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[常見問題解答]MDD超快恢復二極管封裝工藝如何影響散熱效率與系統(tǒng)可靠性？[ 2025-04-19 11:52 ]

在現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)中，隨著開關頻率不斷提升以及功率密度持續(xù)增大，對功率器件的熱管理能力提出了更高的要求。尤其是MDD系列超快恢復二極管，由于具備極短的反向恢復時間與低導通壓降，在開關電源、高頻整流、車載DC-DC模塊、新能源變換器等場合中得到廣泛應用。然而，不合理的封裝工藝往往成為其散熱瓶頸，進而影響系統(tǒng)的長期穩(wěn)定運行。一、封裝材料與結構對熱傳導性能的制約功率二極管封裝的本質，是將芯片產生的熱量迅速傳導至外部熱沉或空氣中，降低芯片溫升。若封裝采用普通塑封材料或未優(yōu)化的引線結構，將直接限制熱流路徑，導致結溫（Tj）快

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[常見問題解答]IGBT模塊穩(wěn)中求進：散熱設計驅動封裝質量全面躍升[ 2025-03-28 12:27 ]

在高功率電子應用快速發(fā)展的背景下，IGBT模塊作為關鍵能量轉換組件，正面臨性能密度持續(xù)提升、熱應力驟增的雙重挑戰(zhàn)。尤其在軌道交通、新能源發(fā)電、工業(yè)驅動等對可靠性要求極高的場景中，封裝質量已成為影響模塊整體性能和使用壽命的核心因素。而散熱設計，作為封裝工藝中的“隱性支柱”，正在悄然主導IGBT模塊從傳統(tǒng)到高端的躍遷之路。功率器件在運行過程中不可避免地產生大量熱量，如果熱量不能及時有效釋放，器件結溫將迅速升高，從而加速芯片老化、引發(fā)焊點失效，最終導致模塊失效。因此，提升散熱能力，不僅僅是優(yōu)化IG

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[常見問題解答]二極管過載的原因及預防方法詳解[ 2024-12-16 11:16 ]

二極管是電子電路中重要的半導體元件。它們在直流控制、整流和信號調節(jié)等應用中發(fā)揮著核心作用。但如果二極管在長期使用過程中設計和保護不當，則存在因過載而損壞的風險。本文將詳細講解二極管過載的原因以及如何預防，以便更好地了解和避免這一問題。一、二極管過載的原因1. 超過額定電流每個二極管都有一個最大正向電流 (IF) 值。電流超過此值可能會損壞二極管的內部結構。過載的常見原因包括電源設計不當、過早的電源調節(jié)或臨時電源浪涌。如果電流繼續(xù)超過二極管的最大容差，二極管內的結溫將會升高，最終導致熱失控并損壞二極管。2. 反向電壓

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[常見問題解答]LED檢測必備知識：你不可不知的五大測試標準[ 2024-07-12 11:34 ]

一、LED熱學特性和結溫測量在LED的應用中，熱管理是不可忽視的一環(huán)。熱阻和結溫是評估LED熱性能的兩個關鍵指標。熱阻定義為器件熱流路徑上的溫差與功率耗散的比例，而結溫則指的是LED的半導體結的實際溫度。常用的結溫測量技術包括紅外測溫和熱偶測量法。前者通過捕捉芯片表面的紅外輻射來估計溫度，而后者則通過直接測量小型熱偶的溫度來確定。二、LED優(yōu)勢：節(jié)能與環(huán)保LED光源以其高效率和長壽命被廣泛認可。相較于傳統(tǒng)白熾燈，LED的能效高達20-28lm/w，壽命可超過100,000小時，顯著優(yōu)于其他類型的照明。此外，LED燈

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[常見問題解答]探索壓敏電阻在現(xiàn)代科技中的關鍵應用[ 2024-07-04 10:39 ]

壓敏電阻，通常受到外部電壓變化影響而調整其阻值，主要依據(jù)壓電效應、熱釋電效應及勢壘效應來適應環(huán)境變動。首先，解析壓敏電阻阻值的計算方法。阻值受材料特性如載流子濃度、晶體大小以及燒結溫度等因素影響，同時環(huán)境溫度、濕度及壓力的變化亦會對其產生影響。在技術參數(shù)方面，壓敏電阻包括阻值、響應速率、耐壓以及功率等指標。阻值通常以歐姆（Ω）計，響應速率則描述電阻器對外部力或電場變化后，輸出電信號的速度。耐壓反映了電阻器能夠承受的最大電壓，通常以伏特（V）表示；功率則以瓦特（W）作為計量單位。關于測量壓敏電阻的阻值，通常利用萬用表

