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        [常見問題解答]SiC MOSFET與肖特基二極管的協(xié)同作用,優(yōu)化電力轉(zhuǎn)換效率[ 2025-04-01 14:17 ]
        隨著對能源效率要求的日益提高,碳化硅(SiC)材料在電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用變得越來越廣泛。特別是在電力轉(zhuǎn)換系統(tǒng)中,SiC MOSFET和肖特基二極管的結(jié)合,已成為提升效率、減少損失和提高可靠性的關(guān)鍵技術(shù)手段。一、SiC MOSFET的特點(diǎn)及優(yōu)勢碳化硅MOSFET(SiC MOSFET)是一種先進(jìn)的功率半導(dǎo)體器件,因其具備優(yōu)異的高擊穿電壓、低導(dǎo)通電阻和出色的熱管理能力,廣泛應(yīng)用于高壓和高頻率的電力轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。SiC材料的高禁帶寬度使其在高溫和高壓條件下保持良好的性能,特別適用于電動汽車驅(qū)動系統(tǒng)和太陽能逆變器等對環(huán)境要求嚴(yán)格
        http://www.kannic.com/Article/sicmosfety_1.html3星
        [常見問題解答]深入解析IGBT導(dǎo)熱材料的特性與選型要點(diǎn)[ 2025-02-11 12:07 ]
        在現(xiàn)代電力電子技術(shù)中,絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)被廣泛應(yīng)用于高功率設(shè)備,如電動汽車驅(qū)動系統(tǒng)、電機(jī)控制、新能源發(fā)電裝置以及工業(yè)變頻器等。IGBT在高負(fù)載運(yùn)行時會產(chǎn)生大量熱量,若不能及時有效地散散熱,可能導(dǎo)致器件性能衰退、工作效率下降,甚至影響其長期穩(wěn)定性。為了確保IGBT在復(fù)雜環(huán)境下可靠運(yùn)行,高效的熱管理至關(guān)重要,而導(dǎo)熱材料則是實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)的核心環(huán)節(jié)。一、IGBT導(dǎo)熱材料的重要性IGBT在高功率、高頻率的工作環(huán)境下,內(nèi)部器件會因?qū)〒p耗和開關(guān)損耗而產(chǎn)生大量熱量。這些熱量若不能迅速有效地散發(fā)出去,將導(dǎo)致芯片溫度升高
        http://www.kannic.com/Article/srjxigbtdr_1.html3星
        [常見問題解答]碳化硅SiC技術(shù)如何推動電動車性能突破[ 2024-11-27 14:45 ]
        碳化硅SiC技術(shù)是近年來推動電動汽車性能全面提升的核心技術(shù)之一。碳化硅作為新一代半導(dǎo)體材料的優(yōu)異物理性能使得關(guān)鍵電動汽車系統(tǒng)的性能得到顯著提升。本文介紹了碳化硅技術(shù)如何通過比傳統(tǒng)硅材料在更高的開關(guān)頻率下產(chǎn)生更大的能量損失來促進(jìn)電動汽車性能的進(jìn)步。然而碳化硅可以有效降低這種損耗,提高整體效率。一、電動汽車驅(qū)動系統(tǒng)的提升電動汽車的作用是將電池的直流電轉(zhuǎn)換成交流電來驅(qū)動電機(jī)。通過使用碳化硅,逆變器的開關(guān)頻率顯著提高,減少了系統(tǒng)中的能量損耗,從而延長了車輛的續(xù)航里程。體積減小的碳化硅器件具有更高的介電強(qiáng)度和導(dǎo)熱率,使其能夠
        http://www.kannic.com/Article/thgsicjsrh_1.html3星

        地 址/Address

        工廠地址:安徽省六安市金寨產(chǎn)業(yè)園區(qū)
        深圳辦事處地址:深圳市福田區(qū)寶華大廈A1428
        中山辦事處地址:中山市古鎮(zhèn)長安燈飾配件城C棟11卡
        杭州辦事處:杭州市西湖區(qū)文三西路118號杭州電子商務(wù)大廈6層B座
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