yīng)的質(zhì)量直接影響到系統(tǒng)的穩(wěn)定性，尤其在負(fù)載發(fā)生突變時(shí)，電源是否能及時(shí)恢復(fù)至穩(wěn)態(tài)電壓。為此，電源設(shè)計(jì)中對(duì)負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)有著嚴(yán)格的要求，包括輸出電壓波動(dòng)、恢復(fù)時(shí)間以及電流的變化速率等。負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)的

http://www.kannic.com/Article/gyfzstxycs_1.html

[常見(jiàn)問(wèn)題解答]如何控制MOS管制造中的工藝變量[ 2025-04-15 11:07 ]

在半導(dǎo)體行業(yè)，MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）是一種至關(guān)重要的器件，廣泛應(yīng)用于集成電路、開(kāi)關(guān)電源以及數(shù)字電路中。隨著集成電路技術(shù)的不斷進(jìn)步，MOS管的制造工藝日益復(fù)雜，而其中的工藝變量會(huì)直接影響MOS管的性能、穩(wěn)定性和可靠性。1. 工藝變量的定義與影響在MOS管制造過(guò)程中，有多個(gè)工藝變量可能影響最終的器件性能。主要的工藝變量包括摻雜濃度、氧化層厚度、光刻工藝的精度、退火工藝的溫度和時(shí)間等。這些變量的變化不僅會(huì)影響MOS管的電氣特性，如閾值

http://www.kannic.com/Article/rhkzmosgzz_1.html

[常見(jiàn)問(wèn)題解答]深入了解MOS管：工作機(jī)制與特性分析[ 2025-04-02 12:26 ]

MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）作為現(xiàn)代電子器件中的核心部件之一，在集成電路、放大器、開(kāi)關(guān)電源等領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步，MOS管的工作機(jī)制和特性也變得越來(lái)越復(fù)雜和重要，掌握其原理和特點(diǎn)對(duì)于設(shè)計(jì)高效能電路至關(guān)重要。一、MOS管的工作原理MOS管的工作機(jī)制基于其獨(dú)特的結(jié)構(gòu)，主要由源極、漏極、柵極和襯底組成。MOS管內(nèi)部有一層非常薄的氧化物絕緣層（通常是二氧化硅），將柵極與半導(dǎo)體材料分隔開(kāi)來(lái)。柵極控

http://www.kannic.com/Article/srljmosggz_1.html

[常見(jiàn)問(wèn)題解答]靜電二極管在電路保護(hù)中的關(guān)鍵作用解析[ 2025-03-24 11:46 ]

在現(xiàn)代電子設(shè)備中，靜電放電（ESD）一直是電子元件面臨的嚴(yán)重威脅之一。無(wú)論是在消費(fèi)類(lèi)電子、工業(yè)控制系統(tǒng)，還是高可靠性要求的通信設(shè)備中，靜電所引發(fā)的高電壓瞬態(tài)，都可能在瞬間損壞敏感的集成電路。為了應(yīng)對(duì)這一問(wèn)題，靜電二極管應(yīng)運(yùn)而生，成為了電路設(shè)計(jì)中不可或缺的重要保護(hù)元件。一、什么是靜電二極管？靜電二極管，也稱為ESD保護(hù)二極管，是一種專(zhuān)門(mén)用于抑制靜電放電干擾的半導(dǎo)體器件。它的主要功能是當(dāng)外部靜電電壓突然升高時(shí)，迅速導(dǎo)通并將過(guò)電壓引入地線，防止后級(jí)電路因電壓過(guò)沖而損壞。在正常狀態(tài)下，這類(lèi)二極管呈現(xiàn)高阻抗，幾乎不影響信號(hào)或

http://www.kannic.com/Article/jdejgzdlbh_1.html

[常見(jiàn)問(wèn)題解答]集成電路有源區(qū)技術(shù)：設(shè)計(jì)原理與制造流程全解析[ 2025-03-13 14:15 ]