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[常見問題解答]如何優(yōu)化PFC電路效率：關鍵二極管選擇技巧[ 2024-06-12 09:52 ]

一、新型600V Tandem二極管與傳統(tǒng)600V二極管在PFC電路中的性能比較在功率因數(shù)校正（PFC）電路中，二極管的選擇對整體效率有著決定性的影響，尤其在連續(xù)工作模式及高負荷開關條件下。傳統(tǒng)的600V二極管（例如STTA806D）和ST Microelectronics推出的600V Tandem（STTH806TTI）二極管在這些應用中的表現(xiàn)差異顯著。二、性能分析與選擇因素選擇合適的二極管需要考慮多個技術參數(shù)，主要包括開關頻率（Fs）、供電電壓（Vmains）和二極管的工作結溫（Tj）。1. 開關頻率影響：在

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[常見問題解答]避免錯誤：常見的可控硅型號識別誤區(qū)及其糾正方法[ 2024-04-30 10:52 ]

一、可控硅型號與參數(shù)表可控硅的核心性能參數(shù)：1. 額定正向通斷電壓(VPFU)：在控制端無信號的正向阻斷狀態(tài)下，可反復施加的最大正向電壓，通常為正向轉折電壓的80%。2. 反向阻斷頂峰電壓(VPRU)：在控制端開路且達到最高結溫時，可重復施加的最高反向電壓，此電壓通常是最大測試反向電壓的80%。3. 額定正向平均電流(IF)：在+40C環(huán)境溫度下，該器件在標準散熱條件下能持續(xù)通過的工頻正弦半波電流的平均值。4. 正向平均電壓降(UF)：在特定條件下，設備在通以額定正向電流時，陽極和陰極之間的平均電壓降。5. 維持電

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[常見問題解答]功率Mos管損壞主要原因有哪些[ 2023-02-10 17:34 ]

mos在控制器電路中的工作狀態(tài)：開通過程（由截止到導通的過渡過程）、導通狀態(tài)、關斷過程（由導通到截止的過渡過程）、截止狀態(tài)。Mos主要損耗也對應這幾個狀態(tài)，開關損耗（開通過程和關斷過程），導通損耗，截止損耗（漏電流引起的，這個忽略不計），還有雪崩能量損耗。只要把這些損耗控制在mos承受規(guī)格之內，mos即會正常工作，超出承受范圍，即發(fā)生損壞。而開關損耗往往大于導通狀態(tài)損耗，不同mos這個差距可能很大。Mos損壞主要原因：過流----------持續(xù)大電流或瞬間超大電流引起的結溫過高而燒毀過壓----------源漏過

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[常見問題解答]ESD二極管兼作溫度傳感器介紹[ 2023-02-09 16:26 ]

問：根據(jù)數(shù)據(jù)手冊規(guī)格估算高速放大器的結溫有多準確？結溫是否易于測量？答：從環(huán)境溫度（T一個）、功耗（PD），和熱阻 θJA），如公式1所示。TJ = TA + PDθJA (1)他告訴我一種替代方法，通過使用片上輸出級保護二極管作為溫度傳感器來獲得常用3端子穩(wěn)壓器的結溫。他的公司在日常測試和評估期間使用保護二極管測量穩(wěn)壓器的結溫。這種溫度檢測技術也可用于高速運算放大器。在圖1中，二極管D3和D4保護運算放大器免受靜電放電（ESD）的損壞。二極管 D

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[常見問題解答]MOS管參數(shù)詳解[ 2022-12-26 16:03 ]

我們打開一個 MOS 管的 SPEC，會有很多電氣參數(shù)，今天說一說熱阻、電容和開關時間這三個。熱阻，英文 Thermal resistance，指的是當有熱量在物體上傳輸時，在物體兩端溫度差與熱源的功率之間的比值，單位是℃/W 或者是 K/W。半導體散熱的三個途徑，封裝頂部到空氣，封裝底部到電路板，封裝引腳到電路板。結到空氣環(huán)境的熱阻用 ThetaJA 表示，ThetaJA = (Tj-Ta)/P其中Tj為芯片結溫，Ta為芯片環(huán)境溫度，如下圖所示。還有一些其他的熱阻參數(shù)如下：ThetaJC=(Tj-Tc)/P，結到

