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        [常見問題解答]移相全橋拓撲結構與工作原理解析[ 2025-04-24 14:33 ]
        移相全橋拓撲廣泛應用于電力電子領域,特別是在高效能和高功率需求的場合。其獨特的控制策略使得電路能夠實現軟開關,從而顯著降低開關損耗,提高整體轉換效率。一、移相全橋拓撲基本結構移相全橋拓撲的核心是基于全橋結構的電路,其中包括原邊全橋電路、變壓器以及副邊整流電路。其主要功能是通過調節開關管的相位差來控制輸出電壓。1. 原邊全橋電路移相全橋的原邊電路由四個功率開關管(通常為MOSFET或IGBT)組成,分別標記為Q1、Q2、Q3和Q4。這些開關管按一定的順序導通與關斷,從而形成兩組橋臂:超前橋臂(Q1、Q2)和滯后橋臂(
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        [常見問題解答]高效開關電源開發需掌握的十大核心技術[ 2025-04-19 11:10 ]
        隨著電子設備向輕量化、高功率密度和低能耗方向不斷發展,開關電源技術作為其中的核心支撐,其設計水平直接影響系統性能、產品穩定性與能效比。一、功率拓撲架構的合理選擇不同的應用場景對電源轉換結構有不同的要求。常見的有Buck、Boost、Flyback、Full-Bridge等形式,選擇何種拓撲結構必須依據輸入輸出參數、變換效率以及可靠性要求綜合判斷。在高效率設計中,軟開關拓撲(如LLC諧振)和雙有源橋結構越來越受到關注。二、磁性元件的高頻化優化在高頻開關電源中,磁性元件的性能直接影響整體效率與尺寸。選用低損耗磁材、優化
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        [常見問題解答]移相全橋軟開關技術比較:ZVS與ZVZCS優劣全解析[ 2025-04-16 11:11 ]
        在高效電能轉換系統的設計過程中,移相全橋結構因其具備高可靠性與較低開關損耗,在中大功率DC-DC轉換器中被廣泛采用。而為了進一步減少器件在開關瞬間的應力與損耗,軟開關技術成為重要優化方向。目前常見的軟開關實現形式主要包括ZVS(零電壓開通)和ZVZCS(零電壓零電流開關)兩種。一、ZVS在移相全橋中的實現與特點ZVS(Zero Voltage Switching)即開關器件在關斷之后,其兩端電壓被完全釋放為零后再進行開通。該技術主要依賴電路中的寄生電容與變壓器漏感來完成能量的移除,從而降低硬開通帶來的損耗。ZVS型
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        [常見問題解答]LLC與移相全橋誰更常用?一文看懂它們的主流應用與選型邏輯[ 2025-04-16 10:56 ]
        在開關電源設計中,LLC諧振變換器與移相全橋變換器都是被廣泛使用的拓撲結構。雖然二者都具備軟開關能力、效率高、功率密度大的優勢,但它們在應用場景、設計復雜度、控制方式等方面卻存在顯著差異。很多工程師在面對選型時也常常面臨抉擇:到底哪一種更常用?一、兩者原理簡析:技術路線不同LLC變換器基于串聯諧振電感和電容構成諧振腔,通過調整工作頻率以實現功率控制。其最大特點是在零電壓開關(ZVS)或近似零電流開關(ZCS)條件下完成開關動作,適合中高頻高效轉換,特別適用于輕載效率要求高的場合。移相全橋結構則通過控制四個功率開關之
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        [常見問題解答]移相全橋與全橋LLC拓撲結構對比:原理、性能與適用場景解析[ 2025-04-16 10:49 ]
        在高性能電源轉換設計中,移相全橋(PSFB)和全橋LLC是兩種廣泛應用的拓撲結構。兩者雖同屬全橋型DC-DC轉換架構,但在電路原理、效率表現、控制策略和應用適配性方面存在諸多差異。理解它們的關鍵特性,對于工程師在不同項目中正確選型具有重要指導價值。一、拓撲原理差異詳解移相全橋主要依靠控制橋臂之間的導通相位差實現功率調節。通過四個功率MOSFET組成的橋式網絡,輸入電壓施加于變壓器初級線圈上,再經輸出整流得到所需電壓。其能量傳輸過程部分依賴變壓器漏感和外接輸出電感,主要采用硬開關或近似軟開關方式,調制機制較為清晰。全