集成電路（IC）在現(xiàn)代電子設(shè)備中扮演著至關(guān)重要的角色，而其中的有源區(qū)（Active Area）更是影響芯片性能的關(guān)鍵部分。它直接決定了晶體管的導(dǎo)電能力、信號(hào)處理精度以及功耗水平。因此，深入理解有源區(qū)的設(shè)計(jì)原理和制造流程，對(duì)提升半導(dǎo)體器件的性能至關(guān)重要。一、什么是集成電路的有源區(qū) 有源區(qū)是半導(dǎo)體器件（如MOSFET晶體管）內(nèi)部用于控制電流流動(dòng)的區(qū)域，主要由經(jīng)過(guò)摻雜處理的硅基底組成。它相當(dāng)于電流的“通道”，通過(guò)柵極電壓的調(diào)

http://www.kannic.com/Article/jcdlyyqjss_1.html

[常見(jiàn)問(wèn)題解答]如何利用ESD保護(hù)二極管防止靜電損害？[ 2025-03-05 10:37 ]

靜電放電（ESD，Electrostatic Discharge）是電子設(shè)備常見(jiàn)的隱形殺手，它能夠在極短時(shí)間內(nèi)產(chǎn)生高達(dá)數(shù)千伏的電壓，嚴(yán)重時(shí)甚至?xí)龤щ娮釉?，?dǎo)致設(shè)備失效或縮短使用壽命。為了有效避免靜電造成的損害，工程師們通常采用ESD保護(hù)二極管來(lái)提供靜電防護(hù)。一、ESD對(duì)電子設(shè)備的影響在現(xiàn)代電子產(chǎn)品中，靜電可能來(lái)源于多種因素，例如人體接觸、環(huán)境濕度變化、電子元件之間的摩擦等。當(dāng)靜電累積到一定程度后，它可能會(huì)通過(guò)電子元件的引腳或接口釋放，形成高壓沖擊。這種沖擊極易損壞敏感器件，如CMOS芯片、集成電路、液晶顯示屏驅(qū)

http://www.kannic.com/Article/rhlyesdbhe_1.html

[常見(jiàn)問(wèn)題解答]續(xù)流二極管的原理及其在電路中的應(yīng)用[ 2025-02-21 11:17 ]

續(xù)流二極管（Flyback Diode），也被稱為飛輪二極管或自由輪二極管，是一種用于保護(hù)電路的重要元件，特別是在電感性負(fù)載的電路中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。一、續(xù)流二極管的基本原理電感性元件（如電感線圈、電動(dòng)機(jī)等）在電流變化時(shí)會(huì)產(chǎn)生反向電動(dòng)勢(shì)（Back EMF）。這是一種由電感的自感作用產(chǎn)生的電壓，它的方向與電流的變化方向相反。當(dāng)電流突然中斷時(shí)，電感中儲(chǔ)存的能量會(huì)以電壓形式釋放出來(lái)，形成一個(gè)突波電壓。這個(gè)突波電壓不僅有可能損壞電路中的開(kāi)關(guān)元件，還可能影響到其他敏感的元件，如三極管、集成電路等。續(xù)流二極管的主要功能是提

http://www.kannic.com/Article/xlejgdyljq_1.html

[常見(jiàn)問(wèn)題解答]集成電路引腳識(shí)別技術(shù)與故障診斷方法研究[ 2025-02-19 10:24 ]

集成電路（IC）是現(xiàn)代電子產(chǎn)品的核心部件，其性能和可靠性對(duì)整個(gè)系統(tǒng)的運(yùn)行至關(guān)重要。IC的引腳識(shí)別技術(shù)和故障診斷方法，成為了其生產(chǎn)、使用和維修中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。隨著電子技術(shù)的不斷進(jìn)步，集成電路的種類(lèi)和封裝形式日益增多，使得引腳識(shí)別和故障排查變得愈加復(fù)雜。一、集成電路引腳識(shí)別技術(shù)集成電路的引腳識(shí)別是指對(duì)不同封裝類(lèi)型的集成電路引腳進(jìn)行準(zhǔn)確定位和編號(hào)的過(guò)程。這一過(guò)程不僅要求識(shí)別方法準(zhǔn)確無(wú)誤，還需要高效、簡(jiǎn)便，尤其在大規(guī)模集成電路的批量檢測(cè)和維修中，具有重要意義。1. 不同封裝結(jié)構(gòu)的引腳識(shí)別方法集成電路的封裝形式有多種，常見(jiàn)的封

http://www.kannic.com/Article/jcdlyjsbjs_1.html

[常見(jiàn)問(wèn)題解答]雙極性脈沖恒流源在復(fù)雜測(cè)試環(huán)境中的優(yōu)勢(shì)與解決方案[ 2025-02-15 11:09 ]