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[常見問題解答]肖特基二極管應用需要注意的事項[ 2021-10-27 15:59 ]

肖特基二極管應用需要注意的事項二極管在應用中偶爾會出現(xiàn)一些小故障，但是，有一些小問題是可以預防并且能夠做到有效避免的。以下是肖特基二極管在使用過程種需要注意的事項。肖特基二極管應用需要注意以下幾點①應用電路的實際工作電流應小于肖特基二極管的正向額定電流If，一般不大于額定If的60%。②應用電路的峰值工作電壓應小于肖特基二極管的反向擊穿電壓Vrrm，一般不大于額定電壓Vrrm的80%。③應用電路內的肖特基二極管的實際工作溫升應小于肖特基二極管的結溫Tjmax。④對于比較苛刻的環(huán)境，為了保證可靠性，肖特基二極管應降額

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[常見問題解答]650V碳化硅肖特基二極管的作用解析[ 2021-10-21 10:08 ]

650V碳化硅肖特基二極管的作用解析相比傳統(tǒng)的硅基器件，兩個系列均為電力電子系統(tǒng)設計人員提供多種優(yōu)勢，包括可忽略不計的反向恢復電流、高浪涌保護能力以及175°C最高運行結溫，因此是需要增強效率、可靠性與熱管理的應用的理想選擇。這些產品將在加州安海姆舉辦的應用電力電子會議(APEC 2019)上亮相。（LSIC2SD065DxxA/LSIC2SD065ExxCCA系列碳化硅肖特基二極管）LSIC2SD065DxxA系列碳化硅肖特基二極管可提供6A、10A或16A額定電流，采用TO 263-2L封裝;LSIC

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[常見問題解答]GEN2系列 1200V 3L TO-247肖特基二極管特點與作用介紹[ 2021-10-21 09:58 ]

GEN2系列 1200V 3L TO-247肖特基二極管特點與作用介紹肖特基二極管GEN2系列1200V 3L TO-247有什么特點？相比硅二極管，GEN2碳化硅肖特基二極管可顯著降低開關損耗，并大幅提高電力電子系統(tǒng)的效率和可靠性。（GEN2系列1200V、3L TO-247和2L TO-263肖特基二極管）碳化硅技術的高效性為電動汽車充電器、數(shù)據(jù)中心電源和可再生能源系統(tǒng)的設計師提供了多重優(yōu)勢。由于GEN2碳化硅肖特基二極管相比許多其他解決方案耗散的能量更少，并可在更高的結溫下工作，因此需要的散熱片和系統(tǒng)占用的

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[常見問題解答]功率mos管是為何會被燒毀[ 2020-12-28 16:25 ]

功率mos管是為何會被燒毀mos在控制器電路中的工作狀態(tài)：開通過程（由截止到導通的過渡過程）、導通狀態(tài)、關斷過程（由導通到截止的過渡過程）、截止狀態(tài)。Mos主要損耗也對應這幾個狀態(tài)，開關損耗（開通過程和關斷過程），導通損耗，截止損耗（漏電流引起的，這個忽略不計），還有雪崩能量損耗。只要把這些損耗控制在mos承受規(guī)格之內，mos即會正常工作，超出承受范圍，即發(fā)生損壞。而開關損耗往往大于導通狀態(tài)損耗，不同mos這個差距可能很大。Mos損壞主要原因：過流----------持續(xù)大電流或瞬間超大電流引起的結溫過高而燒毀；過

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[常見問題解答]MOS管的知識-MOSFET耗散功率計算圖文分析[ 2020-12-01 15:58 ]

MOS管的知識-MOSFET耗散功率計算圖文分析計算MOSFET的耗散功率為了確定一個MOSFET是否適合于某特定應用，你必須計算一下其功率耗散，它主要包含阻性和開關損耗兩部分:由于MOSFET耗散功率很大程度上依賴于它的導通電阻(Rds(ON)，計算RDs(ON)看上去是一個很好的出發(fā)點。但是MOSFET的Rds(ON)與它的結溫(Tj)有關。話說回來，Tj 又依賴于MOSFET的功率耗散以及MOSFET的熱阻(θjA)。這樣，似乎很難找到一個著眼點。由于功率耗散的計算涉及到若干個相互依賴的因素，我們可以采用一種