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        [常見問題解答]LLC與雙管正激電源設計差異與選型指南[ 2025-04-08 12:17 ]
        在電源設計領域,LLC諧振變換器與雙管正激變換器是兩種極具代表性的拓撲結構。它們各自擁有獨特的性能優勢,也面臨不同的設計權衡。在具體選型時,工程師需要根據系統需求、負載特性、效率指標以及成本預算進行合理取舍。一、電路拓撲與工作原理差異LLC諧振變換器屬于軟開關拓撲,主要依靠電感與電容形成的諧振網絡,實現近似正弦波的電流波形,從而達到降低開關損耗的目的。其開關管在零電壓或零電流時導通,有效降低了MOSFET的損耗和EMI輻射。而雙管正激結構則是傳統的硬開關方案,兩個功率管輪流導通實現能量傳輸。雖然在高頻率條件下存在一
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        [常見問題解答]3千瓦LLC拓撲中SiC MOSFET的集成優化路徑[ 2025-04-07 12:10 ]
        在高效電源系統快速發展的背景下,LLC諧振變換器憑借其高效率和低電磁干擾特性,逐漸成為中高功率密度應用的首選拓撲之一。而在實現高頻率、高效率運行的過程中,碳化硅(SiC)MOSFET的集成應用正成為性能突破的關鍵路徑之一。一、SiC MOSFET在3kW LLC中的技術適配性LLC拓撲本身以其軟開關特性(ZVS或ZCS)有效降低開關損耗,適合高頻操作。將SiC MOSFET引入該拓撲后,其具備的低導通電阻、高擊穿電壓和極低的反向恢復電荷特性,使其更適用于200kHz~500kHz以上的工作頻率區間。相比傳統硅基MO
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        [常見問題解答]揭示雙管正激效率瓶頸:設計與損耗的平衡難題[ 2025-03-25 14:45 ]
        雙管正激(Dual Active Bridge, DAB)變換器作為一種具有雙向能量傳輸能力的高頻功率變換拓撲,被廣泛應用于電動汽車充電樁、儲能系統、服務器供電模塊、光伏逆變器以及直流微電網等中高功率場景中。DAB結構具有拓撲簡潔、能量雙向流動、適配軟開關、高功率密度等優點,理論上轉換效率可以達到96%甚至更高。然而,理想與現實之間總存在差距。即使采用先進控制策略與高性能器件,雙管正激的實測效率仍常常低于設計預期。這背后隱藏著多個“效率殺手”,它們既來自器件本身的物理特性,也來自控制系統、P
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        [常見問題解答]淺析移相全橋變換器的工作過程與關鍵參數[ 2025-03-24 11:05 ]
        在現代中高功率DC-DC變換場景中,移相全橋(Phase Shift Full Bridge, PSFB)因其優秀的軟開關特性和良好的能效表現,被廣泛應用于服務器電源、通信設備、工業控制、軍工系統等領域。一、移相全橋變換器的基本構成移相全橋拓撲結構主要由以下幾個部分組成:四個功率開關管(通常為MOSFET或IGBT)、輸入濾波電容、變壓器、諧振電感、以及副邊整流與濾波電路。其中,原邊四個開關器件構成一個橋式結構,對角的兩個器件交替導通,用以實現移相控制。副邊電路則采用全橋整流或全波整流方式,根據輸出功率等級與效率需
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        [常見問題解答]優化LED驅動電源設計:針對電磁干擾的三項關鍵硬件措施[ 2024-08-09 10:58 ]
        隨著LED照明技術的廣泛應用,LED驅動電源的設計不僅要考慮效率和穩定性,還必須處理電磁干擾(EMI)問題,以確保設備不會對周圍環境產生不利影響。電磁干擾不僅可能干擾LED照明設備的正常運作,還可能對附近的電子設備造成影響,甚至引起系統故障。本文將探討三種關鍵的硬件措施,這些措施可以有效地優化LED驅動電源設計,從而降低電磁干擾。一、軟開關技術軟開關技術是通過在電路中增加電感和電容元件來實現的。這些元件利用其諧振特性來降低開關過程中電壓和電流的變化率(du/dt 和 di/dt)。這種技術可以使開關器件在開通和關斷
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        [常見問題解答]優化開關電源性能:無源軟開關技術的集成方法[ 2024-05-31 09:56 ]