在現(xiàn)代電子測(cè)試領(lǐng)域，尤其是功率半導(dǎo)體、集成電路和其他高端器件的測(cè)試中，雙極性脈沖恒流源（Bipolar Pulse Current Source, BPCS）逐漸成為一種重要的測(cè)試工具。由于其能夠提供精確、可調(diào)且穩(wěn)定的電流脈沖信號(hào)，雙極性脈沖恒流源在應(yīng)對(duì)復(fù)雜測(cè)試環(huán)境中展示出了顯著的優(yōu)勢(shì)，成為許多高精度測(cè)試系統(tǒng)不可或缺的部分。一、工作原理雙極性脈沖恒流源的核心功能是提供精確的電流脈沖，尤其適用于那些需要在不同電流極性下進(jìn)行快速切換的測(cè)試場(chǎng)景。與傳統(tǒng)的單極性恒流源不同，雙極性脈沖恒流源能夠產(chǎn)生正負(fù)兩種極性的脈沖電流。這

http://www.kannic.com/Article/sjxmchlyzf_1.html

[常見(jiàn)問(wèn)題解答]多晶硅作為柵極材料的優(yōu)勢(shì)與應(yīng)用前景[ 2025-02-15 10:45 ]

在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，柵極材料的選擇對(duì)于晶體管性能和集成電路的穩(wěn)定性至關(guān)重要。隨著技術(shù)的發(fā)展，傳統(tǒng)的鋁柵逐步被多晶硅柵取代，尤其是在高性能的MOSFET（氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）和其他集成電路中。多晶硅作為柵極材料的應(yīng)用，已經(jīng)成為現(xiàn)代半導(dǎo)體器件制造中的重要組成部分。一、多晶硅柵極的優(yōu)勢(shì)1. 優(yōu)良的電氣性能多晶硅作為柵極材料，具有顯著的電氣性能優(yōu)勢(shì)。相比傳統(tǒng)的鋁柵，多晶硅在高電壓工作條件下能夠提供更低的漏電流和更強(qiáng)的電流控制能力。這是因?yàn)槎嗑Ч璨牧系碾妼?dǎo)率較低，能有效地抑制柵極漏電流，尤其是在微米級(jí)甚至納米級(jí)工藝中，表

http://www.kannic.com/Article/djgzwzjcld_1.html

[常見(jiàn)問(wèn)題解答]音頻信號(hào)放大與處理技術(shù)：功率放大器的應(yīng)用與優(yōu)化[ 2025-02-08 12:16 ]

在當(dāng)代音響系統(tǒng)中，音頻信號(hào)的放大與處理技術(shù)至關(guān)重要。尤其是功率放大器，作為系統(tǒng)的核心組件之一，它對(duì)音質(zhì)的表現(xiàn)有著直接的決定性影響。一、功率放大器的工作原理功率放大器，顧名思義，主要功能是將微弱的音頻信號(hào)進(jìn)行放大，使其達(dá)到足以驅(qū)動(dòng)揚(yáng)聲器的功率水平。音頻信號(hào)通常來(lái)自音頻源設(shè)備（如CD播放器、數(shù)字音頻播放器等），這些信號(hào)往往電壓較低，無(wú)法直接驅(qū)動(dòng)揚(yáng)聲器發(fā)出聲音。功率放大器的作用就是將這些微弱信號(hào)放大，使其具有足夠的電壓和電流，最終轉(zhuǎn)化為聲音。功放的工作原理通常基于電子元件的使用，例如晶體管、電子管、集成電路等。不同類(lèi)型的

http://www.kannic.com/Article/ypxhfdyclj_1.html

[常見(jiàn)問(wèn)題解答]光耦在隔離技術(shù)中的優(yōu)勢(shì)及與其他方案的對(duì)比[ 2025-02-07 11:12 ]

