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        [常見問題解答]突破性SiC失效檢測方案：如何精準定位故障根源[
                                        2024-12-13 11:39
                                        ]
        
                                
        
                                    隨著功率半導體技術的不斷發展，碳化硅（SiC）材料以其優異的電性能、耐高溫、耐輻射等優點，廣泛應用于現代能源、汽車、通信等領域。對于高功率和高頻應用，SiC器件顯示出顯著的優勢。然而，SiC器件在高電壓、大電流等極端工作條件下的失效問題仍然是亟待解決的問題，其根本原因已成為半導體行業的重要研究課題。二、SiC器件的故障特征SiC作為第三代半導體材料，與傳統硅相比具有顯著改進。它更大的帶隙使其能夠在更高的電壓和溫度下工作，而更高的導熱率使其能夠承受更大的熱應力。然而，高溫和頻繁開關使SiC器件容易出現故障、過熱等問題
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/tpxsicsxjc_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [常見問題解答]探索第三代半導體：未來科技與傳統半導體的差異[
                                        2024-06-06 14:37
                                        ]
        
                                
        
                                    一、第三代半導體技術展望隨著信息技術、電動汽車、LED照明和智能家居等領域的發展，新型第三代半導體材料，例如氮化硅、碳化硅和氮化鎵，將極大推動未來的科技進步。這些材料在高功率LED、藍光激光器和高速邏輯芯片等應用中表現出色，預示著半導體行業的新方向。二、傳統與現代半導體的對比分析傳統半導體，如硅和鍺，主要通過內部的電子和空穴的密度調節其導電性。相比之下, 第三代半導體通過設計能帶結構來優化性能，提供了更高的電子遷移率和耐高溫特性。此外，第三代半導體擁有更廣闊的能帶范圍，使其在光電行業中的應用更為廣泛。三、半導體和第
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/tsdsdbdtwl_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [行業資訊]SIC碳化硅SIC二極管器件的作用與發展趨勢[
                                        2019-09-06 18:23
                                        ]
        
                                
        
                                    什么是碳化硅二極管通常大家所用的基本都是以硅為原料的二極管，但是最近比較熱門的碳化硅二極管是用碳化硅為原料的二極管。目前常見的多為高壓的肖特基碳化硅二極管，其優點：反向恢復特性很好，媲美肖特基硅二極管。但是可以做高壓的二極管。在PFC中已有較多應用。缺點：正向導通壓降比較大。還有一點與硅二極管不同的是其導通壓降隨溫度上升反而增大。早期的碳化硅二極管，還有可承受沖擊電流小，可靠性不高等缺點。但是目前已有很大改善。碳化硅材料以其優異的性能被行業列為第三代半導體材料，其擊穿場強是硅的10倍，熱導率是硅的2.5倍。用碳化硅
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/sicthgsice_1.html3星
        
                            
        
                        
                    
                    
                    
                    
        
                    
        
                    
                    
                    
                    
                
        
            
        
        
        
        
        
            
        
        
        
        
        
        
    
        
    
    
    

        
    
        
        
        
        
        
            
        
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                深圳辦事處地址：深圳市福田區寶華大廈A1428
        
                中山辦事處地址：中山市古鎮長安燈飾配件城C棟11卡
        
                杭州辦事處：杭州市西湖區文三西路118號杭州電子商務大廈6層B座
        
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