        一、飽和電感的熱特性與緩沖效果飽和電感主要通過其磁滯損耗來吸收電流尖峰能量,其主要熱功率來源于磁芯。為保證效率和安全性,磁芯材料應選用高頻材質,且磁芯溫度不得超過居里溫度,以維持其磁性。高導熱系數、大散熱面積和短熱傳導路徑是設計中的關鍵考慮因素。二、飽和電感的緩沖作用在電路中串接飽和電感可以有效延緩和減弱沖擊電流尖峰,實現軟開通效果。這種電感在電流增加時開始展現高阻抗,進入飽和后阻抗降低,有助于功率的高效傳輸。在電流關斷階段,電感的逐步退飽和幫助緩解電壓上升速度,從而軟化關斷過程。三、無損吸收與緩沖電路設計無損吸收
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        [常見問題解答]提高能效與穩定性:移相全橋DC/DC變換器的最新技術發展[ 2024-05-11 11:19 ]
        一、引言在電力電子技術逐漸成熟的背景下,開關電源的發展趨勢是朝向更輕、體積更小、高頻化和效率更高的方向。為實現這些目標,本文采用了軟開關技術,通過使開關管實現零電壓開通或零電流關斷,既提高了效率,也減少了電磁干擾。此外,研究發現,配備飽和電感的移相全橋DC/DC變換器不僅能更有效地實現零電壓切換,還能減少占空比的損失。二、設計目標與應用現狀目前,高功率密度和大容量是變換器技術發展的關鍵方向。在多數應用場景中,幾百伏的直流電壓通常是通過較低電壓轉換得來的,以供給逆變器或負載使用。然而,在DC/DC變換器處于低壓高電流
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        [常見問題解答]IGBT如何選型,IGBT晶體管如何選型詳解[ 2023-12-13 18:41 ]
        IGBT如何選型,IGBT晶體管如何選型詳解選型IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是電子設備設計中的重要任務,因為正確的IGBT選擇對于設備性能和可靠性至關重要。本文將介紹如何選擇適合您應用的IGBT,并解釋IGBT的關鍵特性以及如何閱讀IGBT的數據表。在選擇IGBT時,以下幾個關鍵問題需要考慮:1. 工作電壓IGBT的工作電壓應不超過其VCES額定值的80%。這確保了IGBT在工作時具有足夠的電壓容忍度,防止設備過載。2. 開關方式要確定是采用硬開關還是軟開關,硬開關通常需要Punch-Through(PT)型IGB
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        [常見問題解答]MOSFET的EOSS參數解析[ 2023-05-23 17:13 ]
        MOSFET的EOSS參數解析Mosfet的寄生參數,其中Eoss是一個非常重要的參數。1、Eoss參數的重要性對于硬開關變換電路來說,MOSFET開通之前,Coss需要釋放能量,這部分能量就構成一部分導通損耗。對于軟開關變換電路來說,MOSFET開通之前,電流可以為零,也可以流過反向二極管續流。實現了軟開關減小了導通損耗。因此,Eoss在于硬開關電路里面是非常重要的。對于軟開關電路來說,Eoss并不會太影響效率。2、Eoss參數的來源2.1 Coss的來源Coss為MOSFET的寄生電容,Coss = Cgd +
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        [常見問題解答]如何用LLC電路實現軟開關[ 2023-05-05 16:05 ]
        如何用LLC電路實現軟開關與傳統PWM(脈寬調節)變換器不同,LLC是一種通過控制開關頻率(頻率調節)來實現輸出電壓恒定的諧振電路。它的優點是:實現原邊兩個主MOS開關的零電壓開通(ZVS)和副邊整流二極管的零電流關斷(ZCS),通過軟開關技術,可以降低電源的開關損耗,提高功率變換器的效率和功率密度。學習并理解LLC,我們必須首先弄清楚以下兩個基本問題:1.什么是軟開關;2.LLC電路是如何實現軟開關的。由于普通的拓撲電路的開關管是硬開關的,在導通和關斷時MOS管的Vds電壓和電流會產生交疊,電壓與電流交疊的區域即
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        [根欄目]電源模塊設計面臨的挑戰及未來的發展趨勢[ 2021-01-08 17:23 ]