在現(xiàn)代電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)中，信號(hào)隔離技術(shù)是確保設(shè)備安全性和可靠性的重要手段，尤其在高電壓、高噪聲的工業(yè)和電力環(huán)境中更為關(guān)鍵。光耦作為一種常見(jiàn)的隔離器件，憑借其獨(dú)特的結(jié)構(gòu)和工作原理，廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。一、光耦隔離技術(shù)概述光耦（光電耦合器）是一種基于光信號(hào)傳輸實(shí)現(xiàn)電氣隔離的器件，通常由一個(gè)發(fā)光二極管（LED）和一個(gè)光敏元件（如光敏三極管、光敏晶閘管或光電集成電路）組成。其基本工作原理是：當(dāng)輸入端的LED被電流激勵(lì)發(fā)光時(shí)，光信號(hào)穿過(guò)內(nèi)部的透明隔離層，被輸出端的光敏元件接收并轉(zhuǎn)換為電信號(hào)，完成輸入與輸出的電氣隔離。二、光

http://www.kannic.com/Article/gozgljszdy_1.html

[常見(jiàn)問(wèn)題解答]離子注入技術(shù)中的暈環(huán)現(xiàn)象：影響因素與控制策略[ 2025-01-06 12:28 ]

離子注入技術(shù)是影響集成電路性能的重要工藝之一，特別是在MOSFET器件的特征尺寸不斷縮小的背景下，離子注入技術(shù)變得越來(lái)越精確和可控。在離子注入過(guò)程中，光暈現(xiàn)象是一種顯著的物理效應(yīng)，它直接影響半導(dǎo)體器件的性能。本文詳細(xì)介紹了暈圈現(xiàn)象的產(chǎn)生原因、影響因素以及控制策略，旨在幫助理解暈圈現(xiàn)象在離子注入中的作用。一、暈圈現(xiàn)象的基本概述光暈效應(yīng)通常指在離子注入過(guò)程中，離子束的不均勻分布導(dǎo)致注入?yún)^(qū)域邊緣形成濃度過(guò)渡區(qū)。光暈效應(yīng)與離子束的擴(kuò)散和散射密切相關(guān)，尤其在半導(dǎo)體器件的制造中，它會(huì)引起閾值電壓的變化和寄生電容的增加，從而影響

http://www.kannic.com/Article/lzzrjszdyh_1.html

[常見(jiàn)問(wèn)題解答]電路設(shè)計(jì)中的有源與無(wú)源元件：區(qū)別與實(shí)際應(yīng)用探討[ 2025-01-06 12:18 ]

在電路設(shè)計(jì)過(guò)程中，元件選擇和分類(lèi)非常重要，尤其是對(duì)初學(xué)者和工程師而言。了解電路中的有源元件和無(wú)源元件的區(qū)別，為準(zhǔn)確理解這兩類(lèi)元件的定義、特性、用途和作用提供了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。一、有源元件和無(wú)源元件的基本定義首先，您需要了解有源元件和無(wú)源元件的基本定義。有源元件通常是指可以在電路中提供或轉(zhuǎn)換能量的元件，目的是放大、轉(zhuǎn)換或調(diào)節(jié)輸入信號(hào)。最典型的有源元件是晶體管、二極管和集成電路（IC）。其工作原理基于外部電源和控制信號(hào)，具有信號(hào)放大、電流或電壓調(diào)節(jié)等功能。無(wú)源元件則是不能提供能量增益的元件。它們的主要功能是存儲(chǔ)、調(diào)節(jié)或限制

http://www.kannic.com/Article/dlsjzdyyyw_1.html

[常見(jiàn)問(wèn)題解答]深入分析ADALM2000在二極管動(dòng)態(tài)特性測(cè)試中的應(yīng)用[ 2025-01-02 11:10 ]