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[常見問題解答]MOS管為什么會炸裂-原因是什么[ 2020-11-12 17:23 ]

MOS管為什么會炸裂-原因是什么MOS管炸裂原因我們知道開關電源中MOSFET、 IGBT是最核心也是最容易燒壞的器件。MOS管炸裂原因：開關器件長期工作于高電壓大電流狀態(tài)，承受著很大的功耗，一但過壓或過流就會導致功耗大增，晶圓結溫急劇上升，如果散熱不及時，就會導致器件損壞，甚至可能會伴隨爆炸，非常危險。這里就衍生一個概念，安全工作區(qū)。一、什么是安全工作區(qū)？安全工作區(qū)：SOA（Safe operating area）是由一系列（電壓，電流）坐標點形成的一個二維區(qū)域，開關器件正常工作時的電壓和電流都不會超過該區(qū)域。簡

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[常見問題解答]可控硅設計經驗詳情[ 2020-10-27 15:18 ]

可控硅設計經驗詳情可控硅設計知識要點進行總結：可控硅類別：a. 單向可控硅：門極帶阻靈敏型單向可控硅、門極靈敏型單向可控硅、標準型單向可控硅······b. 雙向可控硅：標準型雙向可控硅、四象限雙向可控硅、洗衣機專用雙向可控硅、高結溫雙向可控硅、瞬態(tài)抑制型雙向可控硅······c. 電力電子可控硅：電力電子可控硅模塊芯片、電力電子可控硅模塊組件可控硅

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[常見問題解答]功率MOS管燒毀的原因分析(米勒效應)[ 2020-10-24 16:27 ]

功率MOS管燒毀的原因分析(米勒效應)Mos在控制器電路中的工作狀態(tài)：開通過程（由截止到導通的過渡過程）、導通狀態(tài)、關斷過程（由導通到截止的過渡過程）、截止狀態(tài)。Mos主要損耗也對應這幾個狀態(tài)，開關損耗（開通過程和關斷過程），導通損耗，截止損耗（漏電流引起的，這個忽略不計），還有雪崩能量損耗。只要把這些損耗控制在mos承受規(guī)格之內，mos即會正常工作，超出承受范圍，即發(fā)生損壞。而開關損耗往往大于導通狀態(tài)損耗（不同mos這個差距可能很大。Mos損壞主要原因：過流----------持續(xù)大電流或瞬間超大電流引起的結溫過

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[常見問題解答]詳說旁路二極管熱失控測試方法[ 2020-09-24 18:20 ]

詳說旁路二極管熱失控測試方法什么是旁路二極管熱失控？作為太陽能組件中的旁路二極管，在反向偏置電流增加的情況下，溫度會升高。如果旁路二極管在反向偏置時會產生持續(xù)漏電流造成二極管結溫增加，最差的情況是溫升超過了接線盒的冷卻能力。溫升和漏電流造成旁路二極管損壞的現(xiàn)象叫做熱失控。旁路二極管熱失控測試方法1.測試條件a.組件溫度：90±2℃（屋頂類組件），75±2℃（開放支架類）b.正向電流：1.25倍STC下組件短路電流c.反向偏置電壓：數(shù)值等同STC下組件開路電壓2.樣品要求a.接線盒樣品需粘

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[常見問題解答]mos管炸機-MOS管炸不炸機原因的關鍵看這里[ 2020-09-08 16:01 ]

mos管炸機-MOS管炸不炸機原因的關鍵看這里mos管炸機mos管炸機是電源工程師最怕的，mos管炸機！用著用著就壞了，莫名其妙MOS管就炸了，真是又怕又恨，可到底是哪里出問題了呢?這一切都和SOA相關。我們知道開關電源中MOSFET、 IGBT是最核心也是最容易燒壞的器件。開關器件長期工作于高電壓大電流狀態(tài)，承受著很大的功耗，一但過壓或過流就會導致功耗大增，晶圓結溫急劇上升，如果散熱不及時，就會導致器件損壞，甚至可能會伴隨爆炸，非常危險。這里就衍生一個概念，安全工作區(qū)。什么是mos管的安全工作區(qū)？mos管炸機，

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