        電源模塊設計面臨的挑戰及未來的發展趨勢電源模塊是開關電源的一個發展趨勢,隨著電源技術的發展,使開關電源實現模塊化成為可能。電源在系統設計中非常重要,因為電源如果不好就會導致電子設備系統的不穩定。下面來探討下電源模塊的設計,及對未來發展趨勢進行簡要分析。近年來,電源模塊的需求持續向高功率密度、高效率和高電流低電壓方向發展。隔離模塊的設計主要還是采用單端反激、單端正激、正反激組合、推挽、橋式變換等傳統的電路拓撲,非隔離模塊采用BUCK、BOOST等。關于高效率方面,為了提高效率可以結合各種軟開關技術,包括無源無損軟開關
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        [常見問題解答]電源模塊的6個優勢及其作用[ 2021-01-08 16:19 ]
        電源模塊的6個優勢及其作用隨著電子行業的發展,對電源的要求體積更小、可靠性更高。加上高頻軟開關技術、半導體工藝和封裝技術的進步,電源模塊的功率密度越來越大,轉換效率也越來越高,應用更加簡單了。電源模塊與分立式方案相比,優勢在哪里?采用電源模塊方案除了可以節省成本和開發時間,還具有多個優點。一、電源模塊的優點1、設計簡單目前市場上種類繁多,有AC-DC、DC-DC、高壓等模塊,只需選擇適合的一款電源模塊,配上少量分立元件即可使用。模塊內部高集成電路,使設計更加緊湊,供應商還可以提供專業的技術支持和系統解決方案。與分立
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        [常見問題解答]基于高速IGBT的100kHz高壓-低壓DC/DC轉換器知識[ 2020-08-25 16:07 ]
        基于高速IGBT的100kHz高壓-低壓DC/DC轉換器知識本文分析了一種基于高速IGBT的軟開關移相全橋帶同步整流的DC/DC轉換器。移相全橋拓撲的軟開關技術是混合動力汽車和電動汽車高壓-低壓DC/DC轉換器的主流關鍵技術。業界早期使用MOSFET作為主功率單元,隨著該DC/DC轉換器的功率需求逐漸增大,基于MOSFET的設計系統效率急劇下降,已經不能滿足應用要求。本文采用高速IGBT和快速二極管功率模塊F4-50R07W1H3作為DC/DC轉換器核心主功率單元,采用無核傳感技術的驅動芯片1ED020I12FA2
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        [常見問題解答]LLC拓撲中-為什么選用體二極管恢復快的MOSFET[ 2019-12-13 15:11 ]
        在LLC拓撲中,為什么選用體二極管恢復快的MOSFET在當前全球能源危機的形式下,提高電子設備的能效,取得高性能同時降低能耗,成為業內新的關注點。為順應這一趨勢,世界上許多電子廠商希望在產品規格中提高能效標準。在電源管理方面,用傳統的硬開關轉換器是很難達到新能效標準。因此,電源設計者已將開發方向轉向軟開關拓撲,以提高電源的能效,實現更高的工作頻率。LLC諧振轉換器就是一種軟開關拓撲,允許主功率開關管零電壓開關,顯著降低開關損耗,大幅提高電源能效。在這種拓撲中,為了實現ZVS開關,功率開關管的寄生體二極管必須反向恢復
        http://www.kannic.com/Article/llctpzwsmx_1.html3星
        [常見問題解答]雙晶體管正激有源鉗位軟開關電源設計知識[ 2019-12-12 12:28 ]
        雙晶體管正激有源鉗位軟開關電源設計知識同時對技術薄弱的電源企業就是一個巨大的考驗。在電源行業來講,這幾年大家一直致力于80PLUS的產品研發,時至今日,這項技術在大的企業已經得到普及。接下來的方向就是如何來達到85PLUS的要求。這對于一般的適配器或高電壓直流輸出的電源來講沒有什么問題,大家很容易就可以實現。但是對于一般的PC電源或服務器電源這種帶多輸出中低直流電壓的電源來講,要達到85PLUS就不這么容易了。電源目前常見的幾種可以實現高效率的電路拓撲來講,單晶體管有源鉗位技術現在有很多廠商推廣,但是目前使用情況還
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        地 址/Address

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        杭州辦事處:杭州市西湖區文三西路118號杭州電子商務大廈6層B座
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