隨著電子器件和集成電路的不斷發(fā)展，對(duì)元器件的性能尤其是二極管等半導(dǎo)體器件的動(dòng)態(tài)特性要求越來(lái)越高。在這方面，ADALM2000模塊憑借其豐富的測(cè)量功能，成為了二極管研究與測(cè)試的優(yōu)選工具。在本文中，我們將詳細(xì)介紹ADALM2000在測(cè)量二極管動(dòng)態(tài)特性方面的應(yīng)用，并分析其優(yōu)勢(shì)和實(shí)際操作流程。一、ADALM2000模塊概述ADALM2000是Analog Devices的模塊化儀器，提供高精度信號(hào)生成和采集能力。它具有雙通道輸出信號(hào)源和雙通道輸入信號(hào)采集功能，并可通過(guò)USB連接與計(jì)算機(jī)通信進(jìn)行數(shù)據(jù)處理。這使得ADALM20

http://www.kannic.com/Article/srfxadalm2_1.html

[常見(jiàn)問(wèn)題解答]探討MOS管封裝兼容性問(wèn)題及其對(duì)電路性能的影響[ 2024-12-31 12:15 ]

在現(xiàn)代電子技術(shù)領(lǐng)域，MOS管作為重要的半導(dǎo)體器件被廣泛應(yīng)用于各種電路設(shè)計(jì)和系統(tǒng)集成中。隨著集成電路和電子器件能力的不斷提高，MOS管封裝選型和兼容性方面出現(xiàn)了越來(lái)越多的問(wèn)題。MOS管封裝也直接影響散熱效率、裝置最終系統(tǒng)的工作環(huán)境適應(yīng)性和可靠性。因此，深入研究MOS管封裝兼容性問(wèn)題及其對(duì)電路性能的影響已成為重要決策。它是系統(tǒng)設(shè)計(jì)過(guò)程中不可忽視的重要元素。一、MOS管封裝的基本概念MOS管封裝就是通過(guò)封裝技術(shù)來(lái)保護(hù)MOS管芯片及其周邊引腳的過(guò)程。這些通常包括塑料包裝、金屬包裝、陶瓷包裝等。不同的MOS管封裝類(lèi)型有不同的

http://www.kannic.com/Article/ttmosgfzjr_1.html

[常見(jiàn)問(wèn)題解答]硅晶體缺陷檢測(cè)中的精度與效率：不同測(cè)量技術(shù)對(duì)比[ 2024-12-31 12:05 ]

在半導(dǎo)體制造中，硅晶體的質(zhì)量直接影響集成電路（IC）的性能。硅晶體的結(jié)構(gòu)缺陷，如點(diǎn)缺陷、位錯(cuò)、堆垛層錯(cuò)等，可能會(huì)影響甚至導(dǎo)致器件的電性能，因此準(zhǔn)確有效地檢測(cè)產(chǎn)品中的硅晶體缺陷是保證質(zhì)量的關(guān)鍵。隨著技術(shù)的不斷發(fā)展，硅晶體缺陷的檢測(cè)方法也在不斷發(fā)展和優(yōu)化，這些方法的差異決定了它們的實(shí)際適用性。一、檢測(cè)硅晶體缺陷的重要性硅是目前應(yīng)用最廣泛的半導(dǎo)體材料，廣泛應(yīng)用于各種微電子器件和集成電路的制造工藝中。硅晶體的缺陷會(huì)導(dǎo)致晶體電子結(jié)構(gòu)的變化，從而影響器件性能。點(diǎn)缺陷會(huì)導(dǎo)致電流子濃度分布不均勻，位錯(cuò)會(huì)影響晶體的機(jī)械和電學(xué)性能。這

http://www.kannic.com/Article/gjtqxjczdj_1.html

[常見(jiàn)問(wèn)題解答]超大規(guī)模集成電路中必備的5類(lèi)關(guān)鍵二極管解析[ 2024-12-30 11:28 ]

