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        [常見(jiàn)問(wèn)題解答]MOS管的PWM調(diào)制控制方法詳解與實(shí)用案例[ 2024-11-08 15:28 ]
        PWM(脈沖寬度調(diào)制)由于其高效率和靈活性而廣泛應(yīng)用于現(xiàn)代電子設(shè)備中。尤其是在功率控制、信號(hào)處理、負(fù)載驅(qū)動(dòng)等場(chǎng)景中,場(chǎng)效應(yīng)晶體管因其快速開(kāi)關(guān)能力和低導(dǎo)通電阻而成為理想的解決方案。本文詳細(xì)介紹了MOS管的PWM調(diào)制控制方法,并結(jié)合實(shí)例。一、PWM調(diào)制的基本原理PWM調(diào)制通過(guò)改變脈沖寬度來(lái)控制信號(hào)的占空比,從而控制信號(hào)的平均值。占空比是指脈沖寬度與總周期的比值,直接影響輸出信號(hào)的平均電壓或電流。例如,調(diào)整占空比可以讓您改變電機(jī)控制器LED的亮度,還可以讓您調(diào)整電機(jī)的速度,進(jìn)行精確控制。二、MOS管的基本結(jié)構(gòu)與控制MOS
        http://www.kannic.com/Article/mosgdpwmdz_1.html3星
        [常見(jiàn)問(wèn)題解答]雙向可控硅在現(xiàn)代電路設(shè)計(jì)中的創(chuàng)新應(yīng)用[ 2024-07-05 11:32 ]
        一、雙向可控硅電路設(shè)計(jì)的應(yīng)用前景雙向可控硅的電路設(shè)計(jì)為眾多應(yīng)用提供了廣闊的前景。合理設(shè)計(jì)的負(fù)載驅(qū)動(dòng)和保護(hù)電路不僅能滿足實(shí)際需求,而且能通過(guò)精準(zhǔn)調(diào)控電壓和電流、高效使用能源等功能提升設(shè)備性能與可靠性,降低運(yùn)營(yíng)成本。隨著技術(shù)進(jìn)步,雙向可控硅的電路設(shè)計(jì)應(yīng)用將進(jìn)一步擴(kuò)展。二、雙向可控硅的基本工作機(jī)制雙向可控硅是一種能夠在雙向上導(dǎo)電的半導(dǎo)體器件。其由兩個(gè)反向并聯(lián)的單向可控硅組成,具有不同的內(nèi)部結(jié)構(gòu)。它包括陽(yáng)極(A)、陰極(K)和控制極(G)三個(gè)引腳。在控制極未施加電壓時(shí),設(shè)備是關(guān)閉的。一旦控制極施加電壓,雙向可控硅便開(kāi)始導(dǎo)電
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        [常見(jiàn)問(wèn)題解答]MOS集成電路的功能知識(shí)詳解[ 2020-11-13 16:54 ]
        MOS集成電路的功能知識(shí)詳解MOS集成電路的功能(1)放大MOS晶體管作為有源元件,本來(lái)就是用作放大元件的。在圖3.15所示的互補(bǔ)型電路中,P溝道和N溝道晶體管互為有源元件和負(fù)截元件而工作,適用于重負(fù)載驅(qū)動(dòng)和小功率電路。但與單溝道MOS集成電路相比,工藝流程復(fù)雜。(2)負(fù)載考慮其控制參數(shù)和芯片面積等單項(xiàng)功能,用MOS晶體管做負(fù)載要比擴(kuò)散電阻負(fù)載有利。MOS晶體管負(fù)載利用了漏-源間的伏安特性,依柵接地的形式大體分為兩種。還加了一種兼具兩者的優(yōu)點(diǎn)的、可實(shí)現(xiàn)新功能的電抗型的負(fù)載形式。表中所列的漏接地電路是目前最常用的形式
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        地 址/Address

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        中山辦事處地址:中山市古鎮(zhèn)長(zhǎng)安燈飾配件城C棟11卡
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