在超大規(guī)模集成電路（VLSI）中，二極管是關(guān)鍵的電子元件，對(duì)電路性能和穩(wěn)定性有重大影響。無(wú)論是在能源管理、射頻通信還是數(shù)據(jù)處理應(yīng)用中，不同類(lèi)型的二極管都具有獨(dú)特的功能。肖特基二極管的優(yōu)點(diǎn)是為集成電路提供可靠的支持。下面，我們分析VLSI所必需的五種主要二極管，并探討它們的特性、應(yīng)用和重要性。該二極管由于其低正向壓降和快速開(kāi)關(guān)能力而備受關(guān)注，常用于要求高效率、快速響應(yīng)的電路設(shè)計(jì)中。一、肖特基二極管1. 特性分析低正向壓降可顯著降低功率損耗并提高整體能效。開(kāi)關(guān)速度非?？欤浅＿m合高頻信號(hào)處理。此外，肖特基二極管在低壓系

http://www.kannic.com/Article/cdgmjcdlzb_1.html

[常見(jiàn)問(wèn)題解答]什么是低頻功率放大器及其應(yīng)用原理[ 2024-12-24 11:34 ]

低頻功率放大器（LFPA）是一種專(zhuān)門(mén)用于放大低頻信號(hào)的電子器件。低頻信號(hào)通常是頻率低于幾千赫茲的信號(hào)，這些信號(hào)通常源自音頻設(shè)備或某些通信系統(tǒng)。低頻功率放大器的核心功能是將微弱的低頻輸入信號(hào)放大到足夠的功率，以便驅(qū)動(dòng)揚(yáng)聲器、無(wú)線發(fā)射器或其他電氣設(shè)備。低頻功率放大器廣泛應(yīng)用于音響系統(tǒng)、低速數(shù)據(jù)通信、無(wú)線通信等領(lǐng)域。一、低頻功率放大器工作原理低頻功率放大器的基本工作原理是利用放大元件（晶體管、場(chǎng)效應(yīng)管、集成電路等）對(duì)輸入的低頻信號(hào)進(jìn)行放大。隨著輸出功率的增加，低頻信號(hào)通過(guò)輸入側(cè)到達(dá)放大器。經(jīng)過(guò)一系列信號(hào)處理和放大階段，最

http://www.kannic.com/Article/smsdpglfdq_1.html

[常見(jiàn)問(wèn)題解答]深入解析CMOS技術(shù)：MOSFET在現(xiàn)代芯片中的核心作用[ 2024-12-17 10:38 ]

隨著科學(xué)技術(shù)的不斷發(fā)展，集成電路越來(lái)越多地應(yīng)用于現(xiàn)代電子設(shè)備中，而構(gòu)成這些集成電路的基本單元CMOS技術(shù)已經(jīng)成為電子設(shè)計(jì)的一個(gè)組成部分。CMOS不僅僅是其中之一的核心芯片制造技術(shù)，它還通過(guò)使用MOSFET（場(chǎng)效應(yīng)晶體管）實(shí)現(xiàn)高效節(jié)能的運(yùn)行。本文詳細(xì)分析了CMOS技術(shù)，并探討了MOSFET在現(xiàn)代芯片中的核心作用，了解如何推動(dòng)芯片性能和能效的改進(jìn)。一、CMOS技術(shù)概述CMOS是一種基于金屬氧化物半導(dǎo)體的集成電路技術(shù)。其主要特點(diǎn)是使用互補(bǔ)的N型和P型MOSFET構(gòu)建邏輯門(mén)，可以適應(yīng)芯片內(nèi)不同的邏輯狀態(tài)并精確控制電流的流動(dòng)

http://www.kannic.com/Article/srjxcmosjs_1.html

深圳市壹芯微科技有限公司二極管·三極管·MOS管·橋堆

相關(guān)搜索/Related search

壹芯微資訊中心

導(dǎo) 航/Navigation

地址/Address

深圳市壹芯微科技有限公司二極管·三極管·MOS管·橋堆

相關(guān)搜索/Related search

壹芯微資訊中心

導(dǎo) 航/Navigation

地 址/Address

地